Co 단일층과 Co/Ti 이중층에 의하여 형성된 코발트 실리사이드막의 구조

이종무,이병욱,권영재,김영욱,이수천,Lee, Jong-Mu,Lee, Byeong-Uk,Gwon, Yeong-Jae,Kim, Yeong-Uk,Lee, Su-Cheon 한국재료학회 1996 한국재료학회지 Vol.6 No.9

Co 단일층과 Co/Ti 이중층으로부터 형성된 코발트 실리사이드를 최종 막의 구조와 에피텍셜 성장 측면에서 조사하였다. Co 단일층은 그 두께와는 관계없이 전체 막이 CoSi2로 변화된 반면에, Co/Ti 이중층 구조에서는 Co와 Ti 막의 두께비가 최종막 구조에 상당한 영향을 주었다. 그리고 CoSi2막의 에피 성장이 Co 단일층에서 보다는 Co/Ti 이중층에서 보다 용이하였다.

Cu/$CoSi_2$ 및 Cu/Co-Ti 이중층 실리사이드의 계면반응

이종무,이병욱,김영욱,이수천,Lee, Jong-Mu,Lee, Byeong-Uk,Kim, Yeong-Uk,Lee, Su-Cheon 한국재료학회 1996 한국재료학회지 Vol.6 No.12

배선 재료나 salicide 트랜지스터에 적용될 것으로 기대되는 Cu 배선과 Co 단일층 및 Co/Ti 이중층을 사용하여 형성된 코발트 실리사이드간의 열적 안정성에 대하여 조사하였다. 40$0^{\circ}C$열처리후 Cu3Si 막이 CoSi2층과 Si 기판 사이에 형성되었는데, 이것은 Cu 원자의 확산에 기인한 것이다. $600^{\circ}C$에서의 열처리 후에 형성된 최종막의 구조는 각각 Cu/CoSi2/Cu3Si/Si과 TiO2/Co-Ti-Si 합금/CoSi2/Cu3Si/Si였으며, 상부에 형성된 TiO2층은 산소 오염에 의한 것으로 밝혀졌다.

TiN에 대한 W의 부착특성에 관한 연구(II)

이종무,권난영,이종길,Lee, Jong-Mu,Gwon, Nan-Yeong,Lee, Jong-Gil 한국재료학회 1993 한국재료학회지 Vol.3 No.6

Adhesion of CVD W to the TiN glue layer in the blanket W process which is a promising candidate for filing contact holes in subhalfmicron ULSIs has been investigated. The adhesion was enhanced with increasing the W film thickness due to the decrease of the TiN film stress. The adhesion strength was increased by the sputter etching of the TiN surface prior to the W deposition owing to the removal of contaminants and the increase of the surface roughness. The adhesion of the W film to the TiN glue layer property was also improved by Ar ion implantation of the TiN surface owing to the activation of the TiN surface. Subhalfmicron ULSI의 컨택홀을 메꾸는 기술로 각광받고있는 전면도포(blanket W)법에서 부착특성고양층(glue layer)인 TiN막에대한 CVD-W의 부착특성을 조사하였다. 부착강도는 텅스텐막의 두께가 증가함에 따라 TiN막내의 응력의 감소로 인해 부착특성이 향상되었다. TiN막표면을 스퍼터 에칭하는 진처리를 실시할 경우 막표면의 불순물 제거, 표면 거칠기 증가등의 효과로 부착특성이 개선되었다. 또한 TiN막표면에 Ar이온 주입에 의한 손상을 줄 경우에도 TiN막 표면이 활성화되어 부착특성이 향상되었다.

Co/Nb 이중층 구조의 막역전을 이용한 박막 $CoSi_2$의 형성

이종무,권영재,이병욱,김영욱,이수천,Lee, Jong-Mu,Gwon, Yeong-Jae,Lee, Byeong-Uk,Kim, Yeong-Uk,Lee, Su-Cheon 한국재료학회 1996 한국재료학회지 Vol.6 No.8

