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Al<sub>x</sub>Ga<sub>l-x</sub>N/GaN 에피층의 비정상적인 광발광과 Persistent Photoconductivity 현상
정상조,전용기,Chung, S.J.,Jun, Y.K. 한국재료학회 2003 한국재료학회지 Vol.13 No.10
We have investigated $Al_{x}$ $Ga_{l-x}$ N/GaN epilayers (x = 0.08, 0.15) grown by metal organic vapor phase epitaxy on sapphire with photoluminescence(PL), and persistent photoconductivity(PPC) experiments. An anomalous S-shaped shift behavior of temperature dependencies of PL peak energy is observed for the x = 0.15 sample. In PPC measurement, showed that the dark current recovery time of $Al_{x}$$Ga_{l-x}$ N/GaN epilayers mainly depends on the Al content. These behaviors are usually attributed to the presence of carrier localization states. All these phenomena are explained based on the alloy compositional fluctuations in the $Al_{x}$ /$Ga_{l-x}$ N/ epilayers. The photocurrent quenching observed in PPC measurements for $Al_{x}$ $Ga_{l-x}$ N/ epilayers less than 0.2 $\mu\textrm{m}$ thickness indicates that the presence of metastable state in the bandgap of GaN layer, and that the excess holes in the valence band recombine with free electrons.
Spray pyrolysis 방법에 의한 넓은 면적의 Cu₂S / CdS 태양전지의 제작
차덕준(D. Cha),고정곤(J. Ko),정상조(S. Chung),남승재(S. Nam),김광윤(K. Kim),전용기(Y. Jun) 한국진공학회(ASCT) 1996 Applied Science and Convergence Technology Vol.5 No.4
Spray pyrolysis 방법으로 넓은 면적의 Cu₂S/CdS 태양전지를 제작하였다. 제작과정에서 전극형성, CdS spray 온도조건, Cu₂S층의 접합 조건등 태양전지의 효율에 영향을 주는 요인을 조사하였다. CdS 박막의 조건은 주사 전자현미경, X-선 회절기, 온도변화에 따른 광흡수 및 광전도 특성등을 통해 결정하였다. 1㎠의 면적의 전지에 air mass 2(AM2)인 75㎽/㎠로 빛을 조사했을 때 3.15%의 효율을 얻었다. We fabricated the effective Cu₂S/CdS solar cells with large area by a spray pyrolysis method. In preparation process, we investigated the process parameters which directly influenced the efficiency of solar cell, such as the grid contact for electrodes, the temperature condition of CdS spray and the junction characteristics of Cu₂S layer, by scanning electron microscope(SEM), x-ray diffraction(XRD) and temperature dependent optical absorption and photoconductivity. The Cu₂S/CdS solar cell with area of 1 ㎠ showed the efficient of 3.15% under air mass 2(AM2) spectrum irradiation with 75 mW/㎠.
화학 용액 담금의 열분해 방법에 의한 CdS 반도체의 성장
김홍복,김선미,권영규,차덕준,윤창선,김병호,고정곤,전용기,김광윤 群山大學校基礎科學硏究所 1998 基礎科學硏究 Vol.13 No.-
화학용액 담금의 방법에 의하여 다결정 CdS박막을 성장시켰다. 성장과정에서 온도조건, 몰농도 조건에 따라 CdS 다결정의 특성에 영향을 주는 요인들을 전자현미경, 광흡수 및 광전류 특성과 온도 및 빛의 세기에 따른 저항의 변화를 통해 분석하였다. Polycristalline CdS thin films have been grown by the chemical bath pyrolysis(CBP) method. The CdS films characteristics were investigated with scanning electron microscope(SEM), optical absorption measurements, photoconductivity, and resistance dependences on temperature and light intensity.