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- 저자 : 손애리(Aeri Son) (검색결과 2 건)
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이차원 양자 효과를 고려한 극미세 Double-Gate MOSFET 특성 분석
김지현(Jihyun Kim),손애리(Aeri Son),정나래(Narae Jeong),신형순(Hyungsoon Shin) 대한전자공학회 2008 電子工學會論文誌-SD (Semiconductor and devices) Vol.45 No.10
기존의 MOSFET는 단채널 현상의 증가로 인하여 스케일링에 한계를 가지고 있다. Double-Gate MOSFET (DG-MOSFET)는 소자의 길이가 축소되면서 나타나는 단채널 현상을 효과적으로 제어하는 차세대 소자이다. DG-MOSFET으로 소자를 축소시키면 채널 길이가 10nm 이하에서 게이트 방향뿐만 아니라 소스와 드레인 방향에서도 양자 효과가 발생한다. 또한 게이트 길이가 매우 짧아지면 ballistic transport 현상이 발생한다. 따라서 본 연구에서는 2차원 양자 효과와 ballistic transport를 고려하여 DG-MOSFET의 특성을 분석하였다. 또한 단채널 효과를 줄이기 위해서 tsi와 underlap 그리고 lateral doping gradient를 이용하여 소자 구조를 최적화하였다. The bulk-planer MOSFET has a scaling limitation due to the short channel effect (SCE). The Double-Gate MOSFET (DG-MOSFET) is a next generation device for nanoscale with excellent control of SCE. The quantum effect in lateral direction is important for subthreshold characteristics when the effective channel length of DG-MOSFET is less than 10nm, Also, ballistic transport is getting important. This study shows modeling and design issues of nanoscale DG-M OSFET considering the 2D quantum effect and ballistic transport. We have optimized device characteristics of DG-MOSFET using a proper value of tsi, underlap and lateral doping gradient.
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전압분포의 선형특성을 이용한 Long-Channel Asymmetric Double-Gate MOSFET의 문턱전압 모델
양희정(Heejung Yang),김지현(Jihyun Kim),손애리(Aeri Son),강대관(Daegwan Kang),신형순(Hyungsoon Shin) 대한전자공학회 2008 電子工學會論文誌-SD (Semiconductor and devices) Vol.45 No.2
Long-channel Asymmetric Double-Gate (ADG) MOSFET의 해석적 문턱전압 모델을 제시한다. 본 모델은 채널 도핑과 채널의 양자효과까지 고려하였으며 더 나아가 문턱전압 영역에서 potential 분포의 선형특성을 이용하여 기존의 모델보다 간단하면서도 정확한 접근을 가능하게 하였다. 개발한 모델의 정확도는 다양한 실리콘 필름의 두께, 채널 도핑, 그리고 산화막 두께변화에 대하여 numerical 시뮬레이션 결과와 비교하여 검증하였다. A compact analytical model of the threshold voltage for long-channel Asymmetric Double-Gate (ADG) MOSFET is presented. In contrast to the previous models, channel doping and carrier quantization are taken into account. A more compact model is derived by utilizing the potential distribution linearity characteristic of silicon film at threshold. The accuracy of the model is verified by comparisons with numerical simulations for various silicon film thickness, channel doping concentration and oxide thickness.
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