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AlxGa₁-xAs / AlAs / GaAs계로 이루어진 비대칭 이중 양자우물 구조에서의 광 Luminescence 특성 연구
정태형(Taehyoung Zyung),강태종(Tai-Jong Kang),이종태(Seon-Kyu Han),한선규(Jong-Tai Lee),유병수(Byueng-Su Yoo),이해권(Hae-Kwon Lee),이정희(Jung-Hee Lee),이민영(Min-Yung Lee),김동호(Dong-Ho Kim),임영안(Young-Ahn Leem),우종천(Jong-Chun 한국광학회 1992 한국광학회지 Vol.3 No.3
AlxGa_(1-x)As/AlAs/GaAs계로 이루어진 비대칭 이중 양자우물 구조의 광학적 특성을 photoluminescence, photoluminescence excitation, time-resolved photoluminescence를 통하여 조사하였다. 양자장벽 AlAs의 두께에 따른 특성 변화를 조사하기 위하여 두께를 15Å, 150Å로 제작하였다. 양자장벽이 15Å인 경우 매우 빠른 전자의 관통 현상을 보여 주었으며, 이로 인해 AlxGa_(1-x)As의 여기자 재결합에 해당하는 피크가 관찰되지 않았다. AlAs 양자장벽이 150Å인 경우에는 AlxGa_(1-x)As 양자우물에서 여기자 재결합에 의한 피크가 50 ㎰ 이하로 빠른 decay 시간을 보여 주었으며 이것은 양자장벽과의 Γ-X전이에 의한 것으로 사료되었다. GaAs 양자우물에서의 luminescence decay는 두 시료 모두 1 ㎱정도 이었으나, 15Å인 경우에는 약 100 ㎰의 rise 시간이 존재하였으며 이것은 정공의 관통에 의한 시간으로 판명되었다. Luminescence properties of asymmetric double quantum well structure composed of AlxGa_(1-x)As/AlAs/GaAs have been studied by steady state and time-resolved photoluminescence and phtoluminescence excitation spectroscopy at low temperature. Two quantum well samples with different barrier thickness (15Å and 15Å) were prepared to investigate the dependence of tunneling characteristics on barrier thickness. The abscence of excitonic recombination peak from AlxGa_(1-x)As wen for the 15Å barrier sample indicates a very fast electron tunneling to GaAs well. Meanwhile, Γ-X transition between wen and barrier is supposed to be a major route for the fast decay of luminescence from AlxGa_(1-x)As wen in the 150Å barrier sample. Time-resolved photoluminescence from GaAs wen of 15Å sample shows the exsitence of the rise with 100 ps which is attributed to the hole tunneling.
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