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스퍼터링 조건에 따른 Co 박막의 증착속도 및 미세구조의 변화
백주열,박창만,최영근,이기암,황도근 단국대학교 신소재기술연구소 1992 신소재 Vol.2 No.-
DC 마그네트론 스퍼터링법으로 제조된 코발트 박막에 대해 증착속도 및 미세구조에 미치는 스퍼터링조건의 영향을 조사하였다. 증착속도는 투입전력이 커질수록 증가하였으며, 아르곤 압력이 커질수록 감소하였는데, 이는 투입전력의 증가로 인한 타게트 표면의 이온전류 밀도의 상승과 Ar 압력증가에 따른 비산효과의 증대로 인한 타게트 표면의 이온 전류 밀도의 감소로 고찰되었다. 투입전력이 커질수록 결정립의 크기가 감소하였으며, 투입 전력에 관계없이 특정한 면이 발달하지 않는 비정실 구조를 나타내었다. Ar 압력에 관계없이 비정질 구조를 나타내었다. We have investigated the influence of sputtering condition on deposition rate and microstructure of Co thin film produced by the method of DC Magnetron Sputtering. Deposition rate increased with the input power due to the rise in ionic current density on the surface of target, and decreased with the pressure of Ar gas due to the decrement of ionic current density by the effect of diffusion. Microstructure of the Co thin film became a finer structure with the increase in the input power, and showed amorphous irrespective of the charge of the input power and the pressure of Ar gas.