Co/Nb 이중층 구조의 RTA처리에 따른 층역전 현상을 이용하여 ${CoSi}_{2}$를 형성하였다. 중간에 삽입된 Nb층은 산화성향이 매우 커서 Si와 Co의 균일한 반응을 방해하는 Si 기판 표면의 산화막을 충분히 제거해 줄 수 있을 뿐만아니라 Co 의 실리사이드화 반응시에 Co와 결합하여 안정한 화합물을 형성해서 기판 Si의 과잉 소모를 막아 줌으로써 실리사이드화 반응을 제어하는 역할을 하는 것으로 나타났다. Co/Nb이중층 구조를 $800^{\circ}C$에서 열처리하여 얻은 최종 구조는 ${NB}_{2}{O}_{5}$/${Co}_{2}$Si.CoSi/${NbCo}_{x}$/Nb(O,C)/${CoSi}_{2}$/Si으로 이층들간의 역전과 안정한 ${CoSi}_{2}$상의 형성은 비교적 고온인 약 $700^{\circ}C$부터 시작되었으며, 전 열처리 온도구간에서 Nb의 실리사이드가 발견되지 않았는데, 이러한 점들은 모두 Nb 산화물이나 Co-Nb합금층과 같은 매우 안정한 중간 구조상들이 Co와 Si의 원활한 이동을 제한하기 때문으로 보인다. Thin $700^{\circ}C$films were formed through layer inversion of Co/Nb bilayer during rapid thermal annealing(RTA). The Nb interlayer seems to effectively prevent over-consumption of Si and to control the silicidation reaction by forming Co-Nb intermetallic compounds and removing the native oxide formed on Si substrate which interferes the uniform Co-Si interaction. The final layer structure of the Co/Nb bilayer after $700^{\circ}C$ RTA was found to be ${Nb}_{2}{O}_{3}$/${Co}_{2}$Si.CoSi/${NbCo}_{x}$/Nb(O, C)/${CoSi}_{2}$/ Si. The layer inversion and the formation of a stable CoSi, phase occurred above $700^{\circ}C$, and the Nb silicides were not found at any annealing temperature. These may be due to the formation of very stable Co-Nb intermetallic compounds and Nb oxides which limit the moving of Co and Si.

Co/metal/Si 이중층 구조의 실리사이드화 열처리에 따른 dopant의 재분포

이종무,권영재,이수천,강호규,배대록,신광수,이도형,Lee, Jong-Mu,Gwon, Yeong-Jae,Lee, Su-Cheon,Gang, Ho-Gyu,Bae, Dae-Rok,Sin, Gwang-Su,Lee, Do-Hyeong 한국재료학회 1998 한국재료학회지 Vol.8 No.3

SIMS를 사용하여 Co/metal 이중층 구조의 실리사이드화 열처리시 발생하는 기판내 도펀트의 재분포 거동에 대하여 조사하였다. Co실리사이드화 반응의 중간층으로는 Ti, Nb, 또는 Hf를 사용하였고, 여러 도펀트들 중 실리사이드 내에서의 확산속도가 특히 빠른 B에 대하여 조사하였다. Co/Ti과 co/Nb의 경우 열처리후 B피크의 높이는 1 order 정도 낮아지지만 표면으로부터의 주피크의 상대적인 위치는 열처리전과 동일하였다. B의 분포양상은 Ti 및 Nb의 그것과 일치하는데, 이것은 B와 Ti 및 Nb간의 친화력이 크기 때문이다. Co/Hf의 경우에도 B의 피크는 Hf과 거의 같았으나, Ti나 Nb에 비해서 약간 차이가 나는 것으로 보다 B-Hf간의 친화력은 다소 떨어지는 것으로 보인다. 전체적으로 열처리후 Co/metal 이중층 실리사이드에서의 B의 재분포는 Si계면에서 고갈되는 반면, Co-metal/Co 실리사이드 계면에서 pile-up되는 양상을 보였다. The redistribution behavior of boron during Co silicidation annealing in the Co/metal/Si system was investigated using SIMS. Ti, Nb and Hf films were used as epitaxy promoting metal layers. After annealing treatment the boron peak height was about 1 order lowered in Co/Ti/Si and Co/Nb/Si systems but the relative peak position from the surface did not change. The distribution of boron was very similar to those of Ti and Nb, because of the strong affinities of boron with them. Also, the position of the main boron peak in the Co/Hf/Si system was almost the same as that of Hf, but the distribution feature of the Co/Hf/Si system somewhat differed from those of Co/Ti/Si and Co/Nb/Si systems. This implies that the affinity between B and Hf is weaker than those of B-Ti and B-Nb. Boron tends to be depleted at the silicidelsi interface while it tends to be piled-up at the Co-metal/Co silicide interface during silicidation annealing.

B, Nb및 Ti를 함유한 극저탄소강에서 탄화물 및 질화물의 석출이 집합조직에 미치는 영향(ll)

이종무,윤국한,이도형,Lee, Jong-Mu,Yun, Guk-Han,Lee, Do-Hyeong 한국재료학회 1993 한국재료학회지 Vol.3 No.2

