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김종률,Kim, Jong-Ryul 한국정보통신집흥협회 1997 정보화사회 Vol.111 No.-
인터넷(Internet)은 세계 최대의 공공 전산망이다. 즉 약 5만개의 네트워크가 결합되어 있으며 여기에는 약 400만대의 주전산기가 연결되어 각종 정보를 제공하고 있다. 이러한 인터넷은 정보의 산실로서 약 5,000만명의 사용자가 이를 이용하고 있다. 인터넷의 성장세는 연 100%를 능가하며, 가히 폭발적인 증가를 하고 있다.
김종률,Kim, Jong-Ryul 한국정보통신집흥협회 2001 정보화사회 Vol.149 No.-
전화를 거는 발신자의 전화번호를 통화 전에 수신자 전화기의 액정화면에 표시해주는 발신자표시(CID: Caller ID)서비스가 국내에서도 도래했다. 한국통신, 하나로통신 등 유선 전화사업자 및 SK텔레콤, 한통프리텔, LG텔레콤 등 이동전화 사업자들은 지난 4월 1일부터 일제히 발신번호표시 시범서비스를 개시했다. 사업자들은 시범서비스에 이어 5월부터 상용화에 돌입한다는 방침이다.
환경정책 - 생물다양성 보전 및 지속가능한 이용 정책과 방향
김종률,Kim, Jong-Ryul 환경보전협회 2014 환경정보 Vol.411 No.-
환경부에서는 지난 3월 제3차 국가 생물다양성 전략을 수립하였다. 2050년까지 "생물다양성을 풍부하게 보전하여 지속가능하게 이용할 수 있는 대한민국을 구현"하는 장기 비전과, 2020년까지 "생물다양성 보전과 생태가치 제고를 통한 창조경제 견인"하는 중기 비전을 정하고, 이를 달성하기 위하여 6대 전략과 18개 실천목표를 마련하였다.
60 nm 와 20 nm 두께의 수소화된 비정질 실리콘에 따른 저온 니켈실리사이드의 물성 변화
김종률,박종성,최용윤,송오성,Kim, Joung-Ryul,Park, Jong-Sung,Choi, Young-Youn,Song, Oh-Sung 한국진공학회 2008 Applied Science and Convergence Technology Vol.17 No.6
ICP-CVD를 사용하여 수소화된 비정질 실리콘(a-Si:H)을 60 nm 또는 20 nm 두께로 성막 시키고, 그 위에 전자총증착장치(e-beam evaporator)를 이용하여 30 nm Ni 증착 후, 최종적으로 30 nm Ni/(60 또는 20 nm a-Si:H)/200 nm $SiO_2$/single-Si 구조의 시편을 만들고 $200{\sim}500^{\circ}C$ 사이에서 $50^{\circ}C$간격으로 40초간 진공열처리를 실시하여 실리사이드화 처리하였다. 완성된 니켈실리사이드의 처리온도에 따른 면저항값, 상구조, 미세구조, 표면조도 변화를 각각 사점면저항측정기, HRXRD, FE-SEM과 TEM, SPM을 활용하여 확인하였다. 60 nm a-Si:H 기판 위에 생성된 니켈실리사이드는 $400^{\circ}C$이후부터 저온공정이 가능한 면저항값을 보였다. 반면 20 nm a-Si:H 기판 위에 생성된 니켈실리사이드는 $300^{\circ}C$이후부터 저온공정이 가능한 면저항값을 보였다. HRXRD 결과 60 nm 와 20 nm a-Si:H 기판 위에 생성된 니켈실리사이드는 열처리온도에 따라서 동일한 상변화를 보였다. FE-SEM과 TEM 관찰결과, 60 nm a-Si:H 기판 위에 생성된 니켈실리사이드는 저온에서 고저항의 미반응 실리콘이 잔류하고 60 nm 두께의 니켈실리사이드를 가지는 미세구조를 보였다. 20 nm a-Si:H 기판위에 형성되는 니켈실리사이드는 20 nm 두께의 균일한 결정질 실리사이드가 생성됨을 확인하였다. SPM 결과 모든 시편은 열처리온도가 증가하면서 RMS값이 증가하였고 특히 20 nm a-Si:H 기판 위에 생성된 니켈실리사이드는 $300^{\circ}C$에서 0.75 nm의 가장 낮은 RMS 값을 보였다. 60 nm and 20 nm thick hydrogenated amorphous silicon(a-Si:H) layers were deposited on 200 nm $SiO_2$/single-Si substrates by inductively coupled plasma chemical vapor deposition(ICP-CVD). Subsequently, 30 nm-Ni layers were deposited by an e-beam evaporator. Finally, 30 nm-Ni/(60 nm and 20 nm) a-Si:H/200 nm-$SiO_2$/single-Si structures were prepared. The prepared samples were annealed by rapid thermal annealing(RTA) from $200^{\circ}C$ to $500^{\circ}C$ in $50^{\circ}C$ increments for 40 sec. A four-point tester, high resolution X-ray diffraction(HRXRD), field emission scanning electron microscopy(FE-SEM), transmission electron microscopy(TEM), and scanning probe microscopy(SPM) were used to examine the sheet resistance, phase transformation, in-plane microstructure, cross-sectional microstructure, and surface roughness, respectively. The nickel silicide from the 60 nm a-Si:H substrate showed low sheet resistance from $400^{\circ}C$ which is compatible for low temperature processing. The nickel silicide from 20 nm a-Si:H substrate showed low resistance from $300^{\circ}C$. Through HRXRD analysis, the phase transformation occurred with silicidation temperature without a-Si:H layer thickness dependence. With the result of FE-SEM and TEM, the nickel silicides from 60 nm a-Si:H substrate showed the microstructure of 60 nm-thick silicide layers with the residual silicon regime, while the ones from 20 nm a-Si:H formed 20 nm-thick uniform silicide layers. In case of SPM, the RMS value of nickel silicide layers increased as the silicidation temperature increased. Especially, the nickel silicide from 20 nm a-Si:H substrate showed the lowest RMS value of 0.75 at $300^{\circ}C$.
부분 예혼합 화염의 연소실 압력이 연료별(메탄, 에틸렌, 프로판) 연소특성과 국소 화염 반응에 미치는 영향
김종률(Jong-ryul Kim),손제하(Je-ha Son),노영구(Young-gu Noh),김윤동(Yun-dong Kim),최경민(Gyung-min Choi),김덕줄(Duck-jool Kim) 한국연소학회 2010 한국연소학회지 Vol.15 No.4
An experimental study was conducted for three different fuels(CH₄,C₂H₄ and C₃H?) to investigate the combustion characteristics and the local reaction intensity with combustor pressure(-30kpa~30kpa). Regardless of fuel composition, EINOx decreased with reducing pressure decreased. Structure and combustion characteristics were also largely affected by the combustor pressure. In addition, reaction intensity in terms of the changing combustor pressure and equivalence ratio was investigated. Combustion reaction in higher than atmospheric pressure was very active than the lower combustor pressure. When the combustor pressure is lower than the atmospheric pressure, the overall reactivity is noticeably enhanced due to the elevated diffusion process of unburned mixture. It was found that the combustion characteristics of the methane and propane flames are considerably influenced by the pressure while those of ethylene flame are less sensitive to the combustor pressure.