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      • KCI등재

        UV 임프린트 공정을 이용한 평판형 광도파로 기반의 집적형 분광 모듈 제작

        오승훈,정명영,김환기,최현용,Oh, Seung hun,Jeong, Myung yung,Kim, Hwan gi,Choi, Hyun young 한국마이크로전자및패키징학회 2015 마이크로전자 및 패키징학회지 Vol.22 No.3

        본 논문에서는 저가로 쉽게 제작할 수 있는 구조를 지닌 단일칩 형태의 고분자 기반 평판형 분광모듈을 제안하였다. 제안된 분광모듈은 UV 임프린트 기법에 의해 제작되어진 비등간격 나노회절격자와 오목거울이 포함된 평판형 광도파로로 구성되어진다. 회절효율을 향상시키기 위해 나노회절격자의 구조는 $25^{\circ}$의 블레이징 각도와 100nm의 선폭을 가지도록 설계, 제작되었다. 평판형 분광모듈은 700 nm 대역폭과 10 nm 분해능을 가짐을 확인하였다. 이러한 집적형 고분자 분광모듈은 다양한 센서 시스템에 적용될 수 있을 것으로 기대된다. This paper presents integrated polymeric spectrometer module which offers compact size, easily-fabricated structure and low cost. The proposed spectrometer module includes the nano diffraction grating with non-uniform pitch and planar optical waveguide with concave mirror to be fabricated by UV imprint lithography. To increase the reflection efficiency, we designed the nano diffraction grating with triangular profiles. The polymeric planar spectrometer includes a spectral bandwidth of 700 nm, resolution of 10 nm and precision below 5 nm. This polymeric planar spectrometer is well-suited for sensor system.

      • SCOPUSKCI등재
      • KCI등재

        LED용 사파이어 기판의 고효율 패턴 설계

        강호주,송희영,정명영,Kang, Ho-Ju,Song, Hui-Young,Jeong, Myung-Yung 한국마이크로전자및패키징학회 2011 마이크로전자 및 패키징학회지 Vol.18 No.4

        GaN 기반의 LED에서 광 추출 효율을 정량적으로 분석하였다. Ray-Tracing기반의 시뮬레이션을 이용하여 사파이어 기판에 형성된 패턴의 형태, 크기, 깊이, 간격들을 분석하여 최적의 패턴 요소들을 도출하였다. 시뮬레이션의 결과로 최적의 패턴 형태는 반구 형태에서 높은 광 추출 효율을 보였다. 일반적인 패턴이 없는 사파이어 기판을 사용한 LED의 광 추출 효율보다 반구 형태의 패턴을 가진 사파이어 기판에서 약 40% 향상된 광 추출 효율을 보였다. The light extraction efficiency in GaN based LED was analyzed qualitatively. The extraction efficiency was simulated with patterned shape, depth, size and spacing by using ray-tracing simulation. In simulation result, patterned shape and depth for the optimized extraction efficiency in PSS LED were in indented Hemi-sphere solid. Through the optimal patterning of the various factors, about 40% enhancement in extraction efficiency was obtained.

      • KCI등재

        IMC의 영향에 따른 Flip-Chip Bump Layer의 열변형 해석

        이태경,김동민,전호인,허석환,정명영,Lee, Tae Kyoung,Kim, Dong Min,Jun, Ho In,Huh, Seok-Hwan,Jeong, Myung Young 한국마이크로전자및패키징학회 2012 마이크로전자 및 패키징학회지 Vol.19 No.3

        최근 전자 제품의 소형화, 박형화 및 집적화에 따라 칩과 기판을 연결하는 범프의 미세화가 요구되고 있다. 그러나 범프의 미세화는 직경 감소와 UBM의 단면적 감소로 인하여 전류 밀도를 증가시켜 전기적 단락을 야기할 수 있다. 특히 범프에서 형성되는 금속간화합물과 KV의 형성은 전기적 및 기계적 특성에 큰 영향을 줄 수 있다. 따라서 본 논문에서는 유한요소해석을 이용하여 플립칩 범프의 열변형을 분석하였다. 우선 TCT의 온도조건을 통하여 플립칩 패키지의 열변형 특성을 분석한 결과, 범프의 열 변형이 시스템의 구동에 큰 영향을 미칠 수 있음을 확인하였다. 그리고 범프의 열변형 특성에 큰 영향을 미칠 것을 생각되는 IMC층의 두께와 범프의 직경을 변수로 선정하여 온도변화, 열응력 및 열변형에 대한 해석을 수행하였으며, 이를 통하여 IMC층이 범프에 영향을 미치는 원인에 대한 분석을 수행하였다. Recently, by the trends of electronic package to be smaller, thinner and more integrative, fine bump is required. but It can result in the electrical short by reduced cross-section of UBM and diameter of bump. Especially, the formation of IMCs and KV can have a significant affects about electrical and mechanical properties. In this paper, we analyzed the thermal deformation of flip-chip bump by using FEM. Through Thermal Cycling Test (TCT) of flip-chip package, We analyzed the properties of the thermal deformation. and We confirmed that the thermal deformation of the bump can have a significant impact on the driving system. So we selected IMCs thickness and bump diameter as variable which is expected to have implications for characteristics of thermal deformation. and we performed analysis of temperature, thermal stress and thermal deformation. Then we investigated the cause of the IMC's effects.

      • KCI우수등재

        실리카 도파로(Silica Waveguide) 제작을 위한 Inductively Coupled Plasma에 의한 산화막 식각특성 연구

        박상호(Sang-Ho Park),권광호(Kwang-Ho Kwon),정명영(Myung-Young Jeong),최태구(Tae-Goo Choi) 한국진공학회(ASCT) 1997 Applied Science and Convergence Technology Vol.6 No.3

        본 실험은 고밀도 플라즈마원인 inductively coupled plasma(ICP)를 이용하여 실리카 도파로의 코아를 형성하고자 하였다. CF₄/CHF₃ 유량비, bias power 및 source power 등의 변화에 따른 산화막의 식각 특성 즉식각 속도, 식각 단면 및 식각된 표면의 거칠기 등의 변화를 검토하였다. 또한 single Langmuir probe 및 optical emission spectroscopy(OES)를 이용하여, 식각 변수에 따른 ICP의 플라즈마 특성을 관찰하였다. 이상의 결과를 토대로, SiO₂-P₂O_5로 구성된 실리카 도파로의 코아(core)층을 형성하였고, 이때 최적화된 식각 조건에서 식각 속도는 380 ㎚/min이고, 마스크 층으로 사용된 Al(Si 1%)와 산화막과의 식각 선택비는 30:1 이상이였다. 형성된 실리카 도파로를 scanning electron microscopy(SEM)으로 관찰한 결과, 코아층의 식각 단면이 수직하고 패턴 선폭의 손실이 거의 없음을 확인하였다. This study was tried to form the silica waveguide using high density plasma. Plasma characteristics have been investigated as a function of etch parameters using a single Langmuir probe and optical emission spectroscopy(OES). As etch parameters, CF₄/CHF₃ ratio, bias power, and source power were chosen as main variables. The oxide etch characteristics of inductively coupled plasma(ICP) dry etcher such as the etch rate, etch profile, and surface roughness were investigated as a function of etch parameters. On the basis of these results, the core pattern of the wave guide composed of SiO₂-P₂O_5 was formed. It was confirmed that the etch rate of SiO₂-P₂O_5 core layer was 380 ㎚/min and the aluminum selectivity to oxide, that is, mask layer was approximately 30:1. The SEM images showed vertical etched profiles and minimal loss of pattern width.

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