전로용 MgO-C질 내화벽돌의 손상요인

김의훈,오영우,이철수,김종성,김종희 한국세라믹학회 1986 한국세라믹학회지 Vol.23 No.1

It was the first time the MgO-C brick was developed for the lining materials in the hot spots in electric are furnace in 1972. MgO-C brick is high registant to thermal and structural spalling. Futhermore for the reason that carbon is hard to react with slag and MgO is high fireproof MgO-C brick shows a high corrosion registance to slag attack compared with conventional basic refractories. Owing to their excellent properties the use of MgO-C refractories are being developed widely in the field of shaped refractories and even in that of monolithic refractories. In this paper the oxidation of carbon the infiltration of slag into the brick texture and effects of additions were investigated. The results obtained were as follows : 1) The use of fused MgO-clinker and high purity carbon as raw materials increased the corosion registance and hot modulus of rupture of MgO-C brick. 2) As the oxidation reaction of the carbon proceeded the slag infiltrated into the brick texture. And then the slag components reacted with the MgO grains and formed low melting point compounds particulary CaO.MgO.$SiO_2$ and 3CaO.MgO.$2SiO_2$ that resulted in the wear of the brick. 3) It is recongnized the Al, Si, $B_3C$ effects on the oxidation registant properties of MgO-C brick by contribu-ting to the decrease of permeability according to the formation of $Al_4C_3$, SiC, $B_2O_3$ and the decrease of open pores relating to the formation of MgO.Al2O3, $SiO_2$, 3MgO.$B_2O_3$ at the decarbonized layer.

비정질 실리콘 박막의 안정성 연구

김의훈 漢陽大學校 自然科學硏究所 1996 自然科學論文集 Vol.15 No.-

PECVD를 이용하여 불소가 첨가된 비정질 실리콘 박막과 이온 샤우어 도핑을 이용하여 완전 보상된 비정질 실리콘 박막을 제작하여 전기적 특성을 조사하엿다. a-Si : H : F 박막에서 SiF₄유량이 증가하면 SiH₂모드의 크기가 증가하고, 전기전도도와 광감도는 감소한다. 이온 도핑 방법에 의해 제작된 완전 보상형 비정질 실리콘 박막의 보상 조건은 P이온 도즈량이 5.9×??㎠일 때, B이온 도즈량이 4.9×??㎠이다. 완전 보상형 비정질 실리콘의 상온에서의 전기전도도는 ∼1.6×??/cm이고, 잔여광전기전도도(Persistent Photoconductivity ; PPC)는 빛 조사시간에 따라 증가하였다. We have studied the electrical properties of a-Si : H : F films by PECVD and compensated a-Si : H films by ion shower technique. With increasing SiF₄ flow rate, SiH₂mode intensity increased and conductivity and photosensitivity decreased. Fully compensated a-Si : H films prepared by incorporations of both 5.9×??cm₂ PH₂/H₂ plasma ions and 4.9×??㎠ ??/H₂ plasma ions. At room temperature, dark conductivity of fully compensated a-Si : H film is ∼1.6×1??/cm and persistent photoconductivity increased with light exposure time.

현대(1910-1961) 에큐메니칼 교회론에 나타난 '일치'에 대한 종말론적 이해

김의훈 대학복음화학회 2004 대학과 복음 Vol.0 No.10

部分放電을 이용한 새로운 表面転写法

金義薰 대한전기학회 1973 대한전기학회 워크샵 Vol.1973 No.8

제네바종교개혁(1541-1555)의 당면 과제들

김의훈 대학복음화학회 2001 대학과 복음 Vol.5 No.-

존 칼빈 (1509-64) 은 쪼빙글리 (Ulrich Zwingli. 1484-1531) 와 더불어 개혁전통 (the Reformed Tradition)' 의 시조로서, 루터 (1483-1546) 에 의해 본격적으로 시작된 유럽종교개혁의 제 2세대를 가장 주도적으로 이끌어 간 개혁자였다. 일반적으로 종교개혁의 제 1 세대로 불리우는 시기는 그것의 제 2 세대의 등장과 성공 이 없이는 실상 교회사에서 한갖 소용돌이로만 그쳐 버렸을 것이라고 충분히 상정해봄직한 것이 다. 칼빈의 제네바 개혁 프로그램은, 그러므로, 종교개혁 자체를 회생시킨 것이요, 종교개혁을 뚜렷한 ‘전통’ 으로 자리매김한 결정적인 것으로 서, 하나의 역사적 단위로서의 16 세기 유럽종교개혁을 완성한 것이라 할 수 있다. 본고는 이 개혁의 프로그램이 지닌 소위 1관주도적 (magisterial) ’ 성격이 칼빈이 실제적으로 맞딱뜨리는 상황 속에서 어떻게 그 제도적 특정을 형성하게 되는지를 살펴보고, 그리고 그것이 안 고 있는 긴장의 성격을 이해하고자 한다. 제 2 장에서는 제네바종교개혁을 위한 칼빈의 두번 째 시도 (1541-1555) 는 그 첫번째의 것 (1536- 1538) 보다, 그리고 종교개혁 제 1세대에 비해 능동적이고도 더욱 명료화된 관주도적 정체를 추구하는 것임을 살펴보기로 하고, 제 3장에서는 이에 수반되는 시의회와 장로회의 사이의 정치적 갈등의 핵심이 어디에 있었는지를 살펴본다. 이어서 제 4 장과 5 장에서는 칼빈의 제네바 교회정치에 대한 반대세력들과 그들의 주장에 대해 간략하게 정리해보고자 한다. 결론적으로, 성서적 복음주의자이자 또한 종교개혁의 제1세대의 충실한 제자로서 ‘불가시적 교회’ 에 대해 강조한 그의 입장은 적어도 당시 제네바의 주어진 상황 속에서 온전히 유지될 수가 없었으며, 개혁의 과정속에서 ‘불가시적’ 교회와 .가시적 교회 사이의 고백적 / 신학적 구분 은 그 유효성을 잃어버리게 되고 오직 교회의 '7t 시적’ 구성만이 하나의 불가피한 과정으로 나타났다는 점을 지적하고자 한다.

