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OTS 선택 소자가 있는 상변화 메모리의 컴팩트 모델을 활용한 회로 시뮬레이션
심건호(Geon-Ho Sim),백승재(Seung-Jae Baik) 대한전자공학회 2021 대한전자공학회 학술대회 Vol.2021 No.6
A compact model was proposed for circuit simulation of a Phase Change Memory (PCM) with an Ovonic Threshold Switch (OTS) selector. The OTS model is controlled by shallow and deep traps. [1] The PCM model is controlled by temperature, melting, crystallization, and resistance modules. [2] In this paper, a circuit simulation was performed in a cell with a crossbar array structure using this model.