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ZnS<SUB>0.24</SUB>Se<SUB>0.76</SUB>의 photoreflectance 특성 연구
유재인(J. I. Yu),김동렬(D. L. Kim),이제훈(J. H. Lee) 한국레이저가공학회 2004 한국레이저가공학회지 Vol.7 No.3
In this research, we investigated the characteristic of ZnS<SUB>0.24</SUB>Se<SUB>0.76</SUB>/GaAs heterostructure by using photoreflectance sprctroscopy(PR). The oscillations observed above the 1.43 eV range were attributed Franze-Keldysh effect. The interface electric filed of GaAs/ZnS<SUB>0.24</SUB>Se<SUB>0.76</SUB> is 2.153×104 V/㎝.
출력 커패시터 특성에 따른 포워드 DC/DC 컨버터 제어기 설계
유재도(J.D. Yu),류명효(M.H. Ryu),백주원(J.W Baek),김인동(I.D. Kim),노의철(E.C. Nho) 전력전자학회 2009 전력전자학술대회 논문집 Vol.2009 No.2
본 논문에서는 Forward DC/DC 컨버터 설계에 있어서 출력 커패시터에 따른 제어기 설계를 제안한다. 최근 DC/DC 컨버터의 소형화로 스위칭 주파수가 고주파로 됨에 따라 출력 커패시터는 전해 커패시터에서 Tantal 커패시터와 MLCC로 대체되는 추세이다. 이에 본 논문에서는 Tantal 커패시터와 MLCC의 특성을 분석하고 각각의 출력 커패시터 특성에 따른 안정적인 제어기를 설계하였으며, 시뮬레이션과 실험을 통해서 검증하였다. 본 논문에서는 50W급 Forward DC/DC 컨버터를 제작하여 스텝응답 테스트를 통해서 제시한 설계 기법이 타당함을 검증하였다.
$ZnS_{0.24}Se_{0.76}$의 photoreflectance 특성 연구
유재인,김동렬,이제훈,Yu J. I.,Kim D. L.,Lee J. H. 한국레이저가공학회 2004 한국레이저가공학회지 Vol.7 No.3
In this research, we investigated the characteristic of $ZnS_{0.24}Se_{0.76}/GaAs$ heterostructure by using photoreflectance sprctroscopy(PR). The oscillations observed above the 1.43 eV range were attributed Franze-Keldysh effect. The interface electric filed of $GaAs/ZnS_{0.24}Se_{0.76}\;is\;2.153{\times}104\;V/cm$.
고압 LED 구동을 위한 전해 커패시터리스 비절연형 역률 보상 전원 장치 설계
유재도(J.D. Yu),류명효(M.H. Ryu),백주원(J.W. Baek),김인동(I.D. Kim),김흥근(H.G. Kim) 전력전자학회 2010 전력전자학술대회 논문집 Vol.2010 No.7
최근 각광받고 있는 LED의 긴 수명시간에 비해서 전원 장치의 짧은 수명시간 문제가 크게 대두되고 있다. 이에 본 논문에서는 전원 장치의 수명시간을 좌우하는 전해 커패시터를 대체하여 용량이 매우 작은 필름 커패시터를 사용함으로써 전원 장치의 수명시간을 연장하고 원가를 절감 하고자 한다. 또한 PFC기능을 추가하여 역률을 향상 시키고자 한다. 고압 LED구동을 위한 20W급 비절연형 부스트 컨버터와 벅부스트 컨버터 역률 보상 전원 장치를 설계 및 제작하고 실험을 통해서 제안된 토폴로지의 타당성을 검증하였다.
Photoreflectance 측정에 의한 InxGa1-xP의 특성 연구
김동렬,유재인,Kim D. L.,Yu J. I. 한국레이저가공학회 2005 한국레이저가공학회지 Vol.8 No.3
[ $InxGa_{1-x}P/GaAs$ ] structures were grown by chemical beam epitaxy(CBE), Pure phosphine($PH_3$) gases were used as group V sources. for the group III sources, TEGa, TmIn were used. $InxGa_{1-x}P$ epilayer was grown on SI-GaAs substrate and has a 1-${\mu}m$ thick. We have investigated the characteristics of $InxGa_{1-x}P$ by the photoreflectance(PR) spectroscopy, The PR spectrum of $InxGa_{1-x}P$ shows third-derivative feature whose Peaks Provide energy gap. The energy gap of $InxGa_{1-x}P$ has deduced composition x. From temperature dependance of PR spectra, temperature coefficient is $dEg/dT=-3.773{\times}10^{-4}$ eV/K, and Varshni coefficients $\alpha$ and $\beta$ values obtained $4{\times}10^4$ eV/K and 267 K respectively. Also, interaction $\alpha$B was 19.4 meV using the Bose-Einstein temperature relation, and $\Theta$ value related the average phonon frequency were 101.4 K. In particular, shoulder peak related to defects observed in PR signal that measured in temperature 82 K.
Photoreflectance 측정에 의한 InxGal-xP의 특성 연구
김동렬(D. L. Kim),유재인(J. I. Yu) 한국레이저가공학회 2005 한국레이저가공학회지 Vol.8 No.3
InxGa<SUB>1-X</SUB>P/GaAs structures were grown by chemical beam epitaxy(CBE). Pure phosphine (PH₃) gases were used as group V sources. For the group Ⅲ sources, TEGa, TmIn were used. InxGa<SUB>1-X</SUB>P epilayer was grown on SIGaAs substrate and has a 1㎛ thick. We have investigated the characteristics of InxGa<SUB>1-X</SUB>P by the photoreflectance(PR) spectroscopy. The PR spectrum of InxGa<SUB>1-X</SUB>P shows third derivative feature whose peaks provide energy gap. The energy gap of InxGa<SUB>1-X</SUB>P has deduced composition x. From temperature dependance of PR spectra, temperature coefficient is dEg/dT=-3.773×10?⁴ eV/K, and Varshni coefficients a and β values obtained 4×10?⁴ eV/K and 267 K respectively. Also, interaction αB was 19.4 meV using the BoseEinstein temperature relation, and Θ value related the average phonon frequency were 101.4 K. In particular, shoulder peak related to defects observed in PR signal that measured in temperature 82 K.