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전폴리머 조성에 따른 고분자 분산형 액정의 전기 광학 특성 평가
양기정,윤도영,Yang, Kee-Jeong,Yoon, Do-Young 한국전기전자재료학회 2010 전기전자재료학회논문지 Vol.23 No.11
Polymer dispersed liquid crystal (PDLC) films were prepared by the phase separation method using the liquid crystal (E7) and prepolymers. This work investigated the electro-optical characteristics of various PDLC films. In order to have good contrast ratio, the polymer refractive index must be adjusted to the ordinary refractive index of the liquid crystal. The driving voltage of PDLC films were mainly affected by elastic deformation. E7-Ebecryl810-IOA-TMPTA-HMPPO system had good threshold voltage and driving voltage and E7-Ebecryl810-EHA-PEGDA-HMPPO system had good contrast ratio.
Zn(O<sub>x</sub>,S<sub>1-x</sub>) 버퍼층 적용을 통한 Cu<sub>2</sub>ZnSnS<sub>4</sub> 태양전지 특성 향상
양기정 ( Kee-jeong Yang ),심준형 ( Jun-hyoung Sim ),손대호 ( Dae-ho Son ),이상주 ( Sang-ju Lee ),김영일 ( Young-ill Kim ),윤도영 ( Do-young Yoon ) 한국화학공학회 2017 Korean Chemical Engineering Research(HWAHAK KONGHA Vol.55 No.1
본 실험에서는 Cu<sub>2</sub>ZnSnS<sub>4</sub>(CZTS) 태양전지의 흡수층 상부에 다양한 조성을 갖는 Zn(O<sub>x</sub>,S<sub>1-x</sub>) 버퍼층을 적용하여 특성 변화를 살펴보았다. Zn(O<sub>0.76</sub>,S<sub>0.24</sub>), Zn(O<sub>0.56</sub>, S<sub>0.44</sub>), Zn(O<sub>0.33</sub>,S<sub>0.67</sub>) 그리고 Zn(O<sub>0.17</sub>,S<sub>0.83</sub>)의 4가지 단일막의 경우, 전자-정공의 재결합 억제에 유리한 밴드갭 구조를 나타내는 Zn(O<sub>0.76</sub>,S<sub>0.24</sub>) 버퍼층을 소자에 적용했다. Zn(O<sub>0.76</sub>,S<sub>0.24</sub>) 버퍼층을 소자에 적용 시, 흡수층으로부터 S가 버퍼층으로 확산되어 소자 내에서의 버퍼층은 Zn(O<sub>0.7</sub>,S<sub>0.3</sub>)의 조성을 나타냈다. CdS 버퍼층의 EV보다 낮은 에너지 준위를 갖는 Zn(O<sub>0.7</sub>,S<sub>0.3</sub>) 버퍼층은 전자-정공 재결합을 효과적으로 억제하기때문에 CZTS 태양전지의 J<sub>SC</sub>와 V<sub>OC</sub> 특성을 향상시켰다. 이를 통해 CdS 버퍼층이 적용된 CZTS 태양전지의 효율인2.75%가 Zn(O<sub>0.7</sub>,S<sub>0.3</sub>) 버퍼층 적용을 통해 4.86%로 향상되었다. This experiment investigated characteristic changes in a Cu<sub>2</sub>ZnSnS<sub>4</sub>(CZTS) solar cell by applying a Zn (O<sub>x</sub>,S<sub>1-x</sub>) butter layer with various compositions on the upper side of the absorber layer. Among the four single layers such as Zn(O<sub>0.76</sub>,S<sub>0.24</sub>), Zn(O<sub>0.56</sub>, S<sub>0.44</sub>), Zn(O<sub>0.33</sub>,S<sub>0.67</sub>), and Zn(O<sub>0.17</sub>,S<sub>0.83</sub>), the Zn(O<sub>0.76</sub>,S<sub>0.24</sub>) buffer layer was applied to the device due to its bandgap structure for suppressing electron-hole recombination. In the application of the Zn(O<sub>0.76</sub>,S<sub>0.24</sub>) buffer layer to the device, the buffer layer in the device showed the composition of Zn(O<sub>0.7</sub>,S<sub>0.3</sub>) because S diffused into the buffer layer from the absorber layer. The Zn(O<sub>0.7</sub>,S<sub>0.3</sub>) buffer layer, having a lower energy level (E<sub>V</sub>) than a CdS buffer layer, improved the J<sub>SC</sub> and V<sub>OC</sub> characteristics of the CZTS solar cell because the Zn(O<sub>0.7</sub>,S<sub>0.3</sub>) buffer layer effectively suppressed electron-hole recombination. A substitution of the CdS buffer layer by the Zn(O<sub>0.7</sub>,S<sub>0.3</sub>) buf-fer layer improved the efficiency of the CZTS solar cell from 2.75% to 4.86%.
양기정 ( Kee Jeong Yang ),윤도영 ( Do Young Yoon ) 한국화학공학회 2010 Korean Chemical Engineering Research(HWAHAK KONGHA Vol.48 No.6
높은 누설 전류와 문턱 전압의 이동은 비정질 실리콘(a-Si:H) 트랜지스터(TFT)의 단점이다. 이러한 특성은 게이트 절연체와 활성층 박막의 막 특성, 표면 거칠기와 공정 조건에 따라 영향을 받는다. 본 연구의 목적은 누설 전류와 문턱 전압의 특성을 개선하는데 목적이 있다. 게이트 절연체의 공정 조건에 대해서는 질소를 증가한 증착 공정 조건을 적용하였고, 활성층의 공정 조건에 대해서는 산소를 증가한 공정 조건을 적용하여 전자 포획을 감소시키고 박막의 밀도를 증가시켰다. Ioff는 65˚C 조건하에서 1.01 pA에서 0.18pA로, △Vth는 -1.89 V에서 -1.22V로 개선되었다. High leakage current and threshold voltage shift (△Vth) are demerits of a-Si:H TFT. These characteristics are influenced by gate insulator and active layer film quality, surface roughness, and process conditions. The purpose of this investigation is to improve off current (Ioff) and △Vth characteristics. Nitrogen-rich deposition condition was applied to gate insulator, and hydrogen-rich deposition condition was applied to active layer to reduce electron trap site and improve film density. Ioff improved from 1.01 pA to 0.18 pA at 65˚C, and △Vth improved from -1.89 V to 1.22 V.
강진규 ( Jin-kyu Kang ),손대호 ( Dae-ho Son ),심준형 ( Jun-hyoung Sim ),황대규 ( Dae-kue Hwang ),성시준 ( Shi-joon Sung ),양기정 ( Kee-jeong Yang ),김대환 ( Dae-hwan Kim ) 한국공업화학회 2017 공업화학전망 Vol.20 No.2
태양전지는 온실 가스 감축에 효과가 큰 기후 변화 대응 기술이다. 현재 상업화에 성공한 실리콘 태양전지의 뒤를 이어 박막 태양전지, 페로브스카이트 태양전지 등 차세대 태양전지가 가격과 효율 등을 극복하기 위하여 매우 많이 연구되고 있다. CZT(S,Se) 박막 태양전지는 차세대 태양전지의 유력 후보군인 CIGS, CdTe, 페로브스카이트 태양전지 등에 비해 범용 무독성 원소를 광흡수층으로 사용한다는 장점을 가지고 있지만 아직까지는 이들보다 효율이 낮아 상용화하기에는 많은 문제를 가지고 있다. CZT(S,Se) 박막태양전지의 기본적인 물성, 공정 등을 알아보고 고효율을 달성하는 방법에 대하여 알아보고자 한다.