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      • WLAN을 위한 고속 링 발진기를 이용한 5.8 ㎓ PLL

        경모(Kyungmo Kim),최재형(Jaehyung Choi),김삼동(Samdong Kim),황인석(Inseok Hwang) 대한전자공학회 2008 電子工學會論文誌-SC (System and control) Vol.45 No.2

        본 논문에서는 고속 링 발진기를 이용한 WLAN용 5.8 ㎓ PLL을 제안하였다. 제안한 PLL에 사용된 링 발진기는 부 스큐지연방식을 이용하여 차동 구조로 설계되었다. 따라서 Power-Supply-Injected Noise에 둔감하며, 1/f Noise를 감소시키기 위하여 Tail Current Source를 사용하지 않았다. 제안한 링 발진기는 0 ~ 1.8 V의 컨트롤 전압에 걸쳐 5.13 ~ 7.04 ㎓의 발진주파수를 보였다. 본 논문에서 제안한 PLL 회로는 0.18 um 1.8 V TSMC CMOS 라이브러리를 기본으로 하여 설계하였고 시뮬레이션을 통하여 성능을 검증하였다. 동작 주파수는 5.8 ㎓이며, Locking Time은 2.5 us, 5.8 ㎓에서의 소비 전력은 59.9mW로 측정되었다. This paper presents a 5.8 ㎓ PLL using high-speed ring oscillator for WLAN. The proposed ring oscillator has been designed using the negative skewed delay scheme and for differential mode operation. Therefore, the oscillator is insensitive to power-supply-injected noise, and it has the merit of low 1/f noise because tail current sources are not used. The output frequency ranges from 5.13 to 7.04 ㎓ with the control voltage varing from 0 to 1.8 V. The proposed PLL circuits have been designed, simulated, and proved using 0.18 um 1.8 V TSMC CMOS library. At the operation frequency of 5.8 ㎓, the locking time is 2.5 us and the simulated power consumption is 59.9 mW.

      • KCI등재

        저 전력, 저 잡음, 고속 CMOS LVDS I/O 회로에 대한 비교 분석 및 성능 평가

        변영용(Youngyong Byun),태웅(Taewoong Kim),김삼동(Samdong Kim),황인석(Inseok Hwang) 대한전자공학회 2008 電子工學會論文誌-SC (System and control) Vol.45 No.2

        차동 전송 기술과 저 전압 스윙을 기반으로 하는 LVDS(Low Voltage Differential Signaling)는 저 전력으로 고속 데이터 전송을 필요로 하는 분야에 넓게 사용되어 왔다. 본 논문은 1.3 Gb/s 이상에서 동작하는 새로운 I/O 인터페이스 회로 기술을 소개한다. 기존의 LVDS 수신단에서 사용하는 차동 pre-amp 대신에 sense amplifier를 pre-amp로 사용하는 수신단을 제안하였으며 이러한 수신단은 LVDS 송신단 출력 전압을 상당히 줄이고 1.3 Gb/s 이상의 전송 속도를 제공할 수 있다. 또한 전력소비와 노이즈 특성을 더욱 향상시키기 위하여 종단 저항을 사용하는 대신 인덕턴스로 임피던스 매칭을 하는 방법을 소개하였다. LVDS 수신단의 pre-amp로 사용하는 differential amp와 sense amp의 입력 인덕턴스로 임피던스 매칭을 하기 위해 unfolded 임피던스 매칭의 새로운 방법을 제안하였다. 제안한 LVDS I/O 회로들의 성능 분석 및 평가를 위하여 0.35㎛ TSMCCMOS 테크놀로지를 기본으로 HSPICE를 이용하여 시뮬레이션 하였으며, 약 12 %의 전력 이득과 약 18 %의 전송 속도 향상을 나타내었다. Due to the differential and low voltage swing, Low Voltage Differential Signaling(LVDS) has been widely used for high speed data transmission with low power consumption. This paper proposes new LVDS I/O interface circuits for more than 1.3 Gb/s operation. The LVDS receiver proposed in this paper utilizes a sense amp for the pre-amp instead of a conventional differential pre-amp. The proposed LVDS allows more than 1.3 Gb/s transmission speed with significantly reduced driver output voltage. Also, in order to further improve the power consumption and noise performance, this paper introduces an inductance impedance matching technique which can eliminate the termination resistor. A new form of unfolded impedance matching method has been developed to accomplish the impedance matching for LVDS receivers with a sense amplifier as well as with a differential amplifier. The proposed LVDS I/O circuits have been extensively simulated using HSPICE based on 0.35㎛ TSMC CMOS technology. The simulation results show improved power gain and transmission rate by ∼ 12 % and ∼ 18 %, respectively.

      • 5-GHz 대역의 RF CMOS 주파수 분배기

        황인석,김삼동,경만 동국대학교 산업기술연구원 2008 산업기술논문집 Vol.18 No.1

        본 논문에서는 ~ 5GHz 주파수 합성기에 사용되는 저 전력 주파수 분배기를 제안하였다. 주파수 분배기는 전처리 주파수 분배기, 프리스케일러, 프로그램 카운터 및 이중 모듈러스 제어회로로 구성되어있다. 전처리 주파수 분배기는 기본적으로 cross-coupled 부 저항 발진기의 형태이며 높은 Q-factor를 얻기 위해 MEMS 인덕터를 사용했다. 모듈러스 제어회로는 전력 소모를 줄이기 위해 카운터 컨트롤 회로 대신에 피드백 pMOS 회로를 사용하였다. 제안된 주파수 분배기는 RF nMOS와 logic CMOS를 사용하는 0.18 ㎛, 1.8 V technology를 이용하여 설계되고 시뮬레이션 되었다. 광범위한 시뮬레이션을 통해 주파수 분배기가 channel selection bits에 따라 VCO 신호의 주파수를 480-486의 비로 분주함을 확인할 수 있었다. 전체 분주비가 480이고 4.8 GHz의 전압제어 발진기 출력 신호가 주어질 때에 전처리 주파수 분배기, 프리스케일러, 프로그램 카운터의 출력 신호는 각각 2.4 GHz, 120 MHz, 10 MHz이다. This paper presents the development and design of a low power frequency divider that can be used for ~5 GHz frequency synthesizers. The frequency divider consists of a pre-frequency divider, a prescaler a program counter, and a dual modulus-control unit. The pre-frequency divider is basically a cross-coupled, negative-resistance oscillator and utilizes MEMS-based inductors to obtain a high Q-factor. The modulus-control unit employs a feedback pMOS circuit instead of a counter control scheme to achieve low power consumption. The whole frequency divider has been designed and simulated using 0.18 ㎛, 1.8 V CMOS technology, that is, RF nMOS and logic CMOS. Through extensive simulations, we have validated that the frequency divider performs properly by dividing the frequency of the VCO signal by 480-486 depending on the channel selection bits. Given a 4.8 GHz VCO output signal and the overall dividing ratio of 480, the output signals of the pre-frequency divider, pre-sealer, and program counter are 2.4 GHz, 120 MHz, and lOMHz, respectively.

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