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- 저자 : 유재수(J. S. Yu) (검색결과 4 건)
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ZnO/SiO<sub>2</sub> 가지형 나노계층구조의 제작 및 광학적 특성 연구
고영환,김명섭,유재수,Ko, Y.H.,Kim, M.S.,Yu, J.S. 한국진공학회 2011 Applied Science and Convergence Technology Vol.20 No.5
실리콘(silicon) 기판위에 전기화학증착법(electrochemical deposition)을 이용하여 성장된 ZnO (zinc oxide) 나노로드 표면에 $SiO_2$ (silicon dioxide)를 전자빔증발법(e-beam evaporation)을 이용하여 증착하였으며, 이는 자연적으로 경사입사(oblique angle) 증착이 이루어져 $SiO_2$ 나노로드가 자발 형성되어, ZnO/$SiO_2$ 가지형 나노계층구조형태가 제작될 수 있음을 확인하였다. 실험을 위해서 $SiO_2$ 증착률을 0.5 nm/s로 고정하고 $SiO_2$ 증착시간을 변화시켰으며, 각각 나노구조의 형태와 광학적 특성을 분석하였다. 실리콘 기판위에 전기화학증착법으로 성장된 ZnO 나노로드는 수직으로 정렬된 1차원의 나노구조의 기하학적 형태를 갖고 있어, 입사되는 빛의 파장이 300 nm에서 535 nm인 영역에서 10% 미만의 반사방지(antireflection) 특성을 보였으며, $SiO_2$ 증착시간이 100 s일 때의 ZnO/$SiO_2$ 가지형 나노계층구조에서는 점차적 변화를 갖는 유효 굴절률 분포로 인해 개선된 반사 방지 특성을 확인하였다. 이러한 반사방지 특성과 branch 계층형태의 나노구조형태는 광전소자 및 태양광 소자 응용에 있어서 유용한 소재로 사용될 수 있다. We fabricated the ZnO (zinc oxide)/$SiO_2$ (silicon dioxide) branch hierarchical nanostructures by the e-beam evaporation of $SiO_2$ onto the surface of the electrochemically grown ZnO nanorods on Si substrate, which leads to the self-assembled $SiO_2$ nanorods by oblique angle deposition between vapor flux and vertically aligned ZnO nanorods. In order to investigate the effects of $SiO_2$ deposition on the morphology and optical property of ZnO/$SiO_2$ branch hierarchical nanostructures, the evaporation time of $SiO_2$ was varied under a fixed deposition rate of 0.5 nm/s. The vertically aligned ZnO nanorods on Si substrate exhibited a low reflectance of <10% in the wavelength range of 300~535 nm. For ZnO/$SiO_2$ branch hierarchical nanostructures at 100 s of evaporation time of $SiO_2$, the more improved antireflective property was achieved. From these results, ZnO/$SiO_2$ branch hierarchical nanostructures are very promising for optoelectronic and photovoltaic device applications.
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ZnO/SiO₂ 가지형 나노계층구조의 제작 및 광학적 특성 연구
고영환(Y. H. Ko),김명섭(M. S. Kim),유재수(J. S. Yu) 한국진공학회(ASCT) 2011 Applied Science and Convergence Technology Vol.20 No.5
실리콘(silicon) 기판위에 전기화학증착법(electrochemical deposition)을 이용하여 성장된 ZnO (zinc oxide) 나노로드 표면에 SiO₂ (silicon dioxide)를 전자빔증발법(e-beam evaporation)을 이용하여 증착하였으며, 이는 자연적으로 경사입사(oblique angle) 증착이 이루어져 SiO₂ 나노로드가 자발 형성되어, ZnO/SiO₂ 가지형 나노계층구조형태가 제작될 수 있음을 확인하였다. 실험을 위해서 SiO₂ 증착률을 0.5 ㎚/s로 고정하고 SiO₂ 증착시간을 변화시켰으며, 각각 나노구조의 형태와 광학적 특성을 분석하였다. 실리콘 기판위에 전기화학증착법으로 성장된 ZnO 나노로드는 수직으로 정렬된 1차원의 나노구조의 기하학적 형태를 갖고 있어, 입사되는 빛의 파장이 300 ㎚에서 535 ㎚인 영역에서 10% 미만의 반사방지(antireflection) 특성을 보였으며, SiO₂ 증착시간이 100 s일 때의 ZnO/SiO₂ 가지형 나노계층구조에서는 점차적 변화를 갖는 유효 굴절률 분포로 인해 개선된 반사방지 특성을 확인하였다. 이러한 반사방지 특성과 branch 계층형태의 나노구조형태는 광전소자 및 태양광 소자 응용에 있어서 유용한 소재로 사용될 수 있다. We fabricated the ZnO (zinc oxide)/SiO₂ (silicon dioxide) branch hierarchical nanostructures by the e-beam evaporation of SiO₂ onto the surface of the electrochemically grown ZnO nanorods on Si substrate, which leads to the self-assembled SiO₂ nanorods by oblique angle deposition between vapor flux and vertically aligned ZnO nanorods. In order to investigate the effects of SiO₂ deposition on the morphology and optical property of ZnO/SiO₂ branch hierarchical nanostructures, the evaporation time of SiO₂ was varied under a fixed deposition rate of 0.5 ㎚/s. The vertically aligned ZnO nanorods on Si substrate exhibited a low reflectance of <10% in the wavelength range of 300∼535 ㎚. For ZnO/SiO₂ branch hierarchical nanostructures at 100 s of evaporation time of SiO₂, the more improved antireflective property was achieved. From these results, ZnO/SiO₂ branch hierarchical nanostructures are very promising for optoelectronic and photovoltaic device applications.
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유재수,Slivken, S.,Razeghi, M. 경희대학교 레이저공학연구소 2006 레이저공학 Vol.17 No.-
We have investigated the characteristics of quantum cascade lasers operating at λ∼6.5 ㎛. Using a high-reflectivity coating, the peak output power of 925 mW and the average power of 150 mW were obtained. From 298 K to 393 K, the characteristic temperature was 195 K. The laser operated up to 220 K in continuous-wave mode.
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이희관,유재수 慶熙大學校 레이저 工學硏究所 2007 레이저공학 Vol.18 No.-
We investigated the thermal characteristics of InGaP/InGaAlP resonant cavity light emitting diodes by thermal analysis using a 2D finite element method. The internal temperature within active reeion as functions of irnection current, active mesa diameter and substrate thickness was calculated. The results indicate that thermal characteristics of RCLED are optimized at active mesa diarneters of > 80 μm with a substrate thickness of 20 μm.
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