LED 기생 커패시턴스를 고려한 접합온도 측정 시스템의 개선

박종연,유진완 江原大學校 産業技術硏究所 2009 産業技術硏究 Vol.29 No.B

Recently, we have used LEDs to illumination because it has a high luminous efficiency and prolong lifespan. However the light power and lifetime is reduced by junction temperature increment of LED. So it is important to measure the junction temperature accurately. In case of using a electrical method measuring junction temperature of LED. Temperature measurement errors are spontaneously generated because of a parasitic capacitances in LED. In this paper, we proposed a method that reducing LED's parasitic capacitance effects for electrical measurement. It was demonstrated by the experimental result that is more correct than established method.

ZnS 螢光體의 結晶構造轉移에 따른 Photoluminescence 硏究

朴鍾允,李悳源,洪泰植 성균관대학교 기초과학연구소 1985 論文集 Vol.36 No.1

A comprehensive study of ZnS : [Zn] and ZnS ; [Zn] Cu phosphors has been carried out by examining spectral distribution curves of emission during excitation by ultraviolet (3650 Å). Transition from the cubic form to the hexagonal one in crystal structure of ZnS occured at 1150℃. There were maximum peaks position in luminescence spectra of cubic and hexagonal structure at about 4650 Å and 4500 Å, respectively. By doping Cu as an impurity, maximum peak positions in both case were shifted to the long wavelength. These phenomena seem to be caused by interstitial defect due to impurity.

Nickel 化合物의 EXAFS에 관한 硏究

朴鍾允,李悳源,文昌淳 성균관대학교 기초과학연구소 1985 論文集 Vol.36 No.2

At Sufficiently high photoelectron kinetic energies, typically above 50 ev from the absorption edge, phase shifts are insensitive to chemical environment. Determination of φ_j(k) for an atom pair in a given model system of known distance r_j^m enable the determination of distance r_j^u in an "unknown" system containing the same atom pair. In the paper we are using NiSe as the known system and NiSe_2 as the unknown system. By the chemical transferability of phase shift, the distance between Ni and Se estimated 2.38 Å in Nise_2.

이온 펌프의 제작과 특성에 관한 연구

박종윤,이순보,부진효,신익조 성균관대학교 기초과학연구소 1990 論文集 Vol.41 No.1

By using theoretical model suggested by H. Hartwig et al., performance of sputter ion pump (SIP) was calculated and a SIP was constructed. Measurement of pumping speed of the SIP has been performed with the differential pumping method. The pumping speed for N_2 gas is 48 l/s, and for Ar gas is 20 l/s. These results agree with the theoreticaly expected values.

K이 흡착된 Si(111)7×7표면에 대한 RHEED 연구

박종윤,이순보,이경원,안기석,신익조,강건아 성균관대학교 1990 論文集 Vol.41 No.2

상온 및 200℃∼600℃의 Si(111) 7×7 표면에 칼륨(K)을 증착하였을 때의 표면격자구조 변화를 RHEED로 관측하였다. K 증착시 Si(111)7×7 기판의 온도가 상온인 경우, 어느 일정한 증착시간(포화덮임률에 도달했다고 추정되는 증착시간)이 지난 후에는 원래의 깨끗한 Si(111)7×7 패턴과 유사한 Si(111) 7×7-K 패턴이 관측되었고, 증착시간을 증가시켜도 RHEED 패턴은 변화하지 않았다. 이것을 annealing하면 350℃까지는 RHEED 패턴에 변화가 없다가 그 이상의 온도가 되면 서서히 원래의 7×7 패턴으로 되돌아가기 시작한다. Si(111) 7×7기판의 온도를 200℃∼600℃로 유지하면서 K을 일정시간(450℃에서 3×1이 형성되는 증착시간)이상 증착시킨 경우에 250℃까지는 상온의 경우와 비슷한 형태의 변형된 7×7 패턴이 관측되고, 300℃∼550℃일때는 3×1, 550℃ 이상에서는 1×1 구조가 관측되었다. 이때 300℃∼550℃에서 형성된 Si(111) 3×1-K 구조는 450℃에서 1분 정도 annealing 하면 항상 Si(111) 1×1-K 구조로 상전이가 일어남을 관측하였다. Potassium adsorbed surface structures of Si(111) 7×7 surface at room and high temperatures(200℃∼600℃) were investigated by RHEED. Potassium adsorption on the Si(111) 7×7 surface to saturated coverage at room temperature changed the RHEED pattern of Si(111) 7×7 to Si(111) 7×7-K. Subsequent heating of the Si(111) 7×7-K surface above 350℃ results in a Si(111) 7×7 with desorbing K. The RHEED pattern of the K-adsorbed on the Si(111) 7×7 surface up to the adsorption temperature of 250℃ was the modified 7×7 pattern, quite similar to that of the Si(111) 7×7-K, observed at room temperature. The 3×1 structure was observed in the temperature of adsorption between 300℃ and 550℃. Regardless of the adsorption temperature, a phase transition always took place from the Si(111) 3×1-K structure to Si(111) 1×1-K after annealing at 450℃ over 1 minute.

