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- 저자 : 배진혁 ( Jin Hyuk Bae ) (검색결과 4 건)
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고유전율 절연체를 활용한 저 전압 유연 유기물 박막 트랜지스터
김재현 ( Jae Hyun Kim ),배진혁 ( Jin Hyuk Bae ),이인호 ( In Ho Lee ),김민회 ( Min Hoi Kim ) 한국센서학회 2015 센서학회지 Vol.24 No.3
We demonstrated low-voltage organic thin-film transistors (OTFTs) with bilayer insulators, high-k polymer and low temperature crosslinkable polymer, on a flexible plastic substrate. Poly (vinylidene fluoridetrifluoroethylene) (P(VDF-TrFE)) and poly (2-vinylnaphthalene) are used for high-k polymer gate insulator and low temperature crosslinkable polymer insulators, respectively. The mobility of flexible OTFTs is 0.17 cm(2)/Vs at gate voltages -5 V after bending operation.
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강유전체 박막 형성방법에 따른 용액 공정 기반 강유전체 전계 효과 트랜지스터의 전기적 특성 의존성
김우영(Woo Young Kim),배진혁(Jin-Hyuk Bae) 대한전자공학회 2013 전자공학회논문지 Vol.50 No.7
용액 공정 기반으로 유기 전자소자를 제작할 시, 회전 도포 방법을 이용하는데 이 방법의 단점 중의 하나는 후속 회전 도포할 때 용액 속의 용매에 의해 이미 제작된 유기 박막을 물리적 또는 화학적인 손상을 입힐 수 있다는 것이다. 이러한 문제들로 인해 후속적인 박막 제조에 사용될 수 있는 용매의 종류는 매우 제한적일 수 밖에 없다. 본 논문에서는 기존에 알려진 용매들의 적절한 조합으로 인해 다층 박막 제작이 가능함을 보이고, 이를 이용하여 용액 공정 기반 유기 트랜지스터를 제작하여 성능의 향상을 보일 것이다. 트랜지스터의 구조는 하부 게이트 하부 접촉 (bottom gate, bottom contact) 구조로 제작되었고 게이트 절연체는 강유전체 고분자로 제작되었는데 한 번의 회전 도포 방법과 두 번의 회전 도포 방법으로 동일 두께를 형성하여 두 트랜지스터를 제작, 드레인 전압에 따른 소스-드레인 전류를 비교하였다. 그 결과 소스-게이트 누설 전류 감소 효과가 있었고, ON 상태에서의 소스-드레인 전류의 상승효과도 관찰되었다. 전류-전압 그래프로부터 계산된 이동도는 약 2.7배 증가되었다. 그러므로 용액 공정 기반 전계효과 트랜지스터를 제작할 시, 게이트 절연체를 다층 구조로 제작하면 성능 향상에 이점이 많다는 것을 알 수 있었다. In manufacturing of solution-processed organic electronic devices, a spin coating method is frequently used, but which has a big problem. Solvent in a solution has a decisive effect such as physical and chemical damage for successive solution-based film deposition. Such a severe damage by solvent restricts for fabricating building blocks of multi-layered films from solutions. In this work, it will be shown that a proper combination of well-known solvents gives a chance to fabricate multi-layered film, also this new method was applied to make organic field effect transistor. Two types of bottom gate, bottom contact transistors were fabricated, one of which is fabricated by conventional single spin coating method, the other fabricated by double spin coating method. Compared with the electrical characteristics in a single spin coated transistor, the leakage current between source and gate electrode was decreased, ON state current was increased, and the extracted saturation mobility was multiplied more than 2.7 time for double spin coated transistors. It is suggested that the multiple coated gate dielectric structure is more desirable for high performance organic ferroelectric field effect transistors.
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대면적 저누설 커패시터를 위한 최적화 블레이드 코팅 기반 고분자 유전체 프린팅
서경호 ( Kyeong-ho Seo ),배진혁 ( Jin-hyuk Bae ) 한국센서학회 2021 센서학회지 Vol.30 No.1
We demonstrated a polymer dielectric with low leakage characteristics through an optimal blade coating method for low-cost and large-scale fabrication of metal-insulator-metal (MIM) capacitors. Cross-linked poly(4-vinylphenol) (C-PVP), which is a typically used polymer dielectric, was coated on a 10 × 10 cm indium-tin-oxide (ITO) deposited glass substrate by changing the deposition temperature (T<sub>D</sub>) and coating velocity (V<sub>C</sub>) in the blade coating. During the blade coating, the thickness of the thin c-PVP varied depending on T<sub>D</sub> and V<sub>C</sub> owing to the ‘Landau-Levich (LL) regime’. The c-PVP-dielectric-based MIM capacitor fabricated in this study showed the lowest leakage current characteristics (10<sup>-6</sup> A/cm<sup>2</sup> at 1.2MV/cm<sup>2</sup>, annealing at 200 °C) and uniform electrical characteristics when TD was 30 °C and V<sub>C</sub> was 5mm/s. In addition, at T<sub>D</sub> = 30 °C, stable leakage characteristics were confirmed when a different electric field was applied. These results are expected to positively contribute to applications with next-generation electronic devices.
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