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InGaAs 완충층의 In 조성과 성장 정지 과정에 따른 InAs양자점 표면 형상 관찰
양창재,김정섭,심욱,윤의준 한국진공학회 2007 한국진공학회 학술발표회초록집 Vol.16 No.2
The effects of low temperature Ge buffer layers on the growth of pure Ge on Si(001)
신건욱,양창재,이상수,윤의준 한국진공학회 2010 한국진공학회 학술발표회초록집 Vol.38 No.-
Periodic AsH₃ Interruption 을 이용한 InAs/InGaAs dot-in-a-well 구조 성장 및 광학적 특성 연구
김정섭,양창재,이영수,안응진,문필경,윤의준 한국진공학회 2007 한국진공학회 학술발표회초록집 Vol.16 No.1
Growth of InGaP on Ge substrates by metalorganic chemical vapor deposition for triple junction solar cells
이상수,양창재,신건욱,윤의준 한국진공학회 2010 한국진공학회 학술발표회초록집 Vol.38 No.-
The effects of hydrogen treatment on the properties of Si-doped Ga0.45In0.55P/Ge structures for triple junction solar cells
이상수,양창재,하승규,김창주,신건욱,오세웅,박진섭,박원규,최원준,윤의준 한국진공학회 2010 한국진공학회 학술발표회초록집 Vol.39 No.-
Si 기판 저항률이 GaAs/Ge 이중접합 태양전지 효율에 미치는 영향
오세웅,양창재,신건욱,전동환,김창주,박원규,고철기,윤의준 한국진공학회 2012 한국진공학회 학술발표회초록집 Vol.2012 No.2
Optical properties of InAs/InGaAs dot-in-a-well structure grown by periodic arsine interruption method
김정섭,양창재,심욱,윤의준 한국진공학회 2007 한국진공학회 학술발표회초록집 Vol.16 No.2
Highly uniform InAs self-assembled quantum dots grown by metalorganic chemical vapor deposition with periodic AsH₃ interruption (PAI)
김정섭,양창재,신건욱,이영수,윤의준 한국진공학회 2007 한국진공학회 학술발표회초록집 Vol.16 No.2
자발형성 양자점 성장 기술 동향
김정섭,양창재,윤의준,Kim, Jeong-Seop,Yang, Chang-Jae,Yun, Eui-Jun 한국전기전자재료학회 2008 전기전자재료 Vol.21 No.4
Study of multi-stacked InAs quantum dot infrared photodetector grown by metal organic chemical vapor deposition
김정섭,하승규,양창재,이재열,박세훈,최원준,윤의준 한국진공학회 2010 한국진공학회 학술발표회초록집 Vol.38 No.-
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