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- 저자 : 康勝彦 (검색결과 122 건)
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집속이온빔 장치를 위한 액체갈륨이온원의 빔에너지 분포 및 퍼짐특성
최은하,조광섭,강승언 光云大學校 1993 論文集 Vol.22 No.-
Energy distribution, Energy deficit and its spread of ions emitted from liquid gallium ion source were investigated with a retarding potential analyzer under the source temperature of 670K. It is found that the energy distributions of liquid gallium ion source are shown to be the Maxwellian and its most probable ion energies are shifted toward positive values with respect to beam extraction energies as the total emission current is increased from 7 to 50㎂. However, at the lower emission currents less than 7㎂, it s most probable ion energies are shown to e shifted toward negative values with respect to beam extraction energies. The cluster ??+ion beam is believed to be generated mainly by field ionization mechanism from energy deficit measurements in this experiment. The energy spread of ions are shown to be broadened form 5 to 40 eV as the total emission current is increased from 5 to 50㎂, respectively.
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전기장 방출 전자빔을 위한 초미세 바늘 전극의 제작 및 빔 특성
강승언 광운대학교 기초과학연구소 1997 기초과학연구소논문집 Vol.26 No.-
전기 화학적 식각 방법을 이용하여 전기장 방출 전자빔을 위한 초미세 텅스텐 바늘 전극을 제작하였으며, 전자빔의 전류-전압 특성을 조사하였다. 바늘 전극은 수산화나트륨(NaOH)과 수산화칼륨(KOH) 전해 용액을 사용하여 제작하였으며, 전압의 크기와 용액의 농도 등에 따라 바늘 전극의 테이퍼(taper) 길이가 150 ㎛에서 250 ㎛ 까지 변화하는 결과를 얻었다. 전기장 방출 전자빔의 전류 안정성은 전체 전류에 대하여 4시간의 실험 결과에서 5%이하로 측정되었다. 또한 전기장 방출 전자빔의 특성에서 임계 전압이 ∼300 V로 매우 낮게 측정되었으며, Fowler-Nordheim 곡선을 선형 맞춤법을 이용하여 실험적으로 구한 바늘 전극의 곡률 반경은 약 220 ? 이었으며, 이는 이온 현미경을 사용하여 측정한 바늘 전극의 곡률 반경과 매우 잘 일치함을 보였다. The ultra sharpness tungsten electrode for field emission is manufactured by electro-chemical etching method, and also its beam characteristics are investigated. Electrolyte employed in this research were usually KOH and NaOH, which taper lengths of the tip are varied from 150 ㎛ to 250 ㎛ according to applied voltage and concentration of electrolyte. Electron beam stability were measured within 5% for total emission current during 4 hours operation, where the ignition voltages were about ∼300 V. The tip radius was experimentally found to be 220 ? from linear fitting of Fowler-Nordheim plots, which is in remarkably good agreement with that of image size from scanning ion microscopy.
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강승언 光云大學校 1986 論文集 Vol.15 No.-
Needle type LMIS is constructed and it's characteristics are investigated by field evaporation mechanism in this study. The shape of W ion tip is optimized with blunt at 2 VAC during 30(sec)after electrochemical etching in KOH(640g)+CuSO₄+H₂O(1 liter)solution. Pure Ga and In are loaded in ion tip of which cone half angle is 40。 and redius of 5㎛∼10㎛. Characteristics of Ga and In ions are very similar each other except the phenomena due to mass and melting point. Total ion current and angular intensity are increased with raising extraction voltage. The energy spread is followed by the relation ??(b is 0.64 or 0.40), that is, the △E is increased up to 5∼20 eV with increasing ion current.
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강승언 光云大學校 1987 論文集 Vol.16 No.-
Li+ 이온을 주입시킨 철의 산화 특성에 관하여 연구하였다. Li+ 이온은 철의 산화를 막아주는 좋은 억제제로 알려져 있다. Li+ 이온을 주입한 철의 산화율은 Li+ 이온의 입사에너지가 감소함에 따라 감소하였다. Li+ 이온의 에너지가 7 KeV이고 조사량이 1×10?? 을 초과하였을 때 극적인 산화 억제 현상이 나타났다. 이러한 결과들로부터 철의 산화를 억제하는 것은 안정한 산화막의 형성이나 혹은 Li의 침전이 일어나기 때문으로 추정한다.
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Amorphous 반도체 Ge₄₃-Se의 유전특성에 관한 연구
李善燁,姜泰遠,康勝彦 光云大學校 1978 論文集 Vol.7 No.-
The real parts of the dielectric constant of Amorphous Semiconductor Ge₄₃-Se?? have measured in the temperature range 230-300˚K and in the frequency range 10²-10?? Hz Temperature and frequency dependence of the dielectric constant was studied relative with the polarizability of the amorphous structure of Ge₄₃-Se??. According to the temperature increasing, the temperature dependence of the dielectric constant increased but the frequency dependence decreased.
