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- 저자 : 전법주 ( Bup Ju Jeon ) (검색결과 33 건)
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저온 산화공정에 의해 낮은 D<sub>it</sub>를 갖는 실리콘 산화막의 제조
전법주,정일현,Jeon, Bup-Ju,Jung, Il-Hyun 한국공업화학회 1998 공업화학 Vol.9 No.7
ECR 산소플라즈마를 이용하여 저온 확산법에 의해 서로 다른 종류의 기판에 마이크로파 출력, 기판의 위치 등을 실험변수로 실리콘 산화막을 제조하고, 열처리 전 후 물리 화학적 특성을 분석하여 Si/O 의 조성비, 산화막 표면의 morphology와 전기적 특성과의 관계를 살펴보았다. 마이크로파 출력이 높은 영역에서, 산화속도는 증가하지만 식각으로 인하여 표면조도가 증가하였다. 따라서 막내에 결함이 증가하고 기판자체에 걸리는 DC bias의 증가로 기상에 존재하는 산소 양이온이 다량 함유되어 산화막의 질이 저하되었다. 기판의 종류에 따라 기상에 존재하는 산소 양이온의 함량은 Si(100) <Si(111) < poly Si 순서로 나타났다. 열처리함으로써 $Si/SiO_2$계면에 존재하는 결함들은 줄일 수 있으나, 고정전하와 계면포획전하 밀도는 열처리와 무관하고 단지 기상에 존재하는 반응성 산소이온의 양과 기판자체 DS bias에 의존하였다. 마이크로파 출력이 300, 400 W인 실험조건에서 표면조도가 낮고, 계면결함밀도가 ${\sim}9{\times}10^{10}cm^{-2}eV^{-1}$로 $Si/SiO_2$계면에서 결함이 적은 양질의 산화막이 얻어졌다. In this work, the $SiO_2$ films on the silicon substrate with different orientations were first prepared by the low temperature process using the ECR plasma diffusion as a function of microwave power and oxidation time. Before and after thermal treatment, the surface morphology, Si/O ratio from physicochemical properties, and the electrical properties of the oxide films were also investigated. The oxidation rate increased with microwave power, while surface morphology showed the nonuniform due to etching. The film quality, therefore, was lowered with increasing the defect by etching and the content of positive oxide ions in the oxide films from bulk by higher self-DC bias. The content of positive oxide ions in the oxide films with different Si orientations showed Si(100) < Si(111) < poly Si. The defects in $Si/SiO_2$ interface of $SiO_2$ film could be decreased by annealing, while $Q_{it}$ and $Q_f$ were independent of thermal treatment and the dependent on concentration of reactive oxide ions and self-DC bias of substrate. At microwave power of 300, and 400 W, the high quality $SiO_2$ film that had lower surface roughness and defect in $Si/SiO_2$ interface was obtained. The value of interface trap density, then, was ${\sim}9{\times}10^{10}cm^{-2}eV^{-1}$.
