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홍치유(Chi Yhou Hong),강태원(Tae Won Kang),정천기(Cheon Kee Chung) 한국진공학회(ASCT) 1992 Applied Science and Convergence Technology Vol.1 No.1
반응성 RF 스파타 증착법으로 스테인레스 스틸 기판 위에 TiC 박막과 TiN 박막을 증착하였다. 스파타기체로 Ar를, 반응기체로 C₂H₂와 N₂ 기체를 사용하였다. 박막의 증착율은 RF 출력증가에 따라 선형적으로 증가하였으며 스파타기체에 대한 반응 기체의 분압비 증가에 따라 급격하게 감소하였다. 박막의 성분은 TiC 박막의 경우 분압비 0.03에서, TiN 박막의 경우 분압비 0.05에서 stoichiometric한 성분이 된다. 이 TiC, TiN 박막의 morphology와 미세구조 및 계면을 AES, SEM, 그리고 TEM으로 조사하였다. 또한 N^+ 이온을 주입하여 N^+ 이온 주입효과와 열처리 효과도 조사하였다. TiC and TiN layers were deposited on the stainless steel substrate by the reactive RF sputtering. Ar was used for sputtering gas and C₂H₂ and N₂ were used for reaction gas. Deposition rate increased linearly to the applied RF power, and decreased as the partial pressure ratio of sputter gas to reactive gas increased. The thin layers were stoichiometric at the partial pressure ratio of 0.03 for TiC and at partial pressure ratio of 0.05 for TiN. The morphologies and structures of the thin layers were investigated by AES, SEM and TEM. In addition, N^+ ion was implanted to TiC and the resulting influence on the film and annealing effects were also examined.