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- 저자 : 이철준 ( Chul Joon Lee ) (검색결과 6 건)
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한국산(韓國産) 잠견(蠶繭)에서 분리(分離)된 미생물(微生物)에 관(關)한 연구(硏究) -잠견에서 분리(分離)된 Bacteria의 분리동정(分離同定)-
이상원 ( Sang Won Lee ),이철준 ( Chul Joon Lee ) 한국잠사학회 1967 한국잠사곤충학회지 Vol.7 No.-
본 실험은 한국산 잠견에 기생하는 세균을 분리하여 생리학적 형태학적 및 배양적인 특성을 파악하여 그 미생물을 동정하고 저장 중인 잠견에 미생물 침식을 방지하는 과학적인 근거를 모색했다. 그 실험결과는 다음과 같다. 1. 잠견으로부터 분리된 12 strain의 Bacteria의 형태학적인 실험결과 colony의 형태는 table II와 같다. 종합적인 형태적 특성은 table III과 같으며 gram stain과 spore stain은 Fig, I, II와 같다. 2. 분리된 12 strain의 배양적인 특성은 table IV, V, Ⅵ와 같다. 3. 분리된 12 strain의 생리적인 특성은 table Ⅶ와 같다. 4. 이상, 형태학적 배양적 생리적인 특성에 의거하여 분리균주의 유연관계를 추정하면 다음과 같다. (l) No 1 No 8; Bacillus subtilis variation (2) No 2; Bacillus stearothermophilus (3) No 3; Bacillus circulans (4) No 5 No 6; Bacillus thuringiensis (5) No 7 No 11; Bacillus brevis (6) No 12 No l0; Bacillus cereus variation In order to identify the bacteria living on the cocoons in Korea, the isolated bacterias` morphological, cultural and physiological characters has been determined through the detailed study. The second aim of this experiment was to protect against the bacteria which damage silk protein during storage. 1. The twelve strains of the bacteria were isolated and identified in the cocoons produced in Korea. The results of the identification are as the following. No 1, No 8; Bacillus subtilis variation No 2; Bacillus stearothermophilus No 3; Bacillus circulans No 5, No 6; Bacillus thuringiensis No 7, No 11; Bacillus brevis No 12, No 10; Bacillus cereus variation.
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이철준,정동효 한국농화학회 1961 Applied Biological Chemistry (Appl Biol Chem) Vol.2 No.1
The daily variation in the total quantity of flavin compounds (FAD, FMN, FR) in greenbean during its germination were measured by Yagi's methods. The results obtained were as follow. 1. The total quantity of flavin compounds of the greenbean sprouts was increased with growth of sprouts until the 8th days. After this period its contents were decreased slightly. 2. The flavin compounds of greenbean sprouts were comfirmed to be synthesized as free riboflavin during its germination. 3. FAD was the major pat of total flavin compounds in cotyledon but there was significant variation in the contents of FAD, FMN and FR in hypocotyl.
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2중 절연층구조(Zn, Cd) S : Mn EL 소자의 발광특성 Mn device with double insulating layer structure
이철준 울산과학대학 1988 연구논문집 Vol.13 No.2
고진공하에서 전자선증착기법으로 ITO 막을 입힌 유리기판 위에 Y_2 O_3-(Zn, Cd) S: Mn-Y_2 O_3 2중절 연층구조 EL 소자를 만들어 EL 특성을 측정하였다. (Zn, Cd) S: Mn 막은 증착후 진공중에서 400-500℃로 열처리하여 좋은 EL 소자를 얻을 수 있었으며, threshold와 포화전압에 따른 발광휘도의 비는 10^3 정도이다. Cds의 함량이 50% 이상일 때에는 EL 특성을 관측하기 힘들며, 가시광영역에 대한 스펙트럼은 ZnS:Mn의 경우 peak intensity가 5840A 부근에 있는 band Spectrum을 나타내고 CdS의 함량이 커지면 peak가 장파장쪽으로 이동한다. (Zn, Cd) S: Mn electroluminescence(EL) device with double insulating layer structure was prepared by electron beam evaporation technique and its emission characteristics were investigated. The structure of this device is as follows: ITO glass(transparent glass)-Y_2 O_3(insulating layer)-(Zn, Cd) S: Mn (active layer)-Y_2 O_3 (insulating layer)-Al(rear electrode). The emission spectrum of the EL device shows nearly Gaussiantype curve at room temperature and the EL peak shifts from 5840A (due to Zn S: Mn EL device) to longer wavelength due to (Zn, Cd) S: Mn EL device as CdS content of the phosphor increases.
