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한재원,김상훈,한영기,최무용 성균관대학교 기초과학연구소 1994 論文集 Vol.45 No.1
CeO_2 single target을 사용하여 on-axis rf magnetron 스퍼터링 방법으로 Si(100) 단결정기판 위에 CeO_2 유전체 박막을 성장시킬 때 기판온도, 산소 부분압력, rf input power, 두께 등의 성장변수들이 박막 성장에 미치는 영향을 조사하여 (ℓ00) 방향 in-situ 성장의 적정조건을 찾는 연구를 하였다. 각기 다른 조건에서 제조된 박막의 X-ray 회절 방법에 의한 구조 분석과 SEM(Scanning Electron Microscopy)에 의한 표면의 미세 구조 분석을 통하여 그 특성을 조사한 결과 기판 온도, 산소 부분압력, rf input power 세기, 박막의 두께가 박막 성장에 결정적인 영향을 미치는 중요 성장 변수임을 확인하였다. CeO_2 박막은 target과 기판사이 거리 50㎜, 총압력 30mTorr일 때 기판 온도 800℃, 산소 부분압력 3 mTon, power 90 W(이때 성장속도 0.83Å/s), 성장시간 2시간(이때 두께 500Å)일 때(ℓ00) 방향으로 잘 성장되는 것을 발견하였다. We have studied systematically the optimum condition for in-situ perparation of CeO_2 thin film on Si(100 substrate by single-target rf-magnetron sputtering method. We examined effects of the substrate temperature, oxygen partial pressure, rf input power, and thickness by studying X-ray diffraction patterns and photographs of scanning electron microscopy of the grown films. We found that all of these parameters influence decisively on the struture of the grown films. We also found that the CeO_2 thin film grows well at∼800℃ of the substrate temperature, 3 mTorr of the oxygen partial pressure, 90 W of the rf input power(corresponding to 0.83Å/s of the deposition rate), and 5000 Å of the thickness for the total sputtering gas of 30 mTorr and the sputtering target of 2 inch diameter used.