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박기완(K.W Park),이태일(T.I Lee),백홍구(H.K Baik) 한국생산제조학회 2004 한국생산제조시스템학회 학술발표대회 논문집 Vol.2004 No.4
마이크로 사이즈 공음극 플라즈마 전극에 대한 제작 및 방전 실험을 진행하였다. 방전 전극은 200~500um의 hole 형상을 제작하였으며 70~850 torr He 분위기에서 방전 실험 하였다. 실험 샘플은 막힌 공음극 형상과, 관통된 공음극 두가지 형상을 실험하였다. 마이크로 공음극 플라즈마의 공음극 크기에 따른 결과에서 사이즈가 작을수록 총 전류 값은 낮아지나, 전류 밀도는 증가하였다. 막힌 공음극에서는 양저항 특성을, 관통된 공음극에서는 부저항 결과를 얻었다.
광원을 위한 AC구동 유전체장벽 미세공음극 구조와 상한 pd 제한조건
박기완(K. W. Park),이태일(T. I. Lee),제갈종필(J. P. Jegal),백홍구(H. K. Baik) 한국생산제조학회 2005 한국생산제조시스템학회 학술발표대회 논문집 Vol.2005 No.5
The Dielectric Barrier micro-hollow cathode structure and it's upper pD limitation are investigated for determining of optimum hollow cathode discharge condition. In experiment, discharge is sustained by AC diriving and investigated gas is pure Xe. From Experiment, Optimum pD range is lower than 0.72 torr.cm at pure Xe and Cu cathode.
열처리 온도에 따른 Si / Co / GaAs계의 계면반응 및 상평형에 관한 연구
곽준섭(J. S. Kwak),김화년(H. N. Kim),백홍구(H. K. Baik),신동원(D. W. Shin),박찬경(C. G. Park),김창수(C. S. Kim),노삼규(S. K. Noh) 한국진공학회(ASCT) 1995 Applied Science and Convergence Technology Vol.4 No.1
(001)방향 GaAs기판과 Si/Co 박막의 계면반응 및 상평형에 관한 연구를 300~700℃ 열처리 구간에서 행하였다. 반응에 의한 상전이 과정은 glancing angle X-ray diffraction(GXRD), Auger electron spectroscopy(AES) 및 cross-sectional transmission electron microscopy(XTEM)을 이용하여 분석하였다. Si/Co/GaAs계의 계면반응에서 Co는 380℃에서 GaAs 기판 및 Si와 반응하여 Co₂GaAs과 Co₂Si상을 형성하였다. 420℃에서 열처리 후, Co층은 모두 소모되었으며 단면구조는 Si/CoSi/CoGa(CoAs)/Co₂GaAs/GaAs으로 전이되었다. 460℃까지 온도를 올려 계속적인 반응을 일으키면 CoGa와 CoAs이 분해되면서 CoSi가 성장하였고, 600℃에서는 Co₂GaAs마저 분해되고 CoSi상이 성장하여 GaAs와 계면을 형성하였다. CoSi와 GaAs사이의 계면은 700℃의 고온까지 안정하였으며 이러한 계면반응 결과는 계산에 의하여 구한 Si-Co-Ga-As 4원계 상태도로부터 이해될 수 있었다. Interfacial reactions of Si/Co films on(001) oriented GaAs substrate, in the temperature range 300~700℃ for 30 min, have been investigated using glancing angle X-ray Diffraction(GXRD), Auger electron spectroscopy(AES), and cross-sectional transmission electron microscopy(XTEM). Cobalt starts to react with GaAs and Si at 380℃ by formation of Co₂GaAs, and Co₂Si phases, respectively. At 420℃, the entire layer of Co is consumed, and the layer structure is observed with the sequence Si/CoSi/CoGa(CoAs)/Co₂GaAs/GaAs. In the subsequent reaction, CoSi grows at the expense of the decompositions of CoGa and CoAs at 460℃. In addition, ternary phase is also decomposed and only CoSi phase is remained upon GaAs surface at 600℃. The interface between CoSi and GaAs is stable up to 700℃. The results of interfacial reactions can be understood from the calculated Si-Co-Ga-As quaternary phase diagram.
유효 구동력 개념을 이용한 고상 비정질화 반응의 예측에 관한 연구
곽준섭(J. S. Kwak),지응준(E. J. Chi),최정동(J. D. Choi),박상욱(S. W. Park),소명기(M. K. So),이성만(S. M. Lee),백홍구(H. K. Baik) 한국진공학회(ASCT) 1993 Applied Science and Convergence Technology Vol.2 No.1
이원계 박막확산쌍에서 열처리 방법에 의한 고상 비정질화 반응의 경향성을 예측하기 위하여 유효 구동력 개념을 제시하였다. 고상 비정질화 반응은 두 원소의 물리적 혼합물과 비정질상간의 최대 자유에너지차로 주어지는 열역학적 구동력(ΔG_(max))과 확산원소의 원자반경에 대한 기지의 유효 침입형자리 반경의 비로 주어지는 구조적 요소(R_(m/d))가 충족될 때 일어나는 빠른 확산에 의하여 발생된다고 고찰하고, 유효 구동력 기준을 이용하여 금속/금속계 뿐만아니라 금속/실리콘 계의 고상반응에 의한 비정질상 생성 경향성을 예측하고 실험결과들과 비교하여 잘 적용됨을 보였다. 또한, 유효 구동력 기준이 금속/실리콘 계에서 비정질상의 임계 성장두께 경향성의 예측에도 잘 적용됨을 보였다. It is proposed that formation and growth of amorphous interlayer through solid state amorphizing reaction can be predicted by the concept of effective driving force. The effective driving force consists of two factors; i) the thermodynamic driving force given by maximum free energy difference between physical mixture of binary elements and amorphous interlayer (ΔG_(max)) and ii) the structural factor given by a ratio between effective radius of interstitial site in host matrix and atomic radius of diffusing species (R_(m/d)). It is shown that the the criterion of effective driving force is successfully applied in the prediction of the formation of amorphous interlayer in metal/silicon systems as well as that of metal/metal systems from the comparison of experimental data. In addition, the concept of effective driving force can be well applied to predict the growth tendency of amorphous interlayer in metal/silicon systems.