양전자 소멸 측정법으로 양성자 조사에너지 변화에 대한 n, p형 실리콘 구조 특성

이종용,Lee, Chong Yong 한국진공학회 2013 Applied Science and Convergence Technology Vol.22 No.6

The n-type and p-type silicon samples were exposed by 40.0, 3.98 MeV proton beams ranging between 0 to $20.0{\times}10^{13}protons/cm^2$. Coincidence Doppler Broadening Positron Annihilation Spectroscopy (CDBPAS) were applied to study of defect characteristics of p type and n type silicon samples. In this investigation the numerical analysis of the spectra was employed to the determination of the shape parameter, S, defined as the ratio between the amount of counts in a central portion of the gamma spectrum and the total counts of whole gamma spectrum. The S-parameter values strongly depend on the irradiated proton beam that indicated the defects generate more, rather than the energy intensity. 40 MeV irradiated proton beam in the n-type silicon at $20.0{\times}10^{13}protons/cm^2$ was larger defects than 3.98 MeV irradiated proton beam. It was analysis between the proton irradiation beams and the proton intensities of the irradiation. Because of the Bragg peak, SRIM results shows mainly in a certain depth of the sample to form the defect by the proton irradiation, rather than the defects to appear for the entire sample. 동시 계수 도플러 넓어짐 양전자 소멸 분광법으로 n형과 p형 실리콘 시료에 40.0, 3.98 MeV 에너지를 가진 $0.0{\sim}20.0{\times}10^{13}protons/cm^2$ 양성자 빔 조사에 의한 결함을 측정하여 시료 특성을 조사하였다. 양전자와 전자의 쌍소멸로 발생하는 감마선 스펙트럼의 전자 밀도 에너지에 의한 수리적 해석 방법인 S-변수를 사용하여, 시료의 구조 변화를 측정하였다. 본 연구에서 측정된 S-변수는 시료에 조사된 양성자 조사량의 변화에 따라 결함이 증가하였으며, 그리고 40 MeV 양성자 빔의 세기는 n형 실리콘에서 빔의 조사량 $20.0{\times}10^{13}protons/cm^2$에서 3.98 MeV 보다 결함의 영향이 더 큰 것으로 나타났다. 그 결과 조사에 너지와 조사량의 상관관계를 비교 분석하였다. SRIM 시뮬레이션의 결과는, 양성자의 Bragg 피크 특성 때문에 시료 전체에 대한 결함으로 나타나기 보다는 양성자가 시료의 특정 깊이에 주로 결함을 형성하는 것을 보여 준다.

피드백 선형화를 이용한 비선형 시스템에 대한 최적 제어

이종용,이원석,Lee, Jong-Yong,Lee, Won-Seok 대한전자공학회 2005 電子工學會論文誌 IE (Industry electronics) Vol.42 No.3

대부분의 경우, 비선형 최적 제어 문제는 헤밀톤-야코비 방정식(Hamilton-Jacobi equations)을 풀어야하는데, HJEs는 해석적으로 답을 구하기가 매우 어렵다. 그래서 이러한 어려움은 비선형 시스템에 피드백 선형화를 적용하여, 선형화된 시스템을 얻고, 선형화된 선형 시스템에 대한 최적 제어 문제를 고려하게 되었다. 본 논문에서는 간단한 비선형 시스템의 예에 최적 제어 설계 기법과 피드백 선형화 제어기, 선형 제어기를 적용하여, 최적 성능을 평가함으로서, 피드백 선형화 최적 제어가 적용되는 비선형 시스템의 조건을 제시한다. Nonlinear optimal control problems lead to Hamilton-Tacobi equations which are not analytically solvable for most practical problems. This difficulty has led to the development of suboptimal nonlinear design techniques such as controller design based on feedback linearization(FL). In this paper, we present some simple examples where the optimal answer can be found for the optimal controller, FL controller and linear controller and determine its relative performance. As a result, we get the condition of a nonlinear system for the FL controller to an optimal design.

