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교차 박막 소자의 게이트-소오스 중첩 영역이 균일성에 미치는 영향
정금동(Keum-Dong Jung),김유철(Yoo Chul Kim),김병주(Byeong-Ju Kim),박병국(Byung-Gook Park),신형철(Hyungcheol Shin),이종덕(Jong Duk Lee) 대한전자공학회 2007 대한전자공학회 학술대회 Vol.2007 No.11
U sing the analytic equation for the series resistance of staggered thin-film transistors, the effects of gate-source overlap region on the uniformity are discussed. Assuming that the mask misalignment has the Gaussian distribution, the uniformity of the drain current is calculated by Monte-Carlo simulation. The results shows that the overlap length should be larger than the sum of the effective overlap length and maximum mask misalignment error.
PVP 단일막을 이용한 유기 박막 트랜지스터에서의 이력현상 최소화 조건에 대한 연구
김병주(Byung Ju Kim),정금동(Keum Dong Jung),김유철(Yoo Chul Kim),박병국(Byung Gook Park),이종덕(Jong Duk Lee) 대한전자공학회 2007 대한전자공학회 학술대회 Vol.2007 No.11
Poly 4-vinyl phenol(PVP)는 유기 박막트랜지스터에서 고 이동도 특성으로 널리 연구되고 있는 게이트 절연체 중 하나이다. 하지만 문턱전압의 이력현상의 문제를 갖고 있다. 본 연구에서는 PVP 단일막을 이용하여 이력현상을 줄이기 위해 여러 조건으로 실험을 진행하였으며 PVP와 교차결합용액의 비가 1:1 이고 온도는 180도 이상 시간은 30분 이상인 조건으로 소자를 제작하였을 때 이력현상이 크게 줄어드는 조건임을 확인 할 수 있었다. 이런 현상으로 볼 때에 수산화기에 의한 영향과 반송자들의 injection이 함께 이력현상의 원인으로 생각된다.
김유철(Yoo Chul Kim),정금동(Keum-Dong Jung),김병주(Byeong-Ju Kim),이종덕(Jong Duk Lee),박병국(Byung-Gook Park) 대한전자공학회 2007 대한전자공학회 학술대회 Vol.2007 No.11
A new threshold voltage and mobility extraction method for organic thin film transistors (OTFTs) are suggested. As mobility of OTFTs is known to have dependence on gate bias, conventional threshold voltage extraction methods cannot be applied. By dividing saturation regime current with linear regime current, a linear curve can be obtained. Then, from x-axis intercept of the curve, threshold voltage can be extracted. Substituting extracted threshold voltage to drain current equation, gate voltage dependent mobility can be obtained. This simple procedure can be applied to the devices which has gate bias dependent mobility as OTFTs.