극저탄소 알루미늄 킬드강내에 합금원소로 첨가된 Al, Ti, Nb, B등은 열처리 공정중 질화물이나 탄화물로 석출되어 강의 재결정집합조직을 변화시킴으로써 강판재의 디입드로잉 특성에 결정적인 영향을 미친다. 본 연구에서는 Ti및 Nb를 단독으로 또는 동시에 첨가한 데 이어, B, P, Si 및 Mn등을 추가로 첨가한 극저탄소 고강도 강판의 집삽조직에 미치는 질화물, 탄화물과 같은 미세 석출물의 영향을 TEM, SEM, 광학현미경분석에 의하여 조사하였다. Nb 및 Ti를 동시에 첨가한 강에서는 미세한 N$b_2$C 및 T$i_2$AIN가 주로 석출되는 반면, Nb를 단독으로 첨가한 강에서는 미세한 AIN 및 조대한 BN이 석출되고,Ti를 단독으로 첨가한 강에서는 비교적 조대한 T${i_4}{N_3}$및 조대한 ${N_10}{N_22}$/T$i_68$이 석출되는 것으로 관찰되었다. 또한 이러한 탄질화물들의 석출에 의하여 세 강이 서로 다른 결정입도를 나타내는데, 결정입도는 Nb 및 Ti동시첨가강과 Nb단독첨가강이 서로 비슷하고, Ti단독첨가강이 가장 큰 것으로 나타났다. Abstract Alloying elements such as AI, Ti, Nb and B in the extra low carbon AI-killed steel precipitate as nitrides or carbides and change the recrystallization texture structure of the steel during heattreatment with the result of strong effects on the deep drawability of the steel sheet. In this study the effects of fine precipitates such as nitrides and carbides on the texture of extra low carbon steels into which Ti, Nb, B, P, Si and Mn were added as alloying elements were investigated by means of TEM, SEM and optical microscopic analyses. Fine N$b_2$C and T$i_2$AIN precipitates are mainly observed in the steel containing both Nb and Ti, while fine AIN and coarse BN precipitates are observed in the Nb~containing steel and coarse T${i_4}{N_3}$ and ${N_10}{N_22}$/T$i_68$ precipitates are observed in the Ti-containing steel. The grain size of the Ti containing steel is larger than that of the Nb containing steel and that of the one containing both Nb and Ti.

3체 인력이 탄소 cluster들의 안정도에 미치는 효과

이종무,Lee, Jong-Mu 한국재료학회 1991 한국재료학회지 Vol.1 No.2

Morse potential을 변형한 2체항(2-body tem)과 Axilrod-Teller potential을 변형한 3체항(3-body tem)으로 구성된 포텐셜에너지 함수를 사용하여 $C_2-C_6$ cluster 동소체들의 에너지들의 에너지를 3체항 세기인자(3-body intensity factor)의 함수로 나타냄으로써 3체 인력의 기여도의 증가함에 따라 carbon cluster들의 구조는 open structure로부터 closed structure로, 또한 복잡한 구조로부터 단순한 구조, 즉 3차원적인 형태로부터 2차원 및 1차원적인 형태로 변해감을 알 수 있었다. A potential energy function comprising a two-body potential term which is modified form Morse potential and a three-body potential term which is modified from Axilrod-Teller potential has been developed for small carbon clusters. The structural changes of small carbon clusters $C_2-C_6$ are qualitatively investigated by employing this potential energy function representing the energies of the small carbon cluster isotopes as a function of the three body intensity factor. It is found that the structure of the small carbon cluster changes from open structure to closed one, from complicated structure to simple one, and from three-dimensional structure to two-or-one dimensional one as the degree of the three-body interaction increases.

리모트 수소 플라즈마를 이용한 Si 기판 위의 Cu 불순물 제거

이종무,전형탁,박명구,안태항,Lee, Jong-Mu,Jeon, Hyeong-Tak,Park, Myeong-Gu,An, Tae-Hang 한국재료학회 1996 한국재료학회지 Vol.6 No.8

