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- 저자 : 고석배(Seok-Bae Ko) (검색결과 3 건)
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졸-겔법에 의해 제조된 Al-Doped ZnO 박막의 후열처리 온도에 따른 전기 및 광학적 특성
고석배,최문순,고형덕,이충선,태원필,서수정,김용성,Ko, Seok-Bae,Choi, Moon-Sun,Ko, Hyungduk,Lee, Chung-Sun,Tai, Weon-Pil,Suh, Su-Jeong,Kim, Young-Sung 한국세라믹학회 2004 한국세라믹학회지 Vol.41 No.10
비등점이 낮은 용매인 isopropanol에 용질농도 0.7mol/$\iota$ Zn acetate를 용해시키고 dopant로 Al chloride를 첨가하여 균일하고 안정한 sol을 합성하였다. 졸-겔법에 의한 Al-doped ZnO(AZO) 박막의 제조시 $500\~700^{\circ}C$의 범위에서 후열처리 온도를 제어하여 박막의 전기 및 광학적 특성을 조사하였다. 후열처리 온도가 증가할수록 (002) 면으로의 c-축 결정배향성은 증가하였고, 박막 표면은 균일한 나노입자의 미세구조를 형성하였다. 광 투과도는 $650^{\circ}C$ 이하의 후열처리 온도에서 $86\%$이상이었으나, $700^{\circ}C$에서는 감소하였다. 박막의 전기 비저항 값은 $650^{\circ}C$ 이하에서 열처리 온도가 증가함에 따라 73에서 22$\Omega$-cm로 감소하였으나 $700^{\circ}C$에서 580$\Omega$-cm로 급격히 증가하였다. 후열처리 온도 $700^{\circ}C$에서 AZO 박막의 전기 및 광학적 특성의 열화는 XPS 분석결과, 박막 표면에 석출된 $Al_2O_3$ 상에 기인하였다. AZO 박막의 전기 및 광학적 특성 향상을 위한 최적의 후열처리 온도는 $600^{\circ}C$였다. Isopropanol of low boiling point was used as a solvent to prepare Al-doped ZnO(AZO) thin films. A homogeneous and stable sol was made from Zn acetate a solute whose mole concentration was 0.7mol/$\iota$ and Al chloride as a dopant. Al-doped ZnO thin films were prepared by sol-gel method as a function of post-heating temperature from 500 to $700^{\circ}C$ and the optical and electrical properties were investigated. The c-axis orientation along (002) plane was enhanced with the increasing of post-heating temperature and the surface morphology of the films showed a homogeneous and nano-sized microstructure. The optical transmittance of the films post-heated below $650^{\circ}C$ was over $86\%$, but decreased at $700^{\circ}C$. The electrical resistivity of the thin films decreased from 73 to 22 $\Omega$-cm as the post-heating temperature increased up to $650^{\circ}C$, but increased greatly to 580 $\Omega$-cm at $700^{\circ}C$. XPS analysis indicated that the deterioration of electrical and optical properties was attributed to the precipitation of $Al_2O_3$ phase on the surface of AZO thin film. This result suggests that the optimum post-heating temperature to improve electrical and optical properties is $600^{\circ}C$.
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펄스 DC 마그네트론 스퍼터링법에 의한 Zn<sub>1-x</sub>Co<sub>x</sub>O 박막의 미세조직 및 자기적 특성
고윤덕,고석배,최문순,태원필,김기출,김종민,서수정,김용성,Ko, Yoon-Duk,Ko, Seok-Bae,Choi, Moon-Soon,Tai, Weon-Pil,Kim, Ki-Chul,Kim, Jong-Min,Soh, Su-Jeung,Kim, Young-Sung 한국세라믹학회 2005 한국세라믹학회지 Vol.42 No.3
펄스 마그네트론 스퍼터링법을 이용하여 Co농도 변화에 따라 유리 기판 위에 ZnJ-xcoxo 박막을 제조하였다. Co 농도의 증가에 따라 $Zn_{1-x}Co_{x}O$ 박막의 c축 결정 배향성은 향상되었다. 표면 형상 분석을 통하여 매우 치밀한 박막이 성장되었음을 찰 수 있었다. 박막의 UV-visible투과율 측정 결과, $Co^{2+}$ 이온에 의한 sp-d상호교환 작용과 d-d 천이를 확인할 수 있었다. $Zn_{1-x}Co_{x}O$ 박막의 비저항은 $10^{-2}\~10^{-3}\;\Omega{\cdot}cm$의 값을 가지며 Co농도의 증가에 따라 박막의 비저항은 증가하였고, 특히 $30\;at\%$ Co에서는 박막의 결정성 저하로 인하여 급격한 비저항 증가가 발생하였다. X-ray photoelecoon specooscopy분석을 통해 Co와 O 간의 결합 상태를 확인하였으며, alternating gradient magnetometer측정 결과 $Zn_{1-x}Co_{x}O$ 박막의 상온 강자성 치력 현상을 관찰할 수 있었다. 