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위절제술을 시행한 4기 위암 환자들의 근치도에 따른 예후
서유정(Yu Jeong Seo),배정민(Jung Min Bae),김세원(Se Won Kim),김상운(Sang Woon Kim),송선교(Sun Kyo Song) 대한외과학회 2009 Annals of Surgical Treatment and Research(ASRT) Vol.77 No.3
Purpose: This study was conducted to evaluate the survival differences between curative stage Ⅳ and non-curative stage Ⅳ gastric cancers after gastrectomy. Methods: Stage Ⅳ gastric cancer patients who received gastrectomy were selected from our surgical data-base from 1995 to 2004. These patients were separated into two groups according to the curability by surgery. We analyzed the survival differences between curative stage Ⅳ patients and non-curative stage Ⅳ patients. Survival analysis was performed by Kaplan-Meier survival analysis. Results: During a 10-year period, gastrectomy was performed in 2,214 patients. 224 patients were diagnosed as stage Ⅳ. 144 patients were male and 80 patients were female. 97 patients received total gastrectomy. 127 patients received subtotal gastrectomy. 173 patients were diagnosed with curative stage Ⅳ and 51 patients were non-curative stage Ⅳ. Overall 3-year and 5-year survival rates of stage Ⅳ gastric cancer patients in this study were 31.5% and 18.4%. 3-YSR of curative and non-curative stage Ⅳ were 36.0% and 16.7% respectively (P-value=0.0204). 5-YSR of curative and non-curative stage Ⅳ was 21.9% and 4.2% (P-value=0.0169). Conclusion: Significant survival differences were found between curative and non-curative stage Ⅳ. Although direct tumor extension or distant metastasis exists, gastrectomy with combined resection was important to improve prognosis if it is possible to resect. When it comes to the matter of survival rate, the subclassification of stage Ⅳ gastric cancer should be considered for further management.
Cr-SrTiO<sub>3</sub> 박막을 이용한 Si 기반 1D 형태 저항 변화 메모리의 전류-전압 특성 고찰
송민영,서유정,김연수,김희동,안호명,김태근,Song, Min-Yeong,Seo, Yu-Jeong,Kim, Yeon-Soo,Kim, Hee-Dong,An, Ho-Myoung,Kim, Tae-Geun 한국전기전자재료학회 2011 전기전자재료학회논문지 Vol.24 No.11
In this paper, in order to suppress unwanted current paths originating from adjacent cells in a passive crossbar array based on resistive random access memory (RRAM) without extrinsic switching devices, 1-diode type RRAM which consists of a 0.2% chromium-doped strontium titanate (Cr-$SrTiO_3$) film deposited on a silicon substrate, was proposed for high packing density, and intrinsic rectifying characteristics from the current versus voltage characteristics were successfully demonstrated.
