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김상기,유재건,김성규,Kim,,S.K.,Yoo,,J.G.,Kim,,S.K. 한국전자통신연구원 1994 전자통신동향분석 Vol.9 No.4
통신의 개인화 실현에 가장 중요하고도 기본적인 요구 조건은 통신 주체의 이동성을 확보하는 것이다. 이러한 이동성은 단말의 이동성과 개인의 이동성이라는 두가지 서로 다른 성격의 이동성이 모두 보장될 때 완전하게 된다. 차세대 개인 통신에 대한 연구는 ITU-T/R의 UPT와 FPLMTS에 의하여 대표된다. UPT는 이용자에게 개인의 이동성을 제공해 주는 서비스인데 비하여, FPLMTS는 무선 단말의 이동성을 제공하는 시스템이다. 이들은 모두 차세대 개인 통신의 기본적인 기능인 이동성을 제공하지만 서로 독립적이며, 상호 보완적인 개념들이다. 본 고에서는 차세대 개인 통신에 대한 개념과 연구 동향을 분석, 소개하였다. 특히 ITU-T/R에서 표준화 노력을 경주하고 있는 UPT, FPLMTS를 단말의 이동성과 개인의 이동성 측면에서 소개하고 그들간의 상호 관계를 분석하였다.
전기도금법을 이용하여 형성한 Au-Sn 플립칩 접속부의 미세구조 및 접속저항
김성규,오태성,Kim,,S.K.,Oh,,T.S. 한국마이크로전자및패키징학회 2008 마이크로전자 및 패키징학회지 Vol.15 No.4
Au와 Sn을 순차적으로 도금한 Au/Sn 범프를 플립칩 본딩하여 Au-Sn 솔더 접속부를 형성 후, 미세구조와 접속저항을 분석하였다. $285^{\circ}C$에서 30초간 플립칩 본딩한 Au-Sn 솔더 접속부는 $Au_5Sn$+AuSn lamellar 구조로 이루어져 있으며, 이 시편을 $310^{\circ}C$에서 3분간 유지하여 2차 리플로우시 $Au_5Sn$+AuSn interlamellar spacing이 증가하였다. $285^{\circ}C$에서 30초간 플립칩 본딩한 Au-Sn 접속부는 15.6 $m{\Omega}$/bump의 평균 접속저항을 나타내었으며, 이 시편을 다시 $310^{\circ}C$에서 3분간 유지하여 2차 리플로우 한 Au-Sn 접속부는 15.0 $m{\Omega}$/bump의 평균 접속저항을 나타내었다. Microstructure and contact resistance of the Au-Sn solder joints were characterized after flip-chip bonding of the Au/Sn bumps processed by successive electrodeposition of Au and Sn. Microstructure of the Au-Sn solder joints, formed by flip-chip bonding at $285^{\circ}C$ for 30 sec, was composed of the $Au_5Sn$+AuSn lamellar structure. The interlamellar spacing of the $Au_5Sn$+AuSn structure increased by reflowing at $310^{\circ}C$ for 3 min after flip-chip bonding. While the Au-Sn solder joints formed by flip-chip bonding at $285^{\circ}C$ for 30 sec exhibited an average contact resistance of 15.6 $m{\Omega}$/bump, the Au-Sn solder joints reflowed at $310^{\circ}C$ for 3 min after flip-chip bonding possessed an average contact resistance of 15.0 $m{\Omega}$/bump.