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Si(111)$4{\times}1$-In 표면에의 수소원자 흡착 연구
유상용,이근섭,Yu Sang-Yong,Lee Geun-Seop 한국진공학회 2006 Applied Science and Convergence Technology Vol.15 No.2
Scanning tunneling microscopy (STM)를 이용하여 Si(111)$4{\times}1$-In 표면에의 수소원자 흡착의 영향을 고찰하였다. STM 이미지에서 수소원자는 $4{\times}1$-In chain의 한 쪽 줄에 있는 두개의 연속된 밝은 부분 사이에 위치한다. 이 H 원자는 두 줄의 zigzag subchain 중의 한 쪽에만 선택적으로 흡착되는 경향성을 보이며 이는 수소원자의 흡착에 표면 밑의 구조가 영향을 미침을 시사한다. 표면에 흡착된 수소원자는 흡착위치 주위의 국소적 변형 뿐 만 아니라 chain 방향으로 멀리 떨어진 곳에도 영향을 미쳐서 STM 이미지에 두 배 주기의 modulation이 나타나게 한다. 수소흡착에 의해 유도되는 두 배 주기의 modulation은 기존에 보고된 Na 원자 흡착에 의해 유도되는 상과 다름을 확인하였다. Using scanning tunneling microscopy (STM) measurements, we studied the adsorption of hydrogen on the Si(111)$4{\times}1$-In surface at room temperature. The H atom features are found to be located between the two protrusions in one side of the $4{\times}1$ chain. The adsorbed H preferentially occupies one of the two zigzag In subchains, suggesting that the adsorption of H is influenced by the subsurface structure. The adsorbed H atom induces not only a localized distortion but also perturbs the distant region and results in a period-doubling modulations in the STM images. This H-induced perturbation differs from the Na-Induced perturbation on the same surface.
유상용(Yu, Sang-Yong),이승재,박지훈(Park, Ji-Hun) 대한교통학회 2007 대한교통학회 학술대회지 Vol.56 No.-
과거의 교통시설 투자효과 분석 절차는 철도투자의 실제적인 효과를 체계적이고 합리적으로 평가하지 못했다. 따라서 육상교통시설의 투자 선정에서 철도가 상대적으로 저평가를 받는 요인이 되어왔다. 또한 철도사업에 있어서 통행시간 절감 면익은 도로에서 철도로 전환된 수요량에 대한 통행비용도 함께 계산되어야 한다. 이 비용을 계산하면 음의 값을 갖는 편익이 발생한다. 이로 인해, 철도의 경쟁력 약화는 물론 사회경제적 비용을 상승 시키는 결과를 초래하게 되었다. 본 연구의 목적은 철도 관련한 시간가치 등 일부 항목에 대한 추가적인 연구의 교통시설을 객관적으로 평가하기 위함이다. 이를 위해서 철도 정시성(Reliability)을 객관적으로 파악해야만 효율적인 철도 편익의 산출을 할 수 있을 것이라 판단된다. 하지만 철도 정시성 편익을 산출하기 위한 기존 방법의 대부분이 정성적 지표 제시에 머물고 있으며, 방법 또한 명확히 제시하지 못하고 있는 실정이다.
유상용(Sang-Yong Yu),이근섭(Geunseop Lee) 한국진공학회(ASCT) 2006 Applied Science and Convergence Technology Vol.15 No.2
Scanning tunneling microscopy (STM)를 이용하여 Si(111)4×1-In 표면에의 수소원자 흡착의 영향을 고찰하였다. STM 이미지에서 수소원자는 4×1-In chain의 한 쪽 줄에 있는 두개의 연속된 밝은 부분 사이에 위치한다. 이 H 원자는 두 줄의 zigzag subchain 중의 한 쪽에만 선택적으로 흡착되는 경향성을 보이며 이는 수소원자의 흡착에 표면 밑의 구조가 영향을 미침을 시사한다. 표면에 흡착된 수소원자는 흡착위치 주위의 국소적 변형 뿐 만 아니라 chain 방향으로 멀리 떨어진 곳에도 영향을 미쳐서 STM 이미지에 두 배 주기의 modulation이 나타나게 한다. 수소흡착에 의해 유도되는 두 배 주기의 modulation은 기존에 보고된 Na 원자 흡착에 의해 유도되는 상과 다름을 확인하였다. Using scanning tunneling microscopy (STM) measurements, we studied the adsorption of hydrogen on the Si(111)4×1-In surface at room temperature. The H atom features are found to be located between the two protrusions in one side of the 4×1 chain. The adsorbed H preferentially occupies one of the two zigzag In subchains, suggesting that the adsorption of H is influenced by the subsurface structure. The adsorbed Hatom induces not only a localized distortion but also perturbs the distant region and results in a period-doubling modulations in the STM images. This H-induced perturbation differs from the Na-induced perturbation on the same surface.