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전통 민속리듬과 뮤직 테크놀로지로 제작된 대중음악 리듬의 융합
나훈주 세계음악학회 2023 음악과 문화 Vol.- No.49
. This research explores the differences and interactions between the rhythms used in traditional music and the artificial rhythms deliberately created under the influence of machine civilization. Through analysis of musical works and expert interviews, this study identifies similarities and differences between folkloric and traditional rhythms and artificially created rhythms, and explores the possibility of integrating technology. Based on the research results, this study proposes suggestions for the future development of music, and offers an integrative approach that can contribute to the sustainable development of the music industry and culture. This research is expected to enhance understanding of music's historical development, grounded in the essence of music and its technological aspects.
질화물 박막을 이용한 단결정 $\beta$-SiC의 고온 ohmic 접촉 연구
최연식,나훈주,정재경,김형준,Choe, Yeon-Sik,Na, Hun-Ju,Jeong, Jae-Gyeong,Kim, Hyeong-Jun 한국재료학회 2000 한국재료학회지 Vol.10 No.1
내열금속인 W, Ti와 이들의 질화물인 $W_2$N, TiN 박막을 이용하여 탄화규소 ohmic 접촉을 연구하였다. 열처리 온도에 따른 고온 안정성과 전기적 특성 및 상호 확산 억제 특성을 고찰함으로써 이들 질화물의 고온에서 안정한 ohmic 접촉으로 이용가능성을 조사하였다. 새로운 유기화합물 원료인 bis-trimethylsilylmethane을 이용하여 화학기상 증착법으로 증착한 단결정 $\beta$-SiC 박막과 W이 가장 낮은 접촉 비저항, 2.17$\times$10(sup)-5Ω$\textrm{cm}^2$를 보였으며, Ti 계열은 상대적으로 높은 접촉 비저항 값을 나타내었다. 이들 전극 위에 산화 방지막으로 Pt 박막을 증착함으로써 전극의 산화를 막을 수 있었으며, 질화물 전극은 고온에서 금속접촉에 비해 안정한 전기적 특성을 나타내었고, 상호 확산 방지 특성 면에도 우수한 특성을 지니고 있음을 알 수 있었다. Refractory metals, W and Ti, and their nitrides, $W_2N$ and TiN, were investigated for using as an ohmic contact material with SiC single crystalline thin films. The possibility of nitride materials for using as a stable ohmic contact material of SiC at high temperatures was examined by considering the thermal stability depending on the heat treatment temperature, their electrical properties and protective behavior from the interdiffusion. W contact with SiC thin films, deposited by using new organosilicon precursor, bis-trimethylsilylmethane, showed the lowest resistivity, $2.17{\times}10^{-5}$Ω$\textrm{cm}^2$. On the other hand, Ti-based contact materials showed higher contact resistivity than W-based ones. The oxidation of contact materials was restricted by applying Pt thin films on those electrodes. Nitride electrodes had rather stable electrical properties and better protective behavior from interdiffusion than metal electrodes.