Interface Traps Analysis as Bonding of The Silicon/Nitrogen/Hydrogen in MONOS Capacitors
김희동,안호명,서유정,장영걸,남기현,정홍배,김태근,Kim, Hee-Dong,An, Ho-Myoung,Seo, Yu-Jeong,Zhang, Yong-Jie,Nam, Ki-Hyun,Chung, Hong-Bay,Kim, Tae-Geun The Institute of Electronics and Information Engin 2009 電子工學會論文誌-CI (Computer and Information) Vol.46 No.12
본 연구는 실리콘 기판과 실리콘 산화막 사이의 계면 트랩 밀도와 게이트 누설 전류를 조사하여, Metal-Oxide-Nitride-Oxide-Silicon (MONOS) 메모리 소자의 계면 트랩 특성의 수소-질소 열처리 효과를 조사하였다. 고속열처리 방법으로 850도에서 30초 동안 열처리한 MONOS 샘플들을 질소 가스와 수소-질소 혼합 가스를 사용하여 450도에서 30분 동안추가 퍼니스 열처리 공정을 수행하였다. 열처리 하지 않은 것, 질소, 수소-질소로 열처리 한 세 개의 샘플 중에서, 커패시터-전압 측정 결과로부터 수소-질소 열처리 샘플들이 가장 적은 계면 트랩 밀도를 갖는 것을 확인하였다. 또한, 전류-전압 측정 결과에서, 수소-질소 열처리 소자의 누설전류 특성이 개선되었다. 위의 실험 결과로부터, 수소-질소 혼합 가스로 추가 퍼니스 열처리의해 실리콘 기판과 산화막 사이의 계면 트랩 밀도를 상당히 줄일 수 있었다. The effect of hydrogen-nitrogen annealing on the interface trap properties of Metal-Oxide-Nitride-Oxide-Silicon (MONOS) capacitors is investigated by analyzing the capacitors' gate leakage current and the interface trap density between the Si and $SiO_2$ layer. MONOS samples annealed at $850^{\circ}C$ for 30 s by rapid thermal annealing (RTA) are treated by additional annealing in a furnace, using annealing eases $N_2$ and 2% hydrogen and 98% nitrogen gas mixture $(N_2-H_2)$ at $450^{\circ}C$ for 30 mins. Among the three samples as-deposited, annealed in $N_2$ and $N_2-H_2$, MONOS sample annealed in an $N_2-H_2$ environment is found to have the lowest increase of interface-trap density from the capacitance-voltage experiments. The leakage current of sample annealed in $N_2-H_2$ is also lower than that of sample annealed in $N_2$.
김두훈 ( Doo-hoon Kim ),이병권 ( Byung-kwon Lee ),서유정 ( Yu-jeong Seo ),이주성 ( Ju-seong Lee ),곽홍규 ( Hong-kyu Kwack ),유갑상 ( Gab-sang Yoo ) 한국정보처리학회 2012 한국정보처리학회 학술대회논문집 Vol.19 No.1
현재 상용화되고 전자칠판에 쓰이는 모든 소프트웨어는 2D 판서를 지원하는 소프트웨어였으나 최근 3D TV등의 지속적인 보급과 3D 전자칠판의 점차적인 보급으로 인하여 최근의 추세에 맞추어 3D 화면에 동작하는 3D 판서를 요구하고 있다. 업계에서는 점차 3D 판서가 대두됨에 따라 3D판서를 할 수 있는 새로운 기법이 등장해야 하는 시기이다. 본 논문은 3D 전자칠판의 하드웨어에 이용될 수 있는 알고리즘의 연구이다. 3D 전용 패널을 활용한 하드웨어에 최적화된 3D 판서 소프트웨어에 포함 될 방법론을 제시한다. 이를 위해 기존의 판서 소프트웨어의 방법론과 함께 기본적인 3D의 원리를 이용하여 구현된 알고리즘을 제안한다.
이병권 ( Byong-kwon Lee ),김두훈 ( Doo-hoon Kim ),서유정 ( Yu-jeong Seo ),최진구 ( Jinku Choi ),전중남 ( Joongman Jeon ) 한국정보처리학회 2012 한국정보처리학회 학술대회논문집 Vol.19 No.1
교실 현대화 또는 교과교실 지원 사업에 의하여 현재 대부분의 학교는 2D 형 LCD 타입의 전자칠판을 설치하여 운용하고 있으며, 현재는 3D 전자칠판의 도입이 활성화되고 있는 시기이다. 본 연구는 상호응답형 3D 전자칠판에 대한 연구이다. 상호응답형 3D 전자칠판의 구성은 영상을 제어를 위한 AD보드, 3D 변환을 위한 3D변환 포맷터, 해상도 제어를 위한 FRC보드로 결합되며, 상호응답형 전자칠판을 구현하기위해 {x,y,z} 좌표 축출을 위한 전자팬 및 양안 카메라 기술을 적용했다. 또한 실시간 3D 판서 운용을 위한 3D 판서소프트웨어에 대한 구현 방법과 운용 구성에 대하여 연구했다.