http://chineseinput.net/에서 pinyin(병음)방식으로 중국어를 변환할 수 있습니다.
변환된 중국어를 복사하여 사용하시면 됩니다.
한국에서 자산 및 소득의 이중적 불평등: 국제 비교 관점에서 본 한국의 불평등 구조의 특성
신진욱 한신대학교 민주사회정책연구원 2013 민주사회와 정책연구 Vol.0 No.23
이 연구는 선진자본주의사회들에서 자산불평등도와 소득불평등도가 일반적으로어떤 관계에 놓여 있는지를 분석하고, 한국에서 자산불평등과 소득불평등의 다중격차 구조의 특성을 도출하는 것을 목표로 한다. 이 논문의 주요한 발견은 다음과같다. 첫째, 한국의 2000년대 주택가격 변동의 심각성은 주택가격 자체의 상승률보다는 소득 대비 주택가격이 대단히 높다는 데서 찾을 수 있다. 즉, 한국에서 주택자산의 불평등이 초래하는 고통은 소득불평등의 악화와 사회보장의 결핍이라는 또다른 차원의 문제를 함께 고려할 때 온전히 이해될 수 있다. 둘째, 대부분의 선진자본주의 국가에서 자산불평등과 소득불평등은 어느 한쪽의 상대적 불평등이 다른한쪽의 상대적 평등에 의해 상쇄되는 패턴을 보여주는 데 반해, 한국에서는 2000년대 이후 자산불평등과 소득불평등의 동반 상승으로 임금소득과 가계자산 중 어느쪽으로도 경제적 필요를 충족하기 힘든 이중적 불평등 구조가 심화되고 있다. 그러므로 거시적으로 소득·자산·복지의 세 차원을 함께 시야에 넣는 정책적 로드맵이필요하며, 특히 저소득, 무주택, 복지 사각지대라는 최악의 존재 조건에 처한 인구층을 위한 특별한 대책이 요구된다.
코로나 사태 전후 사회계층별 사교육 이용률 분석 : 서울 지역을 중심으로
신진욱 인하대학교 교육연구소 2022 교육문화연구 Vol.28 No.5
본 연구의 목적은 서울 지역의 코로나 사태 전후 사회계층별 사교육 이용률 변화를 살펴보고 계층 간 변화패턴차이의 원인을 밝히는 것이다. 통계청 초중고사교육비조사 자료를 회귀모형을 활용하여 분석한 결과, 코로나 바이러스가대유행 국면에 접어든 2020년에 모든 사회계층의 사교육 이용률이 직전년도 대비 감소하였으나 그 변화율에 사회계층별차이가 발견되었다. 높은 사회계층의 직전년도 대비 변화율은 –7.6% 수준으로 나타났지만 낮은 사회계층의 경우–11.6% 수준으로 훨씬 더 큰 수치를 기록했으며, 두 계층 간 변화율 차이는 통계적으로 유의미한 것으로 나타났다. 사교육 유형과 과목별 변화패턴을 확인한 결과 대면접촉을 필요로 하는 오프라인 형태의 사교육과 국·영·수·사·과이외의 기타과목에서 두드러진 감소가 발견되었다. 사회계층 간 상이한 사교육 이용률 변화패턴이 어떤 요인에 기인한것인지 사교육 수요와 공급측 요인으로 구분하여 확인한 결과, 수요측 요인인 사회계층별 이질적 소득충격이 이번변화 양상을 일부 설명할 수 있다고 분석되었다. 이번 연구는 코로나 사태 이후 사회계층별 교육투자 상황을 자세히분석함으로써 아직 크게 진행되지 않은 국내 연구문헌을 확장하고 있으며, 교육정책 수립에 시의성 있는 정보를제공하며 정책적으로 기여하고 있다
플레티늄-실리사이드를 이용한 쇼트키 장벽 다결정 박막 트랜지스터
신진욱,정홍배,이영희,조원주,Shin, Jin-Wook,Chung, Hong-Bay,Lee, Young-Hie,Cho, Won-Ju 한국전기전자재료학회 2009 전기전자재료학회논문지 Vol.22 No.6
Schottky barrier thin film transistors (SB-TFT) on polycrystalline silicon(poly-Si) are fabricated by platinum silicided source/drain for p-type SB-TFT. High quality poly-Si film were obtained by crystallizing the amorphous Si film with excimer laser annealing (ELA) or solid phase crystallization (SPC) method, The fabricated poly-Si SB-TFTs showed low leakage current level and a large on/off current ratio larger than 10), Significant improvement of electrical characteristics were obtained by the additional forming gas annealing in 2% $H_2/N_2$ ambient, which is attributed to the termination of dangling bond at the poly-Si grain boundaries as well as the reduction of interface trap states at gate oxide/poly-Si channel.