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노태문,이대우,김광수,강진영,No, Tae-Mun,Lee, Dae-U,Kim, Gwang-Su,Gang, Jin-Yeong 한국전자통신연구원 1995 전자통신동향분석 Vol.10 No.1
본 연구에서는 아날로그 CMOS IC 제조를 위한 CMOS 소자기술 및 수동소자 기술인, 다결정실리콘 저항과 다결정실리콘(I)/산화막/다결정실리콘(II) 구조를 가진 커패시터의 공정기술을 개발하였다. 아날로그 CMOS 공정기술은 디지털 CMOS 공정에서 다결정실리콘 저항과 커패시터 공정이 추가됨으로씨 발생할 수 있는 CMOS 소자특성의 변화를 최소화하는 데 중점을 두어 개발하였다. 최종적으로 개발된 $1.2\mum$ 아날로그 CMOS 공정을 이용하여 10 비트 ADC 및 DACIC를 제작한 후 정상적인 동작을 확인함으로써, $1.2\mum$ 아날로그 CMOS 공정에 의한 아날로그 IC 제작의 응용 가능성을 검증하였다. 개발된 $1.2\mum$ 아날로그 CMOS 공정은 향후 $0.8\mum$ 아날로그 CMOS IC 개발에 크게 기여할 것으로 기대된다.