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박래만,신재헌,허철,김경현,김태엽,성건용,정태형,Park, N.M.,Shin, J.H.,Huh, C.,Kim, K.H.,Kim, T.Y.,Sung, G.Y.,Jeong, T.H 한국전자통신연구원 2005 전자통신동향분석 Vol.20 No.5
실리콘 포토닉스 기술은 차세대 실리콘 기술로서 optoelectronic integrated circuit을 위한 실리콘 기반 광기술에 대한 것이다. 본 고에서는 이러한 실리콘 포토닉스 기술을 이용한 단일 집적화에 있어서 응용과 문제점 및 연구개발 동향에 대해 알아본다. 특히, 세부 기술들에 대한 현재의 기술적 수준을 단일 집적화 측면에서 검토하였으며, 가장 큰 문제점으로 인식되는 실리콘 발광원의 국내외 기술 현황을 살펴보았다.
화합물 반도체 CIGS 박막태양전지 제작 및 특성 평가
김제하(J. Kim),조대형(D. -H. Cho),변태준(T. -J. Byun),정용덕(Y. -D. Chung),박래만(N. -M. Park),김은아(E. -A. Kim),이규석(K. -S. Lee),오수영(S. Y. Oh) 대한전자공학회 2010 대한전자공학회 학술대회 Vol.2010 No.6
We developed processes of co-evaporation and precursor-reaction for high quality CuIn,GaSe2(CIGS) and characterized their structural properties using various techniques such as SEM, XRD, XRF, and Auger depth profiling. In addition, we used a basic fabrication process for CIGS photovoltaic devices and evaluated their J-V characteristics. For the cells of 0.47 cm<SUP>2</SUP>, the conversion efficiency of 15.54% and 9.7% was obtained for co-evaporated and precursor-reaction prepared CIGS cells, respectively.