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- 저자 : Noh Whyo-Sup (검색결과 3 건)
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NiCr 박막의 발열 특성 개선을 위한 순차적 이중 열처리 방법 연구
권용,노효섭,김남훈,최동유,박진성,Kwon, Yong,Noh, Whyo-Sup,Kim, Nam-Hoon,Cho, Dong-You,Park, Jinseong 한국전기전자재료학회 2005 전기전자재료학회논문지 Vol.18 No.8
NiCr thin film was deposited by DC magnetron sputtering on $A;_2O_3$/Si substrate with NiCr (80:20) alloy target. NiCr thin films were annealed at $300^{\circ}C,\;400^{\circ}C,\;500^{\circ}C,\;600^{\circ}C,\;and\;700^{\circ}C$ for 6 hr in $H_2$ after annealing at $500^{\circ}C$ for 6hr in air atmosphere, respectively. To analyze NiCr thin film properties, the changes of its micro structure were Investigated through field emission scanning electron microscope (FESEM). X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) was used to analyze a surface of NiCr thin film. Resistance of NiCr thin film was measured by 4-point probe technique. The generated heats were measured by infrared thermometer through the application of DC voltage (5 V/l2 V). NiCr thin film treated by gradational double annealing process had uniform and small grains. Maximum temperature generated heat by NiCr micro heater was $173^{\circ}C$. We expect that our results will be a useful reference in the realization of NiCr micro heater.
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플라즈마 가스와 RF 파워에 따른 NiO 박막의 우선배향성 및 표면형상 변화
류현욱,최광표,노효섭,박용주,권용,박진성,Ryu Hyun-Wook,Choi Gwang-Ryo,Noh Whyo-Sup,Park Yong-Ju,Kwon Yong,Park Jin-Seong 한국재료학회 2004 한국재료학회지 Vol.14 No.2
Nickel oxide (NiO) thin films were deposited on Si(100) substrates at room temperature by RF magnetron sputtering from a NiO target. The effects of plasma gas and RF power on the crystallographic orientation and surface morphology of the NiO films were investigated. X-ray diffraction (XRD), field emission scanning electron microscopy (FE-SEM) and atomic force microscopy (AFM) were employed to characterize the deposited film. It was found that the type of plasma gases affected the crystallographic orientation, deposition rate, surface morphology, and crystallinity of NiO films. Highly crystalline NiO films with (100) orientation were obtained when it was deposited under Ar atmosphere. On the other hand, (l11)-oriented NiO films with poor crystallinity were deposited in $O_2$. Also, the increase in RF power resulted in not only higher deposition rate, larger grain size, and rougher surface but also higher crystallinity of NiO films.
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RF-magnetron Sputtering법에 의해 제조된 SnO<sub>2</sub> 박막 특성에 대한 열처리 분위기 효과
최광표,박용주,류현욱,노효섭,권용,박진성,Choi, Gwang-Pyo,Park, Yong-Ju,Ryu, Hyun-Wook,Noh, Whyo-Sup,Kwon, Yong,Park, Jin-Seong 한국세라믹학회 2004 한국세라믹학회지 Vol.41 No.1
$SnO_2$ thin films were deposited on a $SiO_2$/Si substrate with the flow of Ar and $O_2$ of 25 sccm by RF-magnetron sputtering method. the post-annealing was conducted at $500^{\circ}C$ in atmosphere of dry air and $N_2$ were changed fairly, while those annealed in dry air resembled as-deposited films. This may be attributed to the desorption of adsorbed oxygen and the extraction of lattice oxygen during annealing. Resistivity of films annealed in $N_2$ was increased over 5 times than that of as-deposited films. It can be explained that the increment of resistivity may result from the discontinuous conduction path with change of microstructures after annealing in $N_2$. RF 마그네트론 스퍼터링법을 이용하여 $SnO_2$ 박막을 증착하여 열처리 분위기에 따른 미세구조 및 표면상태 변화를 살펴보고 그에 따른 전기적 특성의 변화를 고찰하였다. 후속 열처리는 $500^{\circ}C$에서 공기와 질소 분위기하에서 수행되었으며, 미세구조 및 표면상태를 살펴보기 위하여 SEM, AFM과 XPS 측정을 실시하였다. 공기중에서 열처리된 경우에는 증착 초기상태와 유의차가 크지 않은 반면 질소 분위기에서 열처리한 후에는 미세구조와 표면의 화학적 상태의 변화가 크게 발생하였다. 이러한 결과는 상대적으로 낮은 산소 분압하에서 열처리 과정에서 흡착 산소의 탈착 및 격자산호의 유출에 기인하는 것으로 판단된다. 또한, 질소 분위기하에서의 열처리 후에 비저항이 열처리 전에 비하여 5배 이상 증가하였다. 이로부터 전하 전송자인 전자 농도의 증가에 비하여 미세구조의 변화에 따른 불연속적인 전도경로가 더 크게 영향을 미치는 것을 알 수 있다.
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