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- 저자 : 전춘생 (검색결과 60 건)
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냉음극을 이용한 plasma전자 beam의 전기적 입력특성 I
전춘생,박용관 대한전기학회 1978 전기의 세계 Vol.27 No.3
It has been investigates that electric characteristics of plasma electron beam in N$_{2}$, H$_{2}$ and Ar gas jars under various gas pressures during electron beams are formed. The results are as follows: 1)Electron beam is formed in the region of positive resistance on the characteristic curve. This phenomenon is identical in N$_{2}$, H$_{2}$ and Ar gases. 2)But in Ar gas, electron beam is formed at relatively lower gas pressure than in H$_{2}$ and N$_{2}$. 3)In pure gas either N$_{2}$, H$_{2}$ and N$_{2}$ the lower the gas pressure, the higher the voltage drop for the same electron beam current. 4)The region in which electron beam is formed is limited at a given pressure. 5)Beyond the limit mentioned above, it becomes glow discharge state and the current increases radically. 6)At a given gas pressure, electron beam voltage, that is, electrical power input increases with gap length.
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전춘생,정재진 한국태양에너지학회 1993 한국태양에너지학회 논문집 Vol.13 No.2·3
본 논문은 순수한 CdS 박막시편에 미소량의 불순물(활성제)을 첨가하고 각 시편에대한 파장(380-760nm) 및 온도변화(120-360˚K)에 따른 전기적 특성을 비교, 조사 하였다. 그 결과는 다음과 같다.<br/> 1) 순수한 CdS 박막의 경우 열처리함에 따라 저항이 증가 하였으며 분광응답의 최대치는 더욱더 장파장쪽으로 이동하였다.<br/> 2) 여러가지 일정한 온도에서 여러가지 파장의 광을 조사하였을때 실온도에서 보다는 저온도(160˚K)에서 민감한 광응답특성을 나타냈다.<br/> 3) 불순물의 첨가량이 0.5wt%일 때 비교적 양호한 광응답특성을 나타내고 있다. In this paper, the electrical characteristics of CdS thin films doped with a little of impurities (activators) are studied on wavelength (380-760nm), and temperatureC120-360K).<br/> These results are as follows.<br/> 1) The resistance of pure CdS thin film increases by annealing, and maximum response value of wavelength is shifted to the long wavelength.<br/> 2) The spectral responses of light are more sensitive in low temperature (160K) than in room temperature.<br/> 3) Characteristics of the spectral response of light are improved by doping with 0.5wt % impurity.
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황축교류자계에 의한 대기중에서의 교류 아아크의 이동에 관한 연구
전춘생,엄기환 대한전기학회 1975 전기의 세계 Vol.24 No.6
This paper treats A.C. arc movement in a transverse A.C. magnetic field at atmospheric pressure with the purpose of selecting electrode materials and obtaining detailed data for design of A.C. air circuit breaker, plasma accelerator and plasma jet. Arc velocities in transverse magnetic field are measured by varying arc current, arc voltage, gap length, magnetic flux density and the erosion of electrode surface, which influence arc velocities. The main results are; 1)Arc velocities in transverse magnetic field have different values according to electrodes of various materials and decrease in a descending order of cold cathode, medium cathode and hot cathode. 2)Arc velocities in transverse magnetic field increases with arc current, arc voltage, gap length and magnetic flux densith and on the other hand decrease with the increase of electrode surface erosion. 3)D.C.arc velocity in D.C. magnetic field is higher than A.C. arc velocity in A.C. magnetic field of the same value.
