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Hot - wall epitaxy에 의한 Zn - chalcogenide 에피층의 성장 및 구조적 특성
유영문(Young-Moon Yu),남성운(Sungun Nam),이종광(Jongkwang Rhee),오병성(Byungsung O),이기선(Ki-Seon Lee),최용대(Yong Dae Choi),이종원(J. W. Lee) 한국진공학회(ASCT) 1999 Applied Science and Convergence Technology Vol.8 No.4(1)
열벽적층성장법으로 ZnS 및 ZnTe 단결정 박막을 GaAs(100)와 GaP(100) 기판에 성장하였다. 성장한 박막의 방향성 및 결정성을 알아보기 위하여 X-ray 회절과 이중 결정 요동 곡선(DCRC)을 측정하였다. 성장한 박막은 (100) 방향의 zinc-blende 구조를 갖는 단결정임을 알았다. ZnTe 단결정 박막은 93 arcsec의 아주 좋은 DCRC 반치폭 값을 얻었고 ZnS 단결정 박막도 매우 양호한 결과를 얻었다. 두께에 따른 DCRC 반치폭의 변화로부터 단결정 박막 내에 남아있는 스트레인은 격자부정합에 의한 영향뿐만 아니라 열팽창계수 차이에 의한 것도 있음을 알았다. ZnS and ZnTe epilayers were grown on GaAs(100) and GaP(100) substrates by hot-wall epitaxy. X-ray diffraction revealed that the epilayers have zinc-blende structure and were grown in (100) direction. The small values of the full width at half maximum (FWHM) of double crystal rocking curve (DCRC) showed high quality of the epilayers. From the thickness dependence of the FWHM of DCRC, the strain remaining in films is found to be due to the thermal expansion difference as well as due to the lattice mismatch.
진공증착한 ZnTe 다결정 박막의 구조적 특성과 광학적 특성
유영문,남성운,이종광,오병성,이기선 충남대학교 기초과학연구소 1997 忠南科學硏究誌 Vol.24 No.2
Structural and optical properties of polycrystalline ZnTe films, deposited at various substrate temperatures by vacuum evaporation, have been investigated by X-ray diffraction and transmission. The grain size was increased with increasing substrate temperature. The allowed direct band gap and the indirect band gap were found to be 2.25 ∼ 2.27 eV and 2.05 ∼ 2.20 eV, respectively. The absorption coefficient, the extinction coefficient and the refractive index were obtained as a function of the incident photon energy. Near the band edge, the absorption coefficient and the extinction coefficient were about 10^3 ∼ 10^4 ㎝^1 and 10^-1 ∼ 10^-3, respectively. And the refractive index was 2.8 ∼ 3.2.