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윤재호(Yun, JaeHo),안세진(Ahn, SeJin),김석기(Kim, SeokKi),이정철(Lee, JeongChul),송진수(Song, Jinsoo),안병태(Ahn, ByungTae),윤경훈(Yoon, KyungHoon) 한국신재생에너지학회 2005 한국신재생에너지학회 학술대회논문집 Vol.2005 No.06
Cu계I-III-VI₂화합물은 직접천이형 반도체로 광흡수계수가 매우 높아 박막형 태양전지 제조에 매우 유리하다 또한 화학적으로 안정하며 Ga, A1등을 첨가하면 에너지 금지대폭을 조절할 수 있어 Wide Bandgap 태양전지 및 탠덤구조 태양전지를 제조하기에도 용이하다. CuInSe₂(CIS) 물질에서 In을 20-30% 정도 치환한 Cu(In,;Ga)Se₂(CIGS) 태양전지의 경우 19.5%의 세계 최고 효율을 보고하고 있으며 이는 다결정 실리콘 태양전지의 효율과 비슷한 수준이다. 본 연구에서는 동시 진공증발법을 이용하여 증착한 CIGS 박막 및 CuGaSe₂(CGS) 박막을 이용하여 태양전지를 제조하였다. 공정의 재현성 및 결정립계가 큰 광흡수층 제조를 위하여 실시간 기판 온도 모니터링 시스템을 도입하였으며 버퍼층으로는 용액성장한 CdS 박막을 사용하였다. SLG/MO/CIGS(CGS)/CdS/ZnO/Al구조의 태양전지를 제조하여 면적 0.5cm²에서 각각 15%(CIGS)와 7%(CGS)의 효율을 얻었다.
CulnSe<sub>2</sub>계 화합물 박막 태양전지 연구
윤재호 ( Jaeho Yun ),안세진 ( Sejin Ahn ),김석기 ( Seokki Kim ),이정철 ( Jeongchul Lee ),송진수 ( Jinsoo Song ),김기환 ( Ki Hwan Kim ),안병태 ( Byungtae Ahn ),윤경훈 ( Kyunghoon Yoon ) 한국신재생에너지학회 2005 신재생에너지 Vol.1 No.2
CulnSe<sub>2</sub>(CIS)계 화합물은 직접천이형 반도체로 광흡수계수가 매우 높아 박막형 태양전지 제조에 매우 유리하다. 또한 화학적으로 안정하며 Ga, AI 등을 첨가하면 에너지 금지대폭을 조절할 수 있어 Wide Bandgap 태양전지 및 탠덤구조 태양전지를 제조하기에도 용이하다. CIS 물질에서 In을 20-30% 정도 치환한 Cu(ln,Ga)Se<sub>2</sub>(CIGS) 태양전지의 경우 19.5%의 세계 최고 효율을 보고 하고 있으며 이는 다결정 실리콘 태양전지의 효율과 비슷한 수준이다. 본 연구에서는 동시 진공증발법을 이용하여 증착한 CIGS 박막 및 CuGaSe<sub>2</sub>(CGS) 박막을 이용하여 태양 전지를 제조하였다. 공정의 재현성 및 결정립계가 큰 광흡수층 제조를 위하여 실시간 기판 온도 모니터링 시스템을 도입하였으며 버퍼층으로는 용액성장한 CdS 박막을 사용하였다. SLG/Mo/CIGS(CGS)/CdS/ZnO/AI 구조의 태양전지를 제조하여 면적 0.5㎠에서 각각 17%(CIGS)와 7%(CGS)의 효율을 얻었다.
윤재호(Yun, JaeHo),안세진(Ahn, SeJin),김석기(Kim, SeokKi),이정철(Lee, JeongChul),송진수(Song, JinSoo),김기환(Kim, Ki Hwan),안병태(Ahn, Byung Tae),윤경훈(Yoon, KyungHoon) 한국신재생에너지학회 2005 신재생에너지 Vol.1 No.2
[ CulnSe₂]계 화합물은 직접천이형 반도체로 광흡수계수가 매우 높아 박막형 태양전지 제조에 매우 유리하다. 또한 화학적으로 안정하며 Ga, Al 등을 첨가하면 에너지 금지대폭을 조절할 수 있어 Wide Bandgap 태양전지 및 탠덤구조 태양전지를 제조하기에도 용이하다. CIS 물질에서 In을 20?30% 정도 치환한 Cu(In,Ga)Se₂ (CIGS) 태양전지의 경우 19.5%의 세계 최고 효율을 보고하고 있으며 이는 다결정 실리콘 태양전지의 효율과 비슷한 수준이다. 본 연구에서는 동시 질공증발법을 이용하여 증착한 CIGS 박막 및 CuGaSe₂ (CGS) 박막을 이용하여 태양전지를 제조하였다. 공정의 재현성 및 결정립계가 큰 광흡수층 제조를 위하여 실시간 기판 온도 모니터링 시스템을 도입하였으며 버퍼층으로는 용액성장한 CdS 박막을 사용하였다. SLG/MO/CIGS(CGS)/CdS/ZnO/Al 구조의 태양전지를 제조하여 면적 0.5cm² 에서 각각 17%(CIGS) 와 7%(CGS) 의 효율을 얻었다.