리모트 수소 플라즈마를 이용하여 Si 기판 위의 구리 오염의 제거 효과에 관하여 조사하였다. 최적의 공정 조건을 찾기 위하여 Si 기판을 1ppm ${CuCI}_{2}$ 표준 화학 용액으로 인위적으로 오염시킨 후 rf power와 세정시간, 거리 (수소플라즈마 중심에서 Si 기판표면까지의 거리)등의 공정 변수를 변화시키며 리모트 수소 플라즈마 세정을 실시하였다. 리모트 수소 플라즈마 세정 후 Si 표면의 분석을 위하여 TXRF(total x-ray reflection fluorescence)와 AFM(atomic force microscope)측정을 실시하였다. 리모트 수소 플라즈마 세정이 Cu의 제거에 효과적이며 Si 표면의 거칠기에 나쁜 영향을 주지 않음을 TXRF와 AFM 분석결과로부터 알 수 있었다. Cu 불순물의 흡착 메커니즘은 산화 환원 전위 이론으로 설명될 수 있으며, Cu 불순물의 제거 메커니즘은 XPS(x-ray photoelectron spectroscopy)분석결과를 근거로 하여 다음과 같이 설명할 수 있다. :먼저 Cu 이온이 Si 표면에 흡착되어 화학적 산화막을 생성한다. 그 다음, 수소 플라즈마 중의 반응성이 강한 수소이온이 이 산화막을 분해시켜 제거하며 Cu 불순물은 산화막이 제거될 때 함께 제거된다. Removal of Cu impurities on Si substrates using remote H-plasma was investigated. Si substrates were intentionally contaminated by 1ppm ${CuCI}_{2}$, standard chemical solution. To determine the optimal process condition, remote H-plasma cleaning was conducted varying the parameters of rf power, cleaning time and remoteness(the distance between the center of plasma and the surface of Si substrate). After remote H-plasma cleaning was conducted, Si surfaces were analysed by TXRF(total x-ray reflection fluorescence) and AFM(atomic force microscope). The concentration of Cu impurity was reduced by more than a factor of 10 and its RMS roughness was improved by more than 30% after remote H-plasma cleaning. TXRF analysis results show that remote H-plasma cleaning is effective in eliminating Cu impurity on Si surface when it is performed under the optimal process condition. AFM analysis results also verifies that remote H-plasma cleaning makes no damage to the Si surface. The deposition mechanism of Cu impurity may be explained by the redox potential(oxidation-reduction reaction potential) theory. Based on the XPS analysis results we could draw a conclusion that Cu impurities on the Si substrate are removed together with the oxide by a "lift-off" mechanism when the chemical oxide( which forms when Cu ions are adsorbed on the Si surface) is etched off by reactive hydrogen atoms.gen atoms.

구안괘사에 사용(使用)되는 구법(灸法)에 관(關)한 문헌적(文獻的) 고찰(考察)

이종무,이병렬,Lee, Jong-Mu,Lee, Byeong-Ryeol 대전대학교 한의학연구소 1999 한의학연구소 논문집 Vol.8 No.1

B,Nb 및 Ti 를 함유한 극저탄소강에서 탄화물 및 질화물의 석출이 집합조직에 미치는 영향(I)-집합조직과 기계적 성질-

이종무,윤국한,이도형,Lee, Jong-Mu,Yoon, Kuk-Hoon,Lee, Do-Hyeong 한국재료학회 1993 한국재료학회지 Vol.3 No.1

AI킬드한 극저탄소강에 Ti, Nb등의탄화물 또는 질화물 형성원소를 첨가하면 우수한 디프드로잉특성과 내시효성을 나타내는 강판을 얻을 수 있다고 알려져 있으므로 본 연구에서는 Ti및 Nb를 단독 또는 동시에 첨가하거나 B를 추가로 첨가한 고강도 극저탄소 강판을 제조하여 각각의재결정 집합조직과 기계적 성질을 측정비교하여 보았다. 역극점도에 나타난 집합조직강도의 변화를 조사한 결과 어닐링처리에 의하여 (100)면 강도와 (111)면 강도의 변화가 가장 많이 나타난 것은 Nb첨가강이며, Nb와 Ti를 단독으로 첨가한 강과 Ti를 단독으로 첨가한 강은 변화정도가 비슷하였다.극점도를 비교하면,Nb와 Ti를 동시에 첨가한강, Nb를 단독으로 첨가한 강 그리고 Ti를 단독으로 첨가한강 모두 냉간 압연한 상태에서는{112}<110>집합조직이 발달하였으며 어닐링처리한 후에는 {111}<112>집합조직이 잘 발달하였다. 그러나 세 종류의 강간에 집합조직의 차이는 별로 없었다. 결정립도와 관계가 깊은 경도에서는 결정립도가 가장 작은 Nb 및 Ti동시첨가강에서 경도가 가장 높고, Nb단독첨가강, Ti단독첨가강의 순서로 감소하는 경향을 보였다. Excellent deep drawability and strain aging rsistance are obtained by the addition of alloying elements such as Ti and Nb which can form carbide and nitride easily into Al killed extra low carbon steel. Recrystallization textures and mechanical properties of the three different extra low carbon steels with B containing Nb only, Ti only, and both Nb and Ti, respectively, along with have been compared. Inverse pole figure shows that (100) and (111) texture intensities of Nb containing steel changed a lot during the annealing treatment and the degree of texture-structural change in the steel containing both Nb and Ti is about the same as that in the Ti-containing 5teel. After annealing the pole figure shows that the {Ill} < 110 > and {112} < 110> textures are the strongest in the cold rolled state and the annealed state, respectively. However, there is little difference in texture structure among the three kinds of steels. There is a tendency that the steel containing both Nb and Ti the grain size of which is the smallest is the highest in hardness. Nb-containing steel is the next and Ti -containing steel is the last in hardness.