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Pd활성제와 열처리 온도에 의한 ${SnO_2}/{Al_2}{O_3}$ 가스센서에 미치는 감응효과
전춘생,Jeon, Chun-Saeng 한국재료학회 1994 한국재료학회지 Vol.4 No.3
This paper is aimed to study the effect of Pd activator, the annealing temperature, and operating temperatures on the response characteristics of the $SnO_2/Al_2O_3$ sensor. The resistance of device has shown minimum value when annealing temperature and operating temperature of device are $550^{\circ}C$ and $350^{\circ}C$ respectively in ethanol gas. And the response characteristics of the device showed the best results when lwt% Pd was added to SnOz especially in low concentration of ethanol gas. 이 논문은 $SnO_2$에 소량의 Pd를 첨가하여 이것을 $Al_2O_3$기판위에 진공증착시켜 가스소자를 제작한 후, 소자의 감지특성에 영향을 미치는 열처리 온도, 소자의 온도, Pd의 첨가량의 변화 효과를 조사한 것이다. 소자의 열처리 온도가 $550^{\circ}C$일때와 소자의 동작온도가 $350^{\circ}C$일때 ethanol gas에 접촉시 소자 저항이 가장 낮았다. Pd 1 wt%를 첨가한 경우 에탄올 가스에 대한 소자의 감지특성이 가장 양호하였으며, 저농도 영역에서 특히 우수하였다.
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전춘생,김용운,임응춘,Jhoon, Choon-Saing,Kim, Yong-Woon,Lim, Eung-Choon 한국태양에너지학회 1992 한국태양에너지학회 논문집 Vol.12 No.2
본 논문은 二(이)가열원 진공증착법을 이용하여 실리콘 웨이퍼의 온도를 190[$^{\circ}C$]로 유지한 상태에서 ITO 박막을 증착, 열처리한 후 $ITO_{(n)}/Si_{(p)}$ 태양전지를 제작하였고 그의 전기적 특성을 조사하였다. $In_2O_3$와 $S_nO_2$의 증착비율이 각각 91[mole %] 9[mole %]일 때 최대효율 11[%]의 태양전지를 제작 할 수 있었다. 제작된 전지는 열처리 시간과 온도에 따라 성능이 향상되지만 약 600[$^{\circ}C$] 이상의 온도, 15분 이상의 열처리 시간에서는 오히려 박막의 각종 결함의 증가로 인한 감소현상을 보였다. 제작한 전지의 광 응답 특성을 조사하였는데 열처리온도를 증가시킴에 따라 미소하나마 장파장 영역으로 그 peak값이 이동함을 알 수 있었다. X선 회절현상을 통해 열처리온도에 따른 결정성장이 증대하여 단결정 쪽으로 이동해 감을 확인할 수 있었다. 본 실험에서 제작한 $ITO_{(n)}/Si_{(p)}$ 태양전지에 대하여 특성을 조사한 바 다음과 같은 결과를 얻었다. $100[mW/cm^2]$의 태양광 에너지 조사하에서 단락전류 : ISC=31 $[mW/cm^2]$ 개방전압 : VOC=460[mV] 충실도 : FF=0.71 변환효율 : ${\eta}$=11[%]. The solar cells of $ITO_{(n)}/Si_{(p)}$, which are ITO thin films deposited and heated on Si wafer 190[$^{\circ}C$], were fabricated by two source vaccum deposition method, and their electrical properties were investigated. Its maximum output is obtained when the com- position of the thin film consist of indium oxide 91[mole %] and thin oxide 9[mole %]. The cell characteristics can be improved by annealing but are deteriorated at temperature above 600[$^{\circ}C$] for longer than 15[min]. Also, we investigated the spectral response with short circuit current of the cells and found that the increasing of the annealing caused the peak shifted to the long wavelength region. And by experiment of the X-ray diffraction, it is shown to grow the grains of the thin film with increasment of annealing temperature. The test results from the $ITO_{(n)}/Si_{(p)}$ solar cell are as follows. short circuit current : Isc= 31 $[mW/cm^2]$ open circuit voltage : Voc= 460[mV] fill factor : FF=0.71 conversion efficiency : ${\eta}$=11[%]. under the solar energy illumination of $100[mW/cm^2]$.
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