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안현진(Hyunjin Ahn),손병찬(Byung Chan Son),류현식(Hyunsik Ryu),이옥구(Ockgoo Lee) 한국전자파학회 2020 한국전자파학회논문지 Vol.31 No.11
본 논문에서는 임피던스 변환율을 개선하기 위한 병렬 분할된 CMOS 점증 단권변압기를 제안한다. 또한, 이에 상응하는 확장성이 있는 CMOS 공정을 사용한 병렬 분할 기법을 사용한 모델링이 개발되었다. 제안된 병렬 분할 기법의 모델링을 사용하여 병렬 분할된 단권변압기의 정확한 성능 예측이 가능하다. 병렬 분할된 점증 단권변압기는 표준 CMOS 65 ㎚ 공정을 사용하여 제작되었다. 모델링된 결과는 측정된 결과와 우수한 일치를 보여준다. 제작된 1개/2개 병렬 분할된 CMOS 점증 단권변압기는 3 ㎓ 주파수에서 −1.21 ㏈/−1.54 ㏈의 최소삽입손실의 특성을 보이며, 50 Ω 임피던스가 9.5 Ω/6.1 Ω의 임피던스로 변환되어 보인다. In this study, a parallel-segmented complementary metal-oxide–semiconductor (CMOS) step-up autotransformer was developed to improve the impedance transformation ratio. In addition, a corresponding scalable segmentation-based model was developed on a CMOS case. The proposed segmentation-based model was used to predict the accurate performance of a parallel-segmented autotransformer. The parallel-segmented step-up autotransformer was fabricated through a standard 65 ㎚ CMOS process. The modeled results showed good agreement with the measured results. The implemented one/two parallel-segmented CMOS step-up autotransformer changed the impedance from 50 Ω to 9.5 Ω/6.1 Ω with −1.21 ㏈/−1.54 ㏈ minimum insertion loss at 3 ㎓.