http://chineseinput.net/에서 pinyin(병음)방식으로 중국어를 변환할 수 있습니다.
변환된 중국어를 복사하여 사용하시면 됩니다.
수소 플라즈마 처리된 BZO 박막에 산소 플라즈마의 재처리 조건에 따른 BZO 박막 특성
유하진,손창길,유진혁,박창균,김정식,박상기,강현동,최은하,조광섭,권기청,Yoo, H.J.,Son, C.G,Yoo, J.H.,Park, C.K.,Kim, J.S.,Park, S.G.,Kang, H.D.,Choi, E.H.,Cho, G.S.,Kwon, G.C. 한국진공학회 2010 Applied Science and Convergence Technology Vol.19 No.4
MOCVD (Metal-Organic Chemical Vapor Deposition) 장비를 사용하여 BZO (boron doped zinc oxide, ZnO:B) 박막을 증착하고 수소 플라즈마 처리공정을 진행하였다. 본 연구는 수소 플라즈마 처리된 BZO 박막에 산소 플라즈마 재처리를 진행하여 BZO 박막의 특성 변화를 분석하였다. 그 결과 BZO 박막 성장은 (100), (101), (110)을 확인하였고, 산소 플라즈마 재처리에 의하여 일함수와 표면 저항이 증가하였다. 수소 플라즈마 처리만을 진행한 BZO 박막과 산소 플라즈마 재처리 공정을 진행한 BZO 박막의 300~1,100 nm에서 가중치 투과율은 86%로 변화하지 않았으며, 가중치 산란도는 12%에서 15%로 증가하였다. The influence of $O_2$-plasma treatment on $H_2$ post-treated BZO (ZnO:B) thin film using MOCVD (Metal-Organic Chemical Vapor Deposition) are investigated. An $O_2$-plasma treatment of the $H_2$ post-treated BZO thin films resulted in XRD peak of (100), (101) and (110). Also, electrical properties resulted in an increase in sheet resistance and work function. The weighted optical transmittance and haze at 300~1,100 nm of BZO thin films with $O_2$-plasma treatment on the $H_2$ post-treatment show approximately 86% and 15%, respectively.