Cs이 흡착된 Si(111)7×7표면에 대한 RHEED연구

박종윤,이순보,이경원,안기석,강건아 성균관대학교 1991 論文集 Vol.42 No.1

Cesium-adsorbed surface structures on Si(111)7×7 were investigated at room and high temperatures(200∼700℃) by RHEED. The RHEED patterns of Si(111) 7×7 was changed to the modified 7×7 and the 1×1 patterns with increasing the deposition times of Cs at RT. It was observed that the structure of the Cs-adsorbed Si (111) 7×7 surface at saturation coverage is the 1×1 structure at RT. The ◁그림삽입▷(원문을 참조하세요) 1 and 1×1 structures appeared successively at the adsorption temperature of 300℃, 350∼400℃ and 450℃, respectively. After subsequent heating of 1×1 surface above 550℃ and of ◁그림삽입▷(원문을 참조하세요) surface above 600℃, each RHEED pattern gradually returned to the original Si(111)7×7 pattern. 상온 및 200∼700℃의 Si(111)7×7 표면에 Cs(Cesium)을 증착하였을 때 표면격자구조의 변화를 RHEED로 관측하였다. Cs 증착시 Si(111)7×7 기판의 온도가 상온인 경우, 포화 덮임률에 도달했다고 추정되는 일정 증착시간 전에는 원래의 깨끗한 Si(111)7×7 패턴과 거의 유사한 변형된(modified) Si(111)7×7-Cs 패턴이 관측되었다. 그후 포화 덮임률에서는 1×1패턴이 관측되고 증착량을 증가시켜도 패턴의 변화는 관측되지 않았다. 이 구조를 다시 annealing시키면 약 550℃부터 서서히 원래의 7×7구조로 되돌아가기 시작한다. Si(111)7×7기판의 온도를 220∼700℃로 유지하면서 Cs을 증착시킨 경우에 약 250℃까지는 상온에서와 비슷한 변형된(modified) 7×7이 관측되고 약 300℃에서는 ◁그림삽입▷(원문을 참조하세요) 350∼400℃ 정도에서는 ◁그림삽입▷(원문을 참조하세요)과 3×1이 겹쳐셔 관측되었다. 그리고 450℃ 이상에서는 1×1구조가 관측되었다. 이때 약 300℃에서 형성된 ◁그림삽입▷(원문을 참조하세요) 350℃에서 형성된 ◁그림삽입▷(원문을 참조하세요) 3+3×1 구조는 약 500℃ 정도까지 다시 annealing함에 따라 다리 1×1구조로 상전이가 일어난후, 약 600℃부터 원래의 7×7의 초격자점들이 나타나기 시작했다. 이들 결과로부터 Si(111)7×7 표면에 Cs을 증착하는 경우에는 일정한 포화 덮임률(saturation coverage)이 있는 것으로 추정되고, 이 덮임률에서 관측된 고온에서의 상전이는 증착량(증착시간)에는 무관하고 온도에만 의존함을 알 수 있었다. 또한 1×1 구조와 ◁그림삽입▷(원문을 참조하세요) 구조에 대하여 Cs의 탈착은 각각 약 550℃와 600℃에서 일어나기 시작하여 700℃에서 완전히 탈착됨을 알 수 있었다.

고출력 LED의 접합온도 측정회로 설계 및 구현

박종연,유진완 江原大學校 産業技術硏究所 2010 産業技術硏究 Vol.30 No.A

Recently, the LED lighting is widely used to illumination purpose due to its high luminous efficiency and the long life time. However, the light power and lifetime is reduced by junction temperature increment of LED. So it is important to measure the junction temperature accurately. In this paper, we proposed a new design and implementation method of high power LED junction temperature measurement circuit. The proposed circuit has two current sources which are a driving current source and a measurement is verified by experiment, and the result shows that the proposed circuit is appropriate to practical use.