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이철준 울산과학대학 2000 연구논문집 Vol.26 No.2
In this study, Emphasis is given to II-VI thin film material such as ZnS:Mn, Zn(S,Se):Mn, (Zn,Cd)S:Mn, ZnS:TbF_3, ZnS:SmF_3, SrS:Ce,Cl ZnS:Mn, ZnS:TbF_3 and SrS:Ce, were investigated their EL characteristics. The ZnS EL device with Mn concentration of 0.5wt% and TbF_3 concentration of 2.0wt% shows strongest emission intensity It is considered the most effective luminescent center is obtained at an SmF_3 concentration of 1wt%. And the SrS:Ce,Cl with ZnS buffer layers has a maximum brightness and luminescent efficiency.
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이철준 울산과학대학 1982 연구논문집 Vol.7 No.1
고진공하에서 전자선 증착 기법으로 슬라이드 유리에 CdS-CdSe 증착막을 만들어 광도전성을 측정하였다. 기판의 온도는 약 200℃로 유지하고, 증착후의 공기중에서 500℃ 정도로 열처리로 광도전성이 좋은 셀을 얻을 수 있었다. 분광 특성은 100% CdS의 경우 530㎚에서 peak값을 갖고, CdSe의 혼합비가 증가함에 따라 파장이 긴 쪽으로 이동하였다. 이들 CdS-CdSe 광도전셀의 light-to-dark 비는 약 10^4 정도였다. CdS-CdSe 박막의 결정구조는 6방정이며 기판에 수직인 방향으로 c축이 배향되어 있다. Photoconductive films of CdS-CdSe were deposited onto glass substrates by the electron beam technique under high vacuum. Postdeposition heat treatments are needed to obtain highly photoconductive films. The photoconducting properties studied include Ⅰ-Ⅴ characteristics, photosensitivity and the spectral response of the photoconductivity. Substrate temperature of about 200℃ was found to be suitable for obtaining CdS-CdSe films with faily smooth surface. The investigation of spectral response of the photoconductivity shows that the response peak for CdS is situated at 530㎚, which corresponds to the band edge of CdS. For the CdS-CdSe film, the peak shifts toward longer wavelength with the increase of the ratio of CdSe compound. Light-to-dark photoconductivity ratios up to 10^4 have been observed. The crystal structure of the CdS-CdSe film is hexagonal and the c axis is preferentially oriented perpendicular to the surface normal.
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Cd (S, Se) 및 (Zn, Cd)S 증착막의 광도전성
이철준 울산과학대학 1986 연구논문집 Vol.11 No.1
고진공하에서 전자선증착기법으로 유리기판에 Cu로 활성화시킨 Cd(S, Se) 및 (Zn, Cd)S 증착막을 만들어 광도전성을 측정하였다. Cd(S, Se) 박막은 증착후 공기중에서 400-500℃로 열처리하여 광도전성이 좋은 셀을 얻을 수 있었으며, light-to-dark비는 10^3-10^4 정도이다. (Zn, Cd)S 박막의 경우 ZnS 함량이 많을수록 광도전성이 저하되며, ZnS함량이 50%이상에서는 광도전성을 관측하기 힘든다. CdS와 CdSe의 분광특성은 각각 512㎚와 697㎚에서 peak 값을 가지며 CdSe의 mole비가 커질수록 장파장쪽으로 peak가 이동된다. (Zn, Cd)S의 경우 ZnS 비율이 증가할수록 단파장쪽으로 peak가 이동되며, Cd(S, Se)보다 좁은 폭의 분광감도 범위를 갖는다. 이 광도전셀은 6방정특유의 (0002)면에 의한 강한 회절선의 peak를 보이며, 회절선에 대응하는 회절각들은 혼합비에 따라 mixed crystal로 인한 격자상수의 변화를 보여준다. This paper deals with photoconductivities of Cd(S, Se) and (Zn, Cd)S films activated by Cu. Cd(S, Se) films deposited by Electron Beam Evaporation Technique show high photosensitivity after heat treatment in a temperature range of 400-500℃ in air. The values of light to dark current ratio of the films are of the order of 10^3-10^4. In (Zn, Cd)S films prepared by the same method, the photoconductivity becomes poor and this tendancy is more prominent with greater ZnS content. The maximum peaks of spectral sensitivity in CdS and CdSe are located at 512㎚ and 697㎚, respectively and with greater mole ratio of CdSe to CdS, the peak shifts to longer wavelength and the spectral sensitivity range becomes broader. In (Zn, Cd)S films, the peak shifts to shorter wavelength as ZnS contents increases, covering rather narrow spectral sensitivity range. The X-ray analyses of diffraction patterns show that the crystal structures are hexagonal. The diffraction line of only (0002) plane can be observed, indicating that plane of the c-axis of crystal grows perpendicular to the substrate.
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