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조다애(Da Ae Jo),송광섭(Kwang Soup Song) 대한전자공학회 2021 전자공학회논문지 Vol.58 No.10
Polyethylene terephthalate(PET) 기판에 전사된 그래핀 표면에 이온 용액속에서 동작하는 전계 효과 트랜지스터(graphene solution-gated field-effect transistor; G-SGFET)를 제작하였으며 이를 이용하여 배양된 세포 수를 개수하였다. 배양된 세포수를 개수하기 위하여 G-SGFET 게이트 채널 표면에 세포를 도포하고 온도 37℃, 5% CO₂ 조건의 인큐베이터 안에서 G-SGFET의 게이트 채널 표면에 세포 부착을 유도하였다. 세포 부착 여부에 따른 전류-전압 특성 변화를 관찰하기 위해 세포 부착 후 G-SGFET의 게이트-소스 전압(VGS)에 따른 드레인-소스 전류(IDS) 특성과 게이트 채널 표면에 세포 부착 전 IDS-VGS 특성과 비교하였다. 게이트 채널 표면에 세포 부착에 따라 G-SGFET의 Dirac point 전압(VDirac)은 부착 되는 세포 수에 따라 0.29 mV/cell 씩 왼쪽으로 이동하였다. We fabricated solution-gated field-effect transistor on the graphene sheet (G-SGFET) transferred on the polyethylene terephthalate (PET) substrate to detect cell count in electrolyte solution. The cells were dropped on the gate channel surface of G-SGFET, and cell adhesion was induced in an incubator at 37℃ and 5% CO₂ condition. In order to observe the change in current-voltage characteristics according to cell adhesion, the drain-source current (IDS) and gate-source voltage (VGS) of the G-SGFET was measured and compared with the characteristics before cell adhesion to the gate channel surface. The Dirac point voltage (VDirac) of G-SGFET shifted to the left direction (0.29 mV/cell) due to cell adhesion on the gate channel surface.
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