IP 전화 확대에 대응한 유선망 NTS 비용 배부 분석 : 일본을 중심으로

이종용,Lee, J.Y. 한국전자통신연구원 2009 전자통신동향분석 Vol.24 No.2

일본은 유선 통화량 감소에 대응한 유선 접속료의 급격한 인상을 막기 위해 NTS 성격에 해당 비용을 5년에 걸쳐 단계적으로 접속원가에서 제외하여 기본료로 회수하도록 한 2004년의 결정을 수정하여 RT-GC 구간 전송로에 해당되는 NTS 비용을 다시 5년에 걸쳐 단계적으로 접속원가에 포함하기로 하였다. 이것은 기본료 부문에서의 경쟁이 도입된 상황을 고려했을 때 개정된 보편적 서비스 제도에서 고비용 지역 원가의 상당부분을 차지하고 있는 RT-GC 구간 전송로 비용이 회수되지 못하게 된 점을 고려한 것이다 이에 따라 NTS 비용으로 분류된 RT-GC 전송로 비용은 보편적 서비스 제도에서 문제된 관련 비용이 회수될 수 있도록 개선되기 전까지 접속료를 통해 회수되게 되었다. 중요한 것은 해당 비용이 실태에 맞게 최소한의 것에 한정되도록 하기 위해 접속원가에 포함되는 RT-GC 전송로 비용은 실제의 네트워크에 있어서 RT 설치국인 국사의 전송로 비용에 한정되도록 하고 있다는 것이다. 이와 같은 일본의 접근은 NTS 비용을 접속원가에서 제외한다는 원칙은 그대로 유지된 상황에서 보편적 서비스 제도 개선과정에서 발생되는 한시적 조치로서 고려되는 것이며, 이용자 부담을 완화한다는 원칙에 기초하고 있다.

클라우드 모바일 백엔드서비스(BaaS) 시장동향

이종용,조병선,Lee, J.Y.,Cho, B.S. 한국전자통신연구원 2015 전자통신동향분석 Vol.30 No.4

최근 모바일 백엔드서비스(Backend as a Service: BaaS)의 등장은 모바일 앱개발환경에 큰 변화를 야기하고 있다. BaaS는 백엔드기능을 클라우드 서비스 형태로 제공해주는 것을 말한다. 개발자는 BaaS 솔루션을 통해서 서버기술을 몰라도 그 환경에 연결되는 모바일 앱을 만들 수 있게 되어 초기투자비를 크게 줄이고 핵심 서비스 영역에 역량을 집중할 수 있도록 하며, 이용자 변화에 유연한 대처가 가능하게 되어 기술적 위험을 최소화할 수 있다. BaaS의 출현은 스마트기기의 확산으로 모바일 앱수요가 증가하면서 앱개발을 보다 효율적으로 하려는 시장니즈에서 비롯된 것으로 글로벌 시장규모가 2019년까지 연평균 100% 이상으로 급격히 성장할 것으로 예상되고 있다. 본고는 클라우드 모바일 백엔드서비스를 소개하고, 시장특성과 시장규모를 분석함으로써 국내 클라우드 서비스 시장 활성화에 기여하고자 한다.

영국과 미국의 케이블망 개방 규제접근 분석

이종용,Lee, J.Y. 한국전자통신연구원 2006 전자통신동향분석 Vol.21 No.2

케이블망 개방(open access)은 케이블망사업자가 자사의 ISP 뿐만 아니라 경쟁 ISP도케이블모뎀망에 접속할 수 있도록 허용하는 것이다. 미국의 경우 케이블망과 DSL 망모두에 대해 망개방 의무가 부과되지 않고 있다. 영국의 경우 케이블망 개방에 대해서는 규제를 하고 있지 않으나, BT와 Kingston의 DSL 망에 대해서는 개방 의무를 부과하고 있다. 케이블망 개방에 대한 비규제 접근 배경측면에서 미국은 광대역서비스 시장의 설비기반정책에 중점을 두고 케이블사업자의 망투자 유인제고에 목적을 두고 있으나, 영국은 초고속인터넷서비스 시장에서 케이블사업자들의 시장지배력이 없다는 점에서 규제개입보다는 ISP와 케이블망 사업자간 접속이 시장기능에 의해 이루어지는 것이 더 바람직하다는 점에 기인하고 있다. 이런 점에서 미국의 규제완화 접근이 경쟁사업자에게 망 접속 제공을 요구하고 있는 영국에 비해 기술방식간의 설비기반 경쟁정책으로 나아가고 있는 것으로 볼 수 있다. 향후 어떤 정책이 광대역서비스의 보급을 더욱촉진할 것인가에 대해 지속적인 연구가 필요하다. 본 논문에서는 케이블망 개방 관련기술방식과 케이블망 개방 관련 논쟁에 대해 살펴보고, 영국과 미국의 케이블망 개방에 대한 규제접근을 검토하였다.

