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막대 형태의 비구면 렌즈를 이용한 광통신용 시준기의 설계
강석봉,강은경,황보창권,강상도,김종섭,Kang, Seok-Bong,Kang, Eun-Kyoung,HwangBo, Chang-Kwon,Kang, Sang-Do,Kim, Jong-Sup 한국광학회 2008 한국광학회지 Vol.19 No.1
결합효율이 높고 정렬오차 발생 시 결합효율의 저하가 작은 광통신용 비구면 렌즈 시준기를 설계하였다. 비구면 시준 렌즈는 GRIN 렌즈와 작동거리와 두께가 유사하고 외경이 동일한 원통형 막대 형태로 설계해 GRIN 렌즈를 대체할 수 있도록 하였다. 결합효율의 저하는 시준렌즈의 구면수차에 의해 주요하게 발생하므로, 비구면 렌즈 시준기가 볼 렌즈, GRIN 렌즈 및 C-렌즈 시준기보다 높은 결합효율을 가지도록 비구면 계수를 최적화 해 구면수차를 낮추었다. 설계한 비구면 렌즈 시준기의 결합효율은 기존 시준기들보다 높았으며 정렬오차에 따른 결합효율의 감소도 작았다. A rod-type aspheric lens collimator for the optical telecommunication system which shows high coupling efficiency and experiences small coupling loss for misalignment errors is designed. The working distance, thickness, and diameter of the rod-type aspheric lens are determined to be close to those of the GRIN lens collimator in order to replace the GRIN lens with the rod-type aspheric lens. Since the coupling loss mainly originated from the spherical aberration of the lens, the spherical aberration in the rod-type aspheric lens is reduced drastically, and it turns out that the coupling efficiency of the rod-type aspheric lens collimator is higher than that of the available collimators, such as ball lens, GRIN lens, and C-type lens collimators.
강석봉,김형욱,Gang, Seok-Bong,Kim, Hyeong-Uk 한국기계연구원 1993 硏究論文集 Vol.23 No.-
본 연구는 국내의 플랜지 전문생산업체에서 제작하여 국외의 정유회사로 공급한 플랜지중 1개가 수압시험중 균열이 발생되어, 이에 대한 원인규명을 하고자 하였다. 먼저 균열이 간 플랜지와 동일재질의 건전한 플랜지를 입수하여 화학성분분석, 기계적 성질, 개재물, 경도측정 및 미세조직관찰을 통하여 비교조사하였고 파괴플랜지 용접부의 조직 및 경도측정으로 용접부의 영향을 조사하였다. 또한 파괴면의 육안관찰, SEM, EPMA 및 XRD분석으로써 균열발생 시기와 상태등을 추정하였다.
$N_2O$ 분위기에서 열산화법으로 성장시킨 $SiO_2$초박막의 전기적 특성
강석봉,김선우,변정수,김형준,Gang, Seok-Bong,Kim, Seon-U,Byeon, Jeong-Su,Kim, Hyeong-Jun 한국재료학회 1994 한국재료학회지 Vol.4 No.1
$SiO_{2}$초박막(ultrathin film)의 두께 조절 용이성, 두께 균일성, 공정 재현성 및 전기적 특성을 향상시키기 위해 실리콘을 $N_{2}O$분위기에서 열산화시켰다. $N_2O$분위기에서 박막 성장시 산화와 동시에 질화가 이루어지기 때문에 전기적 특성의 향상을 가져올 수 있었다. 질화 현상에 의해 형성된 Si-N결합 형성은 습식 식각율과 ESCA분석으로 확인할 수 있었다. $N_2O$분위기에서 성장된 $SiO_{2}$박막은 Fowler-Nordheim(FN)전도 기구를 보여주었으며, 절열파괴 특성과 누설 전류특성 및 산화막의 신뢰성은 건식 산화막에 비해서 우수하였다. 또한 계면 포획밀도는 건식 산화막에 비해 감소하였고, 전하를 주입했을 때 생성되는 계면 준위의 양 또는 크게 감소하였다. 산화막 내부에서의 전하 포획의 양도 감소하였고, 전하를 주입하였을 때 생성되는 전하 포획의 양도 감소하였다. 이와 같은 전기적인 특성의 향상은 산화막 내부에서 약하게 결합하고 있는 Si-O 결합들이 Si-N결합으로의 치환과 스트레스 이완에 의하여 감소하였기 때문이다. The ultrathin oxide films less than 100$\AA$ were grown by thermal oxidation in $N_2O$ ambient to improve the controllability of thickness, thickness uniformity, process reproducibility and their electrical properties. Oxidation rate was reduced significantly at very thin region due to the formation of oxynitride layer in $N_2O$ ambient and moreover nitridation of the oxide layer was simultaneously accompanied during growth. The nitrogen incorporation in the grown oxide layer was characterized with the wet chemical etch-rate and ESCA analysis of the grown oxide layer. All the oxides thin films grown in $N_2O$, pure and dilute $O_2$ ambients show Fowler-Nordheim electrical conduction. The electrical characteristics of thin oxide films grown in $N_2O$ such as leakage current, electrical breakdown, interface trap density generation due to the injected electron and reliability were better than those in pure or dilute ambient. These improved properties can be explained by the fact that the weak Si-0 bond is reduced by stress relaxation during oxidation and replacement by strong Si-N bond, and thus the trap sites are reduced.