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- 저자 : 이해파 (검색결과 2 건)
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Magnetoresistance in Post-annealed Bi Thin Films on PbTe-buffered CdTe(111)B and on Mica Substrates
김윤기,최진성,이해파,조성래,Kim Yun-Ki,Choi Jin-Sung,Li Hai-Bo,Cho Sung-Lae The Korean Vacuum Society 2006 Applied Science and Convergence Technology Vol.15 No.4
비스무스의 녹는점보다 3 도 낮은 온도인 $268^{\circ}C$에서 후열처리를 하여 비스무스 박막에서 자기저항의 큰 증가를 관측하였다. 레드텔러라이드 / 케드뮴텔러라이드 기판 위에서는 온도 5 K, 자기장 5T 하에서 190 에서 260으로, 마이카 기판 위에서는 620 에서 120 으로 자기저항의 큰 증가를 나타내었다. 이러한 자기저항의 큰 증가는, 열처리에 따른 결정도의 향상에 기인한 것으로 보인다. 하지만 일정 시간 이상의 오랜 시간의 열처리는 자기저항을 감소시키는 것으로 관측되었다. We have observed a large increase in the magnetoresistance (MR) of Bi thin films, which were subjected to a post-annealing procedure at $268^{\circ}C$C, $3^{\circ}C$ below the Bi melting point. We have achieved an increase in the MR by 260-fold and 1200-fold at 5 K and 5 T after post-annealing, as compared with 190 and 620 for an as-deposited Bi film on PbTe/CdTe(111) and on mica, respectively. The large MR increase by post-annealing might be due to the improvement of crystallinity according to the x-ray analysis. However, post-annealing over a certain amount time showed the reduction in MR values.
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Magnetoresistance in Post annealed Bi Thin Films on PbTe buffered CdTe(111)B and on Mica Substrates
Yunki Kim(김윤기),Jin Sung Choi(최진성),Hai Bo Li(이해파),Sunglae Cho(조성래) 한국진공학회(ASCT) 2006 Applied Science and Convergence Technology Vol.15 No.4
비스무스의 녹는점보다 3도 낮은 온도인 268℃ 에서 후열처리를 하여 비스무스 박막에서 자기저항의 큰 증가를 관측하였다. 레드텔러라이드/케드뮴텔러라이드 기판 위에서는 온도 5 K, 자기장 5 T 하에서 190에서 260으로, 마이카 기판위에서는 620에서 120으로 자기저항의 큰 증가를 나타내었다. 이러한 자기저항의 큰 증가는, 열처리에 따른 결정도의 향상에 기인한 것으로 보인다. 하지만 일정 시간 이상의 오랜 시간의 열처리는 자기저항을 감소시키는 것으로 관측되었다. We have observed a large increase in the magnetoresistance (MR) of Bi thin films, which were subjected to a post annealing procedure at 268°C, 3°C below the Bi melting point. We have achieved an increase in the MR by 260 fold and 1200 fold at 5 K and 5 T after post annealing, as compared with 190 and 620 for an as deposited Bi film on PbTe/CdTe(111) and on mica, respectively. The large MR increase by post annealing might be due to the improvement of crystallinity according to the x ray analysis. However, post annealing over a certain amount time showed the reduction in MR values.
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