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MOCVD에 의하여 성장된 Al/Al₂O₃/Si 와 Al/Al₂O₃/InP의 전기적인 수송에 관한 연구
김태환,조광섭,강승언 光云大學校 1991 論文集 Vol.20 No.-
Metalorganic chemical vapor deposition via pyrolysis at low temperature of Al₂O₃from Al(O-C₃H?)₃as well as other possible insulators from metalorganic sources will be investigated with the goal of producing high quality Al₂O₃/Si and Al₂O₃/InP interfaces. Room temperature capacitance-voltage measurements dependent on several frequencies were used to characterize the electrical properties of the structures after metal gate electrodes have been deposited.
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AlχGal- χAs/GaAs(χ=0.3)한개의 양자샘들과 헤테르 구조체들의 슈브니코브-디 하스 측정
김태환,조광섭,강승언 光云大學校 1990 論文集 Vol.19 No.-
진동하는 자기적 저항(슈브니코브-디 하스) 효과가 분자빔을 투사하여 얇은 박막을 만드는 방법에 의하여 성장된 알류미늄 가륨아세나이드/가륨 아세나이드 양자샘과 헤테르 구조체의 2차원적인 전자 가스를 조사하기 위하여 행하여 졌다. 부띠의 전자 반송 밀도의 측정은 컴퓨터에 의하여 자료를 1/B에 선형적으로 디지타이즈하여 빠른 퓨리어 변환에 의하여 분명하게 얻어질 수 있다. 이 시료들에 대하여 이러한 분석들과 역 자기장대 진동 최고점들의 수를 제도한 기울기로부터 얻어진 각각의 작은 띠의 진동주기와 비교가 논의될 것이며, 그리고 진동들의 시작위치와 로그(진폭) 대 1/B의 제도를 사용한 작은 띠의 유동성의 측정이 논의될 것이다.
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강승언,조광섭,김태환 光云大學校 1990 論文集 Vol.19 No.-
액체금속 이온원의 이온형성과 관련하여 field ionization과 field evaporation에 대한 근본적인 이론을 검토한다. 아울러 Cone apex의 형태 및 크기와 가해지는 전압과 관련하여 얻어진 기존의 실험 data를 토대로 이온 형성의 주된 mechanism을 조사한다. 결론적으로 LMIS의 형태인 protrusion model을 가정하여 field evaporation이 전체 전류의 주된 기여를 하지만 동시에 source에 가해지는 충분한 power에 의한 열적으로 기화(evaporation)된 원자들의 field ionization도 중요한 역할을 하는 것으로 보여진다. The theory of the ion formation mechanism such as the field ionization and the field evaporation is reviewed. With the shape and the size of the cone apex which are variable to the applied voltage, the ion formation mechanism is investigated according to the experimental data. The field evaporation is the most dominant effects with the assumption of the protrusion model, and the field ionization from the thermally evaporated atoms by the power applied by the power applied to the source gives also important roles.
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액체금속 이온원에서 추출극의 곡률에 따른 두 전극간 전기장의 이론해
강승언,조광섭 光云大學校 1989 論文集 Vol.18 No.-
액체금속 이온방출에 있어 방출극과 곡률을 갖는 추출극간의 전위 및 전기장의 해를 얻는다. 여기서 얻어진 이론식으로 부터 액체 금속면에서의 전기장의 세기와 각분포를 보여준다. 전기장의 액체표면에서의 각 분포는 추출극이 방출극에 대하여 볼록한 경우가 이온빔의 퍼짐성의 관점에서 유리함을 보여준다. 이때 방출극의 모양의 끝이 뾰족한 수 Å의 크기이며 추출극의 모양은 평면과 곡율이 양인 것과 곡율이 음인 곡면형태를 취하였다. 방출극의 끝을 극좌표계의 원점으로하여 영상전하법에 의하여 얻은 해로부터 1n[r]의 함수형태로 주어지며 따라서 전기장의 세기는 1/r로 주어졌다. 또한 방출극끝의 액체금속막면에서의 전기장의 세기와 각분포를 얻었다. 여기서 얻어진 이론식은 추출극의 모양에 따른 LMIS의 특성을 측정하는데 유용할 것이다. The solution of Laplacian potential between the rod emitter and the plane extractor having a curvature is obtained with the method of image charge. From the solution obtained in the polar coordinate whose origin is the emitter apex, the electric field strength and the angular distribution at the liquid metal surface are shown, on the point of the angular distribution of the electric field strength, we find that the positive curvature�the convecx form of the extractor�is a favorable distribution.
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