http://chineseinput.net/에서 pinyin(병음)방식으로 중국어를 변환할 수 있습니다.
변환된 중국어를 복사하여 사용하시면 됩니다.
Evaluation of the Usefulness of Detection of Abdominal CT Kidney and Vertebrae using Deep Learning
이현종(Hyun-Jong Lee),곽명현(Myeong-Hyeun kwak),윤혜원(Hye-Won Yoon),류은진(Eun-Jin Ryu),송현경(Hyeon-Gyeong Song),홍주완(Joo-Wan Hong) 한국방사선학회 2021 한국방사선학회 논문지 Vol.15 No.1
전산화단층촬영은 질병 진단 등 의료분야에 중요한 역할을 담당하고 있지만, 검사 건수 및 검사 별 영상 증가가 지속되고 있다. 최근 의료분야에 딥러닝 이용이 활발히 이루어지고 있으며, 의료영상을 이용한 딥러닝 중 객체 검출을 통해 보조적 질병 진단에 활용되고 있다. 본 연구는 객체 검출 딥러닝 중 YOLOv3 모델을 이용하여 복부 CT 중 콩팥과 척추를 검출하여 정확도를 평가하고자 한다. 연구 결과 콩팥과 척추의 검출 정확도는 83.00%와 82.45% 였으며, 이를 통해 딥러닝을 이용한 의료영상 객체 검출에 대한 기초자료로 활용될 수 있을 것이라 사료된다. CT is important role in the medical field, such as disease diagnosis, but the number of examination and CT images are increasing. Recently, deep learning has been actively used in the medical field, and it has been used to diagnose auxiliary disease through object detection during deep learning using medical images. The purpose of study to evaluate accuracy by detecting kidney and vertebrae during abdominal CT using object detection deep learning in YOLOv3. As a results of the study, the detection accuracy of the kidney and vertebrae was 83.00%, 82.45%, and can be used as basic data for the object detection of medical images using deep learning.
WNx Self - Align Gate GaAs LDD MESFET의 제작 및 특성
문재경(Jae Kyoung Mun),김해천(Haecheon Kim),곽명현(Myeong-Hyeon Kwak),강성원(Sung-Won Kang),임종원(Jong-Won Lim),이재진(Jae Jin Lee) 한국진공학회(ASCT) 1999 Applied Science and Convergence Technology Vol.8 No.4(2)
본 연구에서는 SiO₂ side-wall 공정을 이용하여 내열금속 WN_x 자기정렬형 게이트 갈륨비 소 MESFET을 개발하였다. MESFET은 평면 대칭형 자기정렬 구조를 가지며, 이온주입법을 이용하여 집적화가 가능하게 하였다. 게이트전압 +0.6V에서 전달컨덕턴스는 354 mS/㎜, 포화전류는 171 ㎃/㎜를 나타내었다. RF 측정 결과 기생성분의 de-embedding없이 차단주파수는 43 ㎓이상으로 평가되었다. WN_x 자가정렬형 게이트 갈륨비소 MESFET 기술은 휴대전화기, 개인이동통신, 무선통신망과 같은 디지털 이동통신 시스템용 선형 전력 증폭기 집적회로나 다기능 모노리씩 집적회로를 구현하는데 활용될 것으로 기대된다. We have developed a refractory WN_x self-aligned gate GaAs metal-semiconductor field-effect transistor (MESFET) using SiO₂ side-wall process. The MESFET has a fully ion-implanted, planar, symmetric selfalignment structure, and it is quite suitable for integration. The uniform trans-conductance of 354 mS/㎜ up to Vgs=+0.6V and the saturation current of 171 ㎃/㎜ were obtained. As high as 43 ㎓ of cut-off frequency has been realized without any de-embedding of parasitic effects. The refractory WN_x self-aligned gate GaAs MESFET technology is one of the most promising candidates for realizing linear power amplifier ICs and multifunction monolithic ICs for use in the digital mobile communication systems, such as hand-held phone (HHP), personal communication system (PCS) and wireless local loop(WLL).