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- 저자 : 양정목(Jeongmok Yang) (검색결과 4 건)
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광촉매반응에 의한 Reactive Black 5의 색도제거 연구
양정목(Jeongmok Yang),송진수(Jinsu Song),박철환(Chulhwan Park),김상용(Sangyong Kim) 한국청정기술학회 2008 청정기술 Vol.14 No.3
본 연구에서는 광촉매 산화반응을 이용한 반응성염료(Reactive Black 5)의 오염부하 저감율(TOC, 색도제거율)을 조사하였다. 광촉매 반응활성의 주요한 인자로서 염료농도, TiO₂ 주입량 및 pH 조건을 최적화하였으며, 실험에 적용된 최적의 조건은 각각 100 ㎎/L, 2 g/L, pH 4.9였다. 용존산소의 경우에는 산소의 농도가 증가함에 따라 처리속도도 함께 증가하였다. 새로운 TiO₂를 적용한 경우와 MF 세라믹 분리막에 의해 재생된 TiO₂를 각각 적용하여 실험한 결과 색도제거율과 처리속도에는 약간의 차이를 보였으나, 반응 전반에는 영향을 주지 않았다. We investigated the reduction of pollutants such as TOC (total organic carbon) and decolorization of Reactive Black 5 (RB5) by photocatalytic oxidation. The optimal values of major parameters for the reaction were obtained including the concentration of RB5, the amount of TiO₂ dosage and pH of solution. The values were 100 ㎎/L, 2 g/L and 4.9, respectively. As the concentration of oxygen increased, removal rate of pollutants increased. After TiO₂ was regenerated and used again by micro filtration (MF) ceramic membrane, the removal efficiency of color and removal rate of pollutants did not decrease significantly.
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김상용(Sangyong Kim),양정목(Jeongmok Yang),조진구(Jin Ku Cho),이도훈(Dohoon Lee) 한국청정기술학회 2008 청정기술 Vol.14 No.4
최근 주요 선진국을 중심으로 환경규제가 전면적으로 확대되어가고 있다. 특히 작년 발효된 REACH (Registration, Evaluation, Authorization and Restriction of Chemicals) 제도의 경우 우리나라의 주요 수출품이 모두 규제 대상 물품이 될 수 있기 때문에 환경규제에 대한 대응이 미흡할 경우 수출중심의 우리나라 경제에 결정적인 타격이 예상 된다. 그러므로 본고에서는 산업경쟁력 유지 및 지속가능성의 확보를 위한 기반을 마련하고자 REACH에 대한 전반적인 이해와 더불어 최근 REACH의 준비 및 현황에 대해 조사하였으며, 현재 기업 및 정부대응의 문제점을 짚어보고 REACH 관련 전문가들의 수렴된 의견을 통해 정책을 제언하고자 하였다. In recent years, the extensive expansion of environmental regulations is led by advanced countries. In particular, REACH (Registration, Evaluation, Authorization and Restriction of Chemicals) effective from 2007 issues a serious threat to export-dependent Korean economy because the principal exports of Korea may infringe upon the regulation. Here, we introduce a general comprehension and current situation of REACH in order to cope with possible crisis caused by REACH. Furthermore, we indicate a trouble in counter-plan prepared by companies and government and wish to suggest appropriate measures on the basis of experts opinions.
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양자점을 이용한 플래시 메모리 기반 뉴로모픽 소자 연구
최지수(Jisoo Choi),양정목(Jeongmok Yang),김예은(Yeeun Kim),강다현(Dahyun Kang),박찬규(Changyu Park),정소연(Soyeon Jung),김석규(Seokgyu Kim),김용덕(Yongduk Kim),손병희(Byunghee Son),장문규(Moongyu Jang) 한국물리학회 2022 새물리 Vol.72 No.10
뇌에서는 외부 자극에 의해 뉴런들의 연관성이 높아지면 시냅스를 통하여 연결 강도가 달라지게 된다. 본 연구에서는 양자점을 사용하여 이러한 시냅스를 구현하는 소자를 제작하고 평탄대 전압을 변화시키며 메모리 효과를 확인하였다. Pt/Cr/Al₂O₃/Quantum Dots/SiO₂/Si 기판의 수직 구조를 가진 소자를 제작하였고, 소자의 동작을 위해 게이트 전극에 전압을 가하였다. 이때, 절연막 손상이 발생하지 않는 적절한 프로그래밍/이레이징 전압 범위 설정이 필요하므로 전류-전압을 측정하여 절연막의 항복 전압을 도출하였다. 이후, 적절한 프로그래밍 전압을 인가하며 정전용량-전압 측정을 진행하였고 이를 통해 양자점의 메모리 효과를 확인하였다. 우리는 소자에 인가하는 전압의 크기와 시간을 변경하며 양자점에 포획되는 전자의 수를 조절하였고, 양자점에 포획된 전자의 수에 따라 평탄화 전압을 변화시켜 여러 단계의 상태를 표현할 수 있었다. 이를 통해 상태가 다양한 강도의 아날로그 형태로 변화하는 시냅스 특성을 표현할 수 있는 가능성을 확인하였다. In the human brain, when the neuron association is increased by an external stimulation, the strength of the connection changes through the synapses. The semiconductor devices emulating these synapses are called neuromorphic devices. In this research, a device acting as a synapse was manufactured using quantum dots (QDs), and the memory effect was confirmed by changing the flatband voltage (VFB) through the injection and depletion of electrons into the QDs. The fabricated device contained a vertical gate stack Pt/Cr/QDs/Al₂O₃/SiO₂/Si substrate, and a current-voltage characteristic was used to determine the breakdown voltage and the select programming voltage within a range that did not affect the oxide. Subsequently, the capacitance-voltage was measured by applying the programming voltage, and the memory effect of QDs was confirmed. The number of electrons stored in QDs were adjusted by changing the voltage and time to the device, and the state of several steps was implemented by varying the VFB depending on the number of electrons stored in QDs. Through the manufactured device, we confirmed that the implementation of a synaptic device was possible with multiple connection strengths.
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