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방사선빔 조사를 이용한 질화갈륨 기반 트랜지스터의 내방사선 특성 연구
금동민(Dongmin Keum),김형탁(Hyungtak Kim) 대한전기학회 2017 전기학회논문지 Vol.66 No.9
In this work, we investigated radiation hardness of GaN-based transistors which are strong candidates for next-generation power electronics. Field effect transistors with three types of gate structures including metal Schottky gate, recessed gate, and p-AlGaN layer gate were fabricated on AlGaN/GaN heterostructure on Si substrate. The devices were irradiated with energetic protons and alpha-particles. The irradiated transistors exhibited the reduction of on-current and the shift of threshold voltage which were attributed to displacement damage by incident energetic particles at high fluence. However, FET operation was still maintained and leakage characteristics were not degraded, suggesting that GaN-based FETs possess high potential for radiation-hardened electronics.
유도가열 시스템의 설계 및 구현 (pp.1223-1224)
서은숙(Eunsook Seo),정경수(Kyeungsoo Jeong),임세현(Sehyun Im),금동민(Dongmin Keum),양준혁(Junhyeok Yang),정인환(Inhwan Jung) 대한전기학회 2006 대한전기학회 학술대회 논문집 Vol.2006 No.7
본 논문에서는 Half Bridge Series Resonant Inverter를 이용한 유도가열 시스템 설계를 하고 제작하여 구현하였다. 이러한 유도가열 시스템의 제작을 위해서는 공진탱크와 매칭 트렌스포머의 설계가 필수적이다. 따라서 이런 설계를 위해 PSpice 를 이용하여 공진탱크의 입력 임피던스 Bode Plot 을 그려 분석하고 이를 바탕으로 탱크회로를 설계 하였다. 매칭 트랜스포머의 설계는 출력 Power 와 1,2 차 회로 조건에 의해 설계 되어졌다. 이렇게 설계한 유도가열 시스템을 PSpice를 이용해서 Simulation 함으로써 주파수에 따른 출력 Power 의 변화를 볼수 있었으며, 유도가열 시스템을 실제 제작하여 구현함으로써 확인하였다.