a-Si:H/c-Si 이종접합 태양전지용 전면 투명전도막 최적화 연구
정대영(Jeong, Daeyoung),송준용(Song, Junyong),김경민(Kim, Kyungmin),박주형(Park, Joo Hyung),송진수(Song, Jinsoo),이희덕(Lee, Hi-Deok),이정철(Lee, JeongChul) 한국신재생에너지학회 2011 한국신재생에너지학회 학술대회논문집 Vol.2011 No.05
a-Si:H/c-Si 구조의 이종접합 태양전지 전면 투명전도막으로 Indium tin oxide(ITO) 박막의 조건에 따라 태양전지 특성을 연구하였다. ITO 박막은 파우더 타겟으로 마그네트론 스퍼터링 방식으로 성막하였고, 증착 온도(Ts)에 따라 전기적, 광학적 특성을 비교, 분석하였다. 기판 증착 온도가 증가할수록 박막의 저항이 낮아지는 것으로 나타났으며 350?C 조건에서 가장 낮은 저항(34.2{Omega}/sq)을 보였다. 투과도 또한 기판 증착 온도가 올라갈수록 전반적인 향상을 나타냈다. a-Si:H/c-Si 기판의 MCLT(minority carrier lifetime)는 350?C에서 최적(359{mu}s)의 결과를 나타냈다. 그 이상의 기판 온도에서는 오히려 감소하였는데, 이는 높은 온도에서의 a-Si:H/c-Si 계면의 열손상으로 판단된다.
Surface passivation study of a-Si:H/c-Si heterojunction solar cells using VHF-CVD
송준용(Song, JunYong),정대영(Jeong, Daeyoung),김경민(Kim, Kyoung Min),박주형(Park, Joo Hyung),송진수(Song, Jinsoo),김동환(Kim, Donghwan),이정철(Lee, JeongChul) 한국신재생에너지학회 2011 한국신재생에너지학회 학술대회논문집 Vol.2011 No.05
In amorphous silicon and crystalline silicon(a-Si:H/c-Si) heterojuction solar cells, intrinsic hydrogenated amorphous silicon(a-Si:H) films play an important role to passivate the crystalline silicon wafer surfaces. We have studied the correlation between the surface passivation quality and nature of the Si-H bonding at the a-Si:H/c-Si interface. The samples were obtained by VHF-CVD under different deposition conditions. The passivation quality and analysis of all structures studied was performed by means of quasi steady state photoconductance(QSSPC) methods and fourier transform infrared spectrometer(FTIR) measurements respectively.
송준용(Song, JunYong),정대영(Jeong, Daeyoung),김찬석(Kim, Chan Seok),박상현(Park, Sang Hyun),조준식(Cho, Jun-Sik),윤경훈(Yun, Kyounghun),송진수(Song, Jinsoo),이정철(Lee, JeongChul) 한국신재생에너지학회 2010 한국신재생에너지학회 학술대회논문집 Vol.2010 No.06
This paper investigates the dependence of a-Si:H/c-Si passivation and heterojunction solar cell performances on various cleaning processes of silicon wafer and surface morphology. It is observed that passivation quality of a-Si:H thin-films on c-Si wafer highly depends on wafer surface conditions. The MCLT(Minority carrier life time) of wafer incorporating intrinsic (i) a-Si:H as a passivation layer shows sensitive variation with cleaning process and surface morpholgy. By applying improved cleaning processes and surface morphology we can obtain the MCLT of 200{mu}sec after H-termination and above 1.5msec after i a-Si:H thin film deposition, which has implied open circuit voltage of 0.720V.