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실리콘배향에 따른 산화 속도 영향과 표면 Morphology
전법주,오인환,임태훈,정일현 ( Bup Ju Jeon,In Hwan Oh,Tae Hoon Lim,Il Hyun Jung ) 한국공업화학회 1997 공업화학 Vol.8 No.3
ECR 산소 플라즈마를 사용한 건식산화법에 의해 두 가지 실리콘 배향에 대하여 실리콘 산화막을 제조한 후 Deal-Grove(D-G)모델과 Wolters-Zegers-van Duynhoven (W-Z)모델에 적용하여 시간에 따르는 막 두께의 변화를 살펴보았으며 산화속도와 산화막의 표면 morphology의 상관관계를 조사하였다. 실리콘 산화막의 두께는 Si(100)과 Si(111) 모두 반응 시간이 짧은 영역에서 선형적으로 증가하였으나 반응시간이 경과함에 따라 화학반응 속도 보다 산화막을 통과하는 반응성 라디칼들의 확산이 율속단계로 작용하여 산화속도의 증가폭이 다소 둔화되었다. D-G모델과 W-Z모델에서 확산 및 반응속도는 Si(100)보다 Si(111)이 더 큰 값을 갖기 때문에 반응속도는 1.13배 더 크게 나타났으며 이들 모델은 실험 값과 잘 일치하였다. 표면 morphology는 산화 속도가 증가해도 식각현상이 일어나지 않는 실험 조건에서 산화막의 표면 조도가 일정하였으며, 기판의 위치가 하단 전자석에 근접하고 마이크로파 출력이 증가하여 식각현상이 일어나는 실험 조건에서 표면 조도는 산화속도와 관계없이 크게 나타났다. The SiO₂ films were prepared by ECR(electron cyclotron resonance) plasma diffusion method, Deal-Grove model and Wolters-Zegers-van Duynhoven model were used to estimate the oxidation rate which was correlated with surface morphology for different orientation of Si(100) and Si(111). It was seen the SiO₂ thickness increased linearly with initial oxidation time. But oxidation rate slightly decrease with oxidation time. It was also shown that the oxidation process was controlled by the diffusion of the reactive species through the oxide layer rather than by the reaction rate at the oxide interface. The similar time dependency has been observed for thermal and plasma oxidation of silicon. From D-G model and W-Z model, the oxidation rate of Si(111) was 1.13 times greater than Si(100) because Si(111) had higher diffusion and reaction rate, these models more closely fits the experimental data. The SiO₂ surface roughness was found to be uniform at experimental conditions without etching although oxidation rate was increased, and to be nonuniform due to etching at experimental condition with higher microwave power and closer substrate distance.
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γ-Alumina에 담지된 산화구리에 의한 SO<sub>2</sub>의 제거에 관한 수치모사
전법주,홍인권,박경애,정일현,Jeon, Bup Ju,Hong, In Kwon,Park, Kyung Ai,Jung, Il Hyun 한국공업화학회 1994 공업화학 Vol.5 No.3
세공분포가 서로 다른 두 종류(KHT, X-5)의 ${\gamma}$-알루미나 pellet에 아황산가스를 흡착 제거시킬 경우 반응이 진행되면서 각각의 세공벽에 반응생성층이 형성되어 반응속도 상수($K_v$), 세공률(${\varepsilon}_p$), 유효내부 확산계수($D_e$)의 변화와 세공반경이 줄어들어 세공막힘 현상이 일어나게 된다. 이들 영향을 고려하여 세공분포를 이용한 Random pore model로 최적반응온도 $450^{\circ}C$에서 산화구리의 각 담지농도(4, 6, 8, l0 wt%)와 아황산가스의 농도(1000, 2000ppm)에 대한 전환율을 수학적 모델로부터 계산하였다. 산화구리의 담지농도가 증가할수록 세공내의 유효반응 표면적과 세공률의 감소, 내부확산저항의 증가, 미세세공의 세공막힘 현상으로 전환율은 감소하였다. 총괄 전환율은 ${\gamma}$-알루미나 pallet의 표면 국부 전환율에 크게 의존하였으며 산화구리의 담지농도가 낮고 아황산가스의 농도가 클수록 증가하였다. 반응기에 유입되는 아황산가스의 유속은 반응초기 CuO의 전환율에 영향을 주었고 세공분포가 발달하여 세공율이 큰 ${\gamma}$-알루미나 pellet일수록 전환율은 높게 나타났다. Numerical solutions were obtained to the model equations for various of the parameters characterizing the pore structure, effective internal diffusion, and the chemical reaction constant. The conversion was decreased with the cause of pore closure at the surface of reacting particles, reduction of porosity, surface area of reaction and effective diffusion coefficient in the solid with the progress of reaction. Total conversion was strongly dependent on the local conversion at surface. According to the decreasing of impregnated concentration of the copper oxide and the increase of the flue gases concentration, total conversion was increased. The conversion was affected by gas flow rate and pore size distribution in the reacting solid.
