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High Speed Graphics SDRAM을 위한 저 전력, 저 노이즈 Data Bus Inversion
곽승욱(Seung-Wook Kwack),곽계달(Kae-Dal Kwack) 대한전자공학회 2009 電子工學會論文誌-SD (Semiconductor and devices) Vol.46 No.7
본 논문은 DRAM에서 DBI (Data Bus Inversion)를 이용한 새로운 방식의 High Speed 아키텍쳐를 설명하고자한다. DBI는 SSO와 LSI와 같은 잘 알려진 문제를 감소시키기 위한 방식중의 하나이다. 본 논문에서는 Analog Majority Voter(AMV), DBI Flag에 의한 GIO 제어회로, 새로운 SSO Algorithm과 같은 많은 아키텍쳐들이 Data Bus의 천이(Toggle) 개수를 줄이기 위해서 제안되었다. DBI Flag에 의해 GIO데이터 반전 여부를 결정되기 때문에 파워 소모가 감소될 수 있고, 데이터 Eye diagram도 40ps이상 증가될 수 있게 되었다. 제안된 DBI Scheme을 이용하였을 때 High speed 동작에서 거의 안정한 SI특성을 얻을 수 있게 됐다. 90nm CMOS TechNoogy를 이용하여 제조되었다. This paper presents new high speed architecture using DBI(Data Bus Inversion) in DRAM. The DBI is one of the general methods in the signaling circuits to decrease the known problems such as SSO and LSI<SUP>[1]</SUP>. Many architectures have been proposed to reduce the number of transitions on the data bus. In this paper, the DBI, the Analog Majority Voter (AMV) circuit, the GIO control circuit and the SSO algorithm are newly proposed. The power consumption can be reduced with the help of direct GIO inversion method and the eye diagram of data can be increased to 40ps. Using proposed DBI scheme can produce almost stable SI of DQs against high speed operation. The DBI is fabricated in 90nm CMOS TechNoogy.
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