미국의 망세분화 동향 및 시사점

이종용,권수천,Lee, J.Y.,Kweon, S.C. 한국전자통신연구원 2003 전자통신동향분석 Vol.18 No.1

FCC는 통신법(1996)에서 시내망(local network)의 경쟁활성화를 위한 조치로 상호접속과 시내서비스 재판매와 함께 UNEs를 의무화하였다. 미국의 경우 ILECs이 CLECs에게 제공해야 할 UNEs에는 기본적으로 가입자선로를 포함하여 시내교환기, 탄뎀교환기 등 7가지가 있다. 여기에서 가입자선로의 주문, 제공, 유지보수, 과금에 사용되는 OSS에 대한 접속을 제공하도록 하고 있는 것은 다른 국가에 비해 독특한 내용이다. 2002년 현재 FCC는 UNEs의 도입 이후 지금까지의 성과에 대하여 검토하고 있으며 아울러 시내서비스부문의 경쟁을 더욱 촉진하기 위해 기존 UNEs 관련 규정들을 재검토하고 있다. 본 연구에서는 미국의UNEs 제공대가의 산정방식 및 기술적, 운영적 문제 등 주요 이슈를 검토하였다. 그리고, UNEs 도입 이후미국의 통신시장 변화와 UNEs의 재검토 과정에서 제시되고 있는 주요 의견들을 검토하였다.

도플러 넓어짐 스펙트럼을 이용한 희토류 증감지 결함 특성

이종용,김창규,송기영,김재홍,Lee C. Y.,Kim C. G.,Song G. Y.,Kim J. H. 한국재료학회 2005 한국재료학회지 Vol.15 No.6

Doppler broadening spectrometer for positron annihilation experiment(DBPAS) has been used to characterize nano size defect structures in materials. DBPAS measures the concentration, spatial distribution, and size of open volume defects in the rare-earth intensifying screen materials. The screens were exposed by X-ray varying the exposed doses from 3, 6, 9, and 12 Gy with 6 W and 15 MV respectively and also irradiated by 37 MeV proton beams ranging from 0 to $10^{12}ptls$. The S parameter values increased as the exposed time and the energies increased, which indicated the defects were generated more. The S parameters of the samples with X-rays varied from 0.5098 to 0.5108, on the other hand, as proton beams varied from 0.4804 to 0.4821.

