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The Effects of Defect Sites on the Dissociation of NO on Pt(111) Surface
부진효(J. H. Boo),강용철(Y. C. Kang),송명철(M. C. Song),박종윤(C. Y. Park),곽현태(H. T. Kwak),이순보(S. B. Lee) 한국진공학회(ASCT) 1993 Applied Science and Convergence Technology Vol.2 No.4
열탈착 분광법과 Auger 전자분광법을 이용하여 Ar-이온에 스퍼터링된 Pt(111) 표면에 NO의 흡착이 연구되었다. Pt(111) 표면에 Ar-이온에 의해서 생성된 결함자리들은 NO의 해리를 촉진시켰으며 이러한 해리는 결함자리에 흡착되는 NO(β-상태)의 선구상태를 거쳐서 일어났다. 그리고 이들 상태에 흡착된 NO는 이전에 보고된 굽힘진동을 하는 화학종이라고 규정하였다. NO의 낮은 덮힘율에서는 흡착되는 NO의 대부분이 해리되며, 덮힘율이 증가함에 따라 해리되는 분율은 약 80%로 일정하였다. Adsorption of nitric oxide on the Pt(Ⅲ) surface sputtered by Ar-ion has been studied using thermal desorption spectroscopy and Auger electron spectroscopy. Ar-ion sputtering creates defect sites on the Pt(111) surface to promote dissociation of NO. Dissociation of NO occurs through a precursor state of NO (β state) adsorbed at defect sites. The precursor state is characterized by the terminal bent species. At low coverage most of adsorbed NO dissociates. And as increasing the coverage, the fraction of dissociation remains about 80%.