RISS 학술연구정보서비스

검색
다국어 입력

http://chineseinput.net/에서 pinyin(병음)방식으로 중국어를 변환할 수 있습니다.

변환된 중국어를 복사하여 사용하시면 됩니다.

예시)
  • 中文 을 입력하시려면 zhongwen을 입력하시고 space를누르시면됩니다.
  • 北京 을 입력하시려면 beijing을 입력하시고 space를 누르시면 됩니다.
닫기
    인기검색어 순위 펼치기

    RISS 인기검색어

      검색결과 좁혀 보기

      선택해제

      오늘 본 자료

      • 오늘 본 자료가 없습니다.
      더보기
      • 무료
      • 기관 내 무료
      • 유료
      • KCI등재

        Correlation between crystallinity and resistive switching behavior of sputtered WO3 thin films

        Thi Bang Tam Dao,Kim Ngoc Pham,Yi-Lung Cheng,김상섭,Bach Thang Phan 한국물리학회 2014 Current Applied Physics Vol.14 No.12

        The as-depositedWO3 thin films were post-annealed at different temperatures (300 C and 600 C) in air to investigate a correlation between crystallinity and switching behavior of WO3 thin films. Associating the results of XRD, FTIR, XPS and FESEM measurements, the annealing-caused crystallinity change contributes to the variation of the switching behaviors of theWO3 thin films. The as-depositedWO3 films with low crystalline structure are preferred for random Ag conducting path, resulting in large switching ratio but fluctuating IeV hysteresis, whereas the annealedWO3 films with crystallized compact structure limits Ag conducting path, favoring the stable IeV hysteresis but small switching ratio. It is therefore concluded that electrochemical redox reaction-controlled resistance switching depends not only on electrode materials (inert and reactive electrodes) but also on crystallinity of host oxide.

      연관 검색어 추천

      이 검색어로 많이 본 자료

      활용도 높은 자료

      해외이동버튼