낮은 비저항 및 상온 강자성 이력 특성을 갖는 $Zn_{1-x}Co_{x}O$ 박막은 자성 반도체 소자로의 응용 가능성을 나타내었다 . [ $Zn_{1-x}Co_{x}O$ (x=0-0.3) films were grown on Corning 7059 glasses by asymmetrical bipolar pulsed dc magnetron sputtering. The c-axis orientation along (002) plane was enhanced with increasing Co concentration. The $Zn_{1-x}Co_{x}O$ films are grown with fibrous grains of tight dome shape. The transmittance spectra measured from UV-visible showed that sp-d exchange interactions and typical d-d transitions become activated with increasing Co concentration. The electrical resistivity of $Zn_{1-x}Co_{x}O$ films increased with increasing Co concentration, especially it increased greatly at $30at\% Co. X-ray photoelectron spectroscopy and alternating gradient magnetometer analyses indicated that no Co metal cluster is formed and the ferromagnetic properties are exhibited. The low electrical resistivity and room temperature ferromagnetism of $Zn_{1-x}Co_{x}O$ thin films suggested the possibility of the application to Diluted Magnetic Semiconductors (DMSs).
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감은사지삼층석탑(서탑)에 사용된 석재 공급지에 대한 연구
좌용주(Yong-Joo Jwa),김건기(Kun-Ki Kim),고석배(Seok-Bae Ko),김종선(Jong-Sun Kim) 한국암석학회 2006 암석학회지 Vol.15 No.3
감은사지삼층석탑(국보 제112호)은 구성부재의 훼손으로 인해 빠른 시간에 보수되어야 하는 위기의 석조문화재이다. 이 연구에서는 감은사지삼층석탑(서탑)을 이루고 있는 부재들에 대한 각각의 암석기재적인 특징, 대자율 및 감마스펙트로미터를 측정하여 석탑에 사용된 부재들의 공급지를 추정하였다. 감은사지서탑의 석재는 기재적으로 세립질의 석기에 흑운모 석영, 장석 등의 광물편의 함량이 많은 유리-결정질 응회암 또는 결정 응회암으로 분류된다. 대자율 측정결과, 이들은 10-20(×10-3 SI unit) 정도의 값을 가지며, 감마스펙트로미터 측정결과 K는 3%, eU는 0-8 ppm 그리고 eTh는 9-18 ppm의 함량을 가진다. 이러한 특징은 주변암석들 중에서 감은사지서탑에 사용된 석재의 공급지를 파악하는데 중요한 지시자가 된다. 감은사지 주변에 분포하는 암석 중에서 기재적으로나 화학적으로 감은사지서탑의 석재와 가장 유사한 암석은 와읍분지 내 범곡리 층군에 포함된 데이사이트질 화산암류이다. 이 화산암류는 암석층서적으로 다시 와읍리응회암, 용동리응회암 그리고 범곡리화산암류로 구분된다. 세 암석 중에서 감은사지서탑의 석재와 가장 유사한 암석은 범곡리화산암류의 결정 응회암으로 판단되며 이 석탑의 건축시에 이 결정 응회암이 사용되었을 것으로 생각된다. The west stone pagoda of Gameunsaji temple site (National Treasure No. 112) has been damaged mainly by fracture, exfoliation and granular disintegration. In this study, the source area of the rocks using the west stone pagoda was examined in terms of petrological feature, magnetic susceptibility, and γ-ray spectrometer. The stones include abundant crystal fragments of biotite, quartz and feldspars in the fine-grained matrix; they are petrographically discriminated to vitric-crystal tuff or crystal tuff. Measured magnetic susceptibility values are of from 10 to 20 (×10-3 SI unit). From the γ-ray spectrometer measurement K, eU, and eTh contents of the stones are about 3%, 0 to 8 ppm, and 9 to 18 ppm, respectively. These features are used as indicators to presume the source area of the stones. Comparing the petrographical and chemical characteristics between the stones of the west stone pagoda and the country rocks near the Gameunsaji temple site, it is suggested that the most similar country rock to the stones could be dacitic volcanic rocks of the Beomgokri group in the Waeup basin. The Beomgokri group is lithostratigraphically divided into Waeupri tuff, Yongdongri tuff, and Beomgokri volcanic rocks. Among the three rocks, the crystal tuff of the Beomgokri volcanic rocks seems likely to have been the source rock of the stones of the west stone pagoda.
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