양전자 소멸 측정에 의한 n, p형 실리콘 구조 특성

이종용,Lee, C.Y. 한국진공학회 2012 Applied Science and Convergence Technology Vol.21 No.5

수명 측정법과 동시 계수 도플러 넓어짐 양전자 소멸 분광법으로 p형과 n형 실리콘 시료에 3.98 MeV 에너지를 가진 $0.0{\sim}20.0{\times}10^{13}\;protons/cm^2$ 양성자 빔 조사에 의한 결함을 측정하여 실리콘 결함 특성에 대하여 조사하였다. 양전자와 전자의 쌍소멸로 발생하는 감마선 스펙트럼의 전자 밀도 에너지를 수리적 해석 방법인 S-변수와 열린 부피 결함에 대한 측정법으로서 양전자 수명 ${\tau}_1$과 ${\tau}_2$, 이에 따른 밀도 $I_1$과 $I_2$를 사용하여, 시료의 구조 변화를 측정하였다. 본 연구에서 측정된 S-변수와 양전자 수명은 시료에 조사된 양성자 조사량의 변화에 따라 결함이 증가하였으며, 양전자 수명 측정과 같은 경향을 보여준다. SRIM의 결과로써, 양성자 조사 에너지에 따른 Bragg 피크 때문에 양성자는 시료의 특정 깊이에 주로 결함을 형성하여 시료 전체에는 결함으로 잘 나타나지 않기 때문이다. 빔의 조사량에 따른 결함의 영향이 더 큰 것으로 나타났다. It is described that the proton beam induceds micro-size defects and electronic deep levels in n or p type single crystal silicon. Positron lifetime and Coincidence Doppler Broadening Positron Annihilation Spectroscopy were applied to study of characteristics of p type and n type silicon samples. In this investigation the numerical analysis of the Doppler spectra was employed to the determination of the shape parameter, S, defined as the ratio between the amount of counts in a central portion of the spectrum and the total counts of whole spectrum. The samples were exposed by 3.98 MeV proton beams ranging between 0 to ${\sim}10^{14}$ particles. The S-parameter values strongly depend on the irradiated proton beam, that indicated the defects generate more. Positron lifetime shows that positrons trapped in vacancies and lifetime ${\tau}_2$ increased according to proton irradiation.

Gd₂O₂S:Tb의 동시 계수 도플러 양전자 소멸법에 의한 결함 특성

이종용,배석환,김재홍,권준현,Lee, C.Y.,Bae, S.H.,Kim, J.H.,Kwon, J.H. 한국재료학회 2006 한국재료학회지 Vol.16 No.7

Coincidence Doppler Broadening (CDB) of positron annihilation spectroscopy was applied to analyze defects in the chemical state of Department of Physics, $Gd_2O_2S$:Tb intensifying screens. The screen samples were irradiated by 80 MV X-rays in hospital and were used for 0, 2, 4, and 6 years respectively. There was a positive relationship between the S-parameter values and time of exposure to X-rays. Most of the defects were indicated to have been generated by X-rays. A 1D CDB was developed in order to reduce the background noise, and the S-parameter values of the $Gd_2O_2S$:Tb intensifying screens, using the 1D CDB, varied between 0.4974 and 0.4991.

저에너지 양전자 소멸 분광법을 이용한 Nb₃Ge 박막 특성

이종용,배석환,Lee, C.Y.,Bae, S.H. 한국진공학회 2010 Applied Science and Convergence Technology Vol.19 No.6

저속 에너지 도플러 넓어짐 양전자 소멸 분광법으로 $Nb_3Ge$ 시료내의 원자 크기 정도 고체 구조 특성에 대하여 조사하였다. A15 화합물 구조로 된 $Nb_3Ge$ 시료를 상온에서 초전도 특성을 갖는 상전이 온도 근처의 S-변수를 측정하였다. 양전자와 전자의 쌍소멸로 발생하는 511 keV 감마선 스펙트럼의 수리적 해석 방법인 S-변수를 사용하여, 상전이 근처 온도에서 박막의 구조 변화를 측정하였다. 양전자의 입사 에너지에 따른 S-변수는 0.598에서 0.594로 온도의 변화에 의하여 감소하였으며 이때 초전도 전이와는 무관함을 나타낸다. 고온으로 갈수록 일반적인 트랩핑 비율은 커지고 양전자 흐름은 공공(voids) 근처에서 소멸하는 것이 보였다. 이 결과로부터 양전자가 초전자와 소멸하기 보다는 상전자와 소멸하는 것으로 판단된다. Enhance signal-to-noise ratio, slow positron coincidence Doppler Broadening method has been applied to study of characteristics of $Nb_3Ge$ superconductor film, which were performed from 20 K to 300 K sample temperature near Tc of it. In this investigation the numerical analysis of the Doppler spectra was employed to the determination of the shape parameter, S, defined as the ratio between the amount of counts in a central portion of the spectrum and the total counts of whole spectrum. The S-parameter values between 0.598 and 0.594 were decreased while the temperature were decreasing, that indicated the voids into the samples. The temperature dependence came from specific positron trapping rate into the vacancy-type defects. It is believed that the positrons annihilate with normal-electrons instead of super-electrons in the Nb3Ge superconductor.