Mo-실리사이드 형성 메카니즘에 관한 연구 : Ⅱ. 表面 Morphology와 電氣的 特性 Ⅱ. Surface Morphologies and Electrical Properties

박종윤,한전건,이상균,김기선 성균관대학교 기초과학연구소 1992 論文集 Vol.43 No.2

Mo-disilicide 박막은 n-Si(100) 기판위에 전자선 증착과 이어지는 진공 또는 질소 분위기에서 급속 열처리(RTA : Rapid Thermal Annealing) 장치에 의한 열적 확산(thermal diffusion)법에 의해서 만들어졌다. 이들 박막의 화학적 조성과 morphology는 XRD, AED(ADP), TEM, NOM에 의해서 분리되어졌다. Mo/Si계의 안정된 최종상은 tetragonal-MoSi₂였고, 표면 morphology와 grain size는 상호 의존하며 열처리 온도에 따하서 크기가 증가되었다. 상온에서 증착한 박막에서는 계면에서 얇은 SiO_2 층이 보였고 이 층의 존재로 Si의 확산이 억제됨을 확인하였으며, 기판온도를 400℃로 유지하며 pre-annealing을 120분 동안 부여한 시료에서는 Mo-silicide가 columnar 구조로 성장됨이 보였다. 그리고, 전기적 특성은 sheet 저항과 Schotty 장벽높이가 조사되었는데, 열처리 온도 증가에 따라 감소하는 sheet저항은 grain size에 의존하며, 최저치는 700℃에서 1분 동안 열처리 한 시료의 값인 2.1Ω/□으로 열처리 온도 증가에 대해 더 이상 변화하지 않는 최종적인 값이다. 그러나 Schotty barrier height는 0.56eV로 열처리 온도, 분위기에 따라 변화하지 않으며 hexagonal-과 tetragonal-MoSi₂둘 모두에서 같았다. Molybdenum disilicide films have been prepared onto n-Si(100) substrates with electron-beam deposition and sequently post-annealing by rapid thermal annealing in the ambient of N₂ or vacuum. The chemical compositions and morphology of films were analyzed by XRD, ADP, TEM, and NOM methods. We confirm that the stable phase of Mo/Si system is tetragonal-MoSi₂ phase, and the surface morphology and grain size were depended upon the annealing temperature. There are SiO₂ layers at the interface of MoSi₂ film evaporated at room temperature and the thermal diffusion of Si was interrupted by the layers. However, the thin films with the substrate temperature of 400℃ have growned to the MoSi₂ with columnar structure. We measured the electrical properties, the sheet resistance and Schottky barrier height, of MoSi₂ thin films. The sheet resistance was depended upon the grain size and the smallest value was 2.1Ω/□ at room temperature after annealing at 700℃ for 1 min. The Schottky barrier height was independed upon the annealing temperature and ambient, and was about 0.56eV for hexagonal- and tetragonal-MoSi₂.

동물의 장에서 분리한 Enterococcus sp.의 특성 및 분말화

박종진,변정수,조윤경,홍승서,이현수 한국미생물생명공학회 ( 구 한국산업미생물학회 ) 1996 한국미생물·생명공학회지 Vol.24 No.4

의약품 및 동물약품으로 사용되고 있는 분말유산균을 개발하고자 동물의 장에서 산성 pH 및 담즙산에 대한 내성이 강하고 대장균 생육억제력이 좋은 Enterococcus faecium L20을 분리 동정하고 이를 이용하여 고농도의 생균이 함유된 분말 유산균을 제조하였다. 분리된 균주는 pH 3.0에서 90% 이상의 내성과 0.3% 담즙산이 함유된 배지에서 100%의 내성을 나타냈으며 MRS 배지에서 대장균과 혼합배양시 24시간 이내에 대장균을 사멸시켰다. 분리된 균주를 산업용배지에서 배양한 후 동결건조시켜 분말을 만들었을 때 생균수는 5.0×0^11/g 이상이었다. 이것은 18℃에 보관하였을 경우 11개월 동안 80%의 생존율을 나타내었다. In order to develop a lactic acid bacterial powder which can be used as a probiotic for human and animal, a lactic acid bacteria which has high resistance against low pH and ox-gall, and shows a good growth inhibition against low pH and ox-gall, and shows a good growth inhibition against E. coli, was isolated from an animal intestine and characterized. The isolated strain was identified as Enterococcus faecium. It had more than 90% of survival at low pH for 2 hours and almost 100% of survival in the presence of 0.3% ox-gall. When co-cultured with E. coli in MRS broth, all of the E. coli cells were killed within 24 hours. The final powdered product of the isolated strain was manufactured after a freeze drying process suing an industrial media, and then checked its stability. Its storage stability was 80% for 11 months at 18℃.

전력선 통신용 라인 커플러의 개발

박종연,주병훈 강원대학교 정보통신연구소 2001 정보통신논문지 Vol.5 No.-

We studied two kinds of the line coupler circuits to fit with the power line communication. The first circuit was the BPF(Band Pass Filter) which was composed of passive elements and notch characteristics, its bandwidth is larger than existing simple circuits. The second circuit is composed of the active tuning circuit and the passive LC-network, its frequency response is better than the existing circuits at the point of the noise filtering overside bands.