코로나 放電寫眞의 응용

金義薰 漢陽大學校 基礎科學硏究所 1981 基礎科學論文集 Vol.1 No.-

The effects of variations in image quality and its field dependence on the corona discharge photograph have been explored experimentally. The radiation of light from the surface due to the corona discharge is greatly affected by the condition of the conducting surfaces located in the field between plane parallel electrodes. Therefore, the spark-breakdown voltage is affected by the presence of unevenness on the surfaces of the coin located in the field between the plane parallel electrodes. This paper shows that the image quality of the corona discharge image of the surface of coin in a plane to plane gap in air at atmospheric pressure generally depends on the multiplicational results of the discharge voltage and time.

종교개혁기 이후 18세기까지의 영국에의 원시 교파상에 대한 소고

김의훈 대학복음화학회 2002 대학과 복음 Vol.6 No.-

종교개혁기 이후 18세기까지의 영국에의 원시 교파상에 대한 소고

김의훈 대학복음화학회 2002 대학과 복음 Vol.0 No.6

고온 초전도체 CYBa₂Cu₃O의 초전도성에 관한 연구

김재욱,김채옥,김의훈 漢陽大學校 基礎科學硏究所 1993 基礎科學論文集 Vol.12 No.-

고온 초전도체 ??의 X-선 회절 측정은 실온에서 수행되었으며, 수송 임계전류밀도와 저항측정은 각각 77K와 80∼160K범위의 온도에서 조사되었다. 또한 자화율과 자기임계전류밀도의 값은 30K의 온도에서 자기 이력곡선으로 부터 구하였다. X-선 회절 무늬의 분석으로 부터 초전도체의 결정구조는 직방정계임을 알 수 있었으며, 고온 초전도 전이온도 Tc는 92.5K값을 가졌다. 수송임계전류의 밀도의 값은 190A/㎠이었다. 완전 반자성과 낮은 임계장은 30K의 온도에서 각각 35.1%와 375 Oe이었다. 임계전류 밀도의 값은 10²∼10³A/㎠범위에 있었다. X-ray diffraction measurement for high Tc superconductor ?? was carried out at room temperature. The transport critical current density and resistivity were determined at 77K as well as in the range of 80∼160K. Also the magnetic susceptibility and the magnetic critical current density were measured from the magnetic hysterisis loops obtained at 30K. The X-ray diffraction analysis indicated that the phase of the sample is orthorhombic. The transiton temperature Tc was 92.5K. The transport critical current density was 190A/㎠. The perfect diamagnetism and the lower critical field were 35.1% and 375 Oe at 30K, respectively. The values of the magnetic critical current densities were in the range of 10²∼10³A/㎠.

MYCALEX의 유전 特性에 관한 硏究

金彩玉,金義薰 漢陽大學校 基礎科學硏究所 1984 基礎科學論文集 Vol.3 No.-

본 연구에서는 Mycalex의 전기적 특성중 주로 誘電率, 誘電正接의 주파수와 온도 의존성에 대한 특성조사와 아울러 絶綠耐力 比低抗등을 조사하였다. 측정 주파수 영역은 5×10~1.5×10⁴K㎐이다. 연구결과 Mycalex시료에 대해서 다음과 같은 내용의 특성을 얻었다. ① 유전율의 주파수 특성을 5×10³K㎐에서 굴절점을 가지고 있다. ② 유전율의 값은 型造溫度가 상승할수록 커지며 tanδ의 값은 작아진다. ③ 유전손율은 굴절점 이상의 고주파칙에서는 거의 일정하며 그 값은 0.1~0.5의 범위내에 있다. ④ 體積抵抗率은 형조 온도가 상승함에 따라 指數曲線的으로 增加되고, 表面抵抗率은 거의 일정한 값이다. ⑤ 절연내력의 범위는 2.4×10⁴~3.5×10⁴V/mm이다. ⑥ Mycalex의 형조 온도는 670℃~690℃가 적당하다. This paper puts great emphasis upon investigating the electric specific properties of the Mycalex such as permitivity, dielectric loss, the dependence of dielectric loss tangent on frequency and temperature, the breaking point of insulation, and specific resistance etc. The range of frequency measurement was from 5×10K㎐ to 1.5×10⁴K㎐. The results obtained by this study are as follows: 1. The frequency dependence of permitivity shows a bending point at 5×10³K㎐. 2. The rate of dielectric loss shows almost a constant at high frequency range above the bending point and the point is in the range of 0.1to 0.5. 3. The value of permitivity increases with the manufacturing temperature and decreases with the value of dielectric loss tangent. 4. The rate of volume resistance increases logarithmically with the manufacture temperature. The rate of surface resistance show almost a constant value. 5. The range of breaking point of insulation was from 2.4×10⁴ to 3.5×10⁴V/mm. 6. The profitable manufacturing temperature range of mycalex was known to be 670℃ to 690℃.