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γ- Alumina 에 담지된 산화구리에 의한 SO2 의 제거에 관한 수치모사
전법주,홍인권,박경애,정일현 ( Bup Ju Jeon,In Kwon Hong,Kyung Ai Park,Il Hyun Jung ) 한국공업화학회 1994 공업화학 Vol.5 No.3
세공분포가 서로 다른 두 종류(KHT, X-5)의 γ-알루미나 pellet에 아황산가스를 흡착 제거시킬 경우 반응이 진행되면서 각각의 세공벽에 반응생성층이 형성되어 반응속도 상수(K_v), 세공률(ε_p), 유효내부 확산계수(D_e)의 변화와 세공반경이 줄어들어 세공막힘 현상이 일어나게 된다. 이들 영향을 고려하여 세공분포를 이용한 Random pore model로 최적반응온도 450℃에서 산화구리의 각 담지농도(4, 6, 8, 10wt%)와 아황산가스의 농도(1000, 2000ppm)에 대한 전환율을 수학적 모델로부터 계산하였다. 산화구리의 담지농도가 증가할수록 세공내의 유효반응 표면적과 세공률의 감소, 내부확산 저항의 증가, 미세세공의 세공막힘 현상으로 전환율은 감소하였다. 총괄 전환율은 γ-알루미나 pellet의 표면 국부 전환율에 크게 의존하였으며 산화구리의 담지농도가 낮고 아황산가스의 농도가 클수록 증가하였다. 반응기에 유입되는 아황산 가스의 유속은 반응초기 CuO의 전환율에 영향을 주었고 세공분포가 발달하여 세공율이 큰 γ-알루미나 pellet일수록 전환율은 높게 나타났다. Numerical solutions were obtained to the model equations for various of the parameters characterizing the pore structure, effective internal diffusion, and the chemical reaction constant. The conversion was decreased with the cause of pore closure at the surface of reacting particles, reduction of porosity, surface area of reaction and effective diffusion coefficient in the solid with the progress of reaction. Total conversion was strongly dependent on the local conversion at surface. According to the decreasing of impregnated concentration of the copper oxide and the increase of the flue gases concentration, total conversion was increased. The conversion was affected by gas flow rate and pore size distribution in the reacting solid.
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전법주,박용준,윤용수,정일현 ( Bup Ju Jeon,Yong Joon Park,Yong Soo Yoon,Il Hyun Jung ) 한국공업화학회 1995 공업화학 Vol.6 No.5
THF에 폴리스티렌을 용해시킨 후 20 ㎑의 주파수를 갖는 초음파를 조사시키면서 일정한 시간 간격으로 시료를 채취하여 GPC로 분석하였다 시료는 각각 1, 4, 8(w/v)%로 준비하여 반응기에 충진하였고 반응기의 온도는 273K, 293K, 313K로 조절하여 실험하였다. 분해정도는 초기의 수평균 분자량에 대하여 감소하는 수평균 분자량의 비인 degradation index로 정의하여 나타내었다. Schulz 분포함수와 log-normal 분포함수를 이용하여 각 분자량에 따른 연속 분포함수를 표현함으로써 분자량의 감소를 확인하였다. 그리고 조사시간에 따른 분해 속도상수를 결정하였다. 실험한 결과에 따르면 초음파에 의한 폴리스티렌의 분해율은 온도가 낮을수록 그리고 농도가 낮을수록 증가함을 알 수 있었다. Polystyrene dissolved in tetrahydrofuran was irradiated using the ultrasound with 20 ㎑, and then the molecular weight change was measured by GPC under a variety of experimental conditions. Polymer solutions were prepared in the concentration of 1, 4 and 8%(w/v) in THF and reaction temperature was at 273K, 293K, and 313K. Molecular weight variatious at each temperature and concentration expressed in terms of degradation index, the ratio of the number average molecular weight of the degraded chains to that initially present. Continuous distribution function as a function of molecular weight was shown by the Schulz distribution function. Degradation rate of polystyrene decreased as increasing the temperature and also decreasing the concentration of polystyrene.
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