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- 저자 : 구회우(Hoe Woo Koo) (검색결과 5 건)
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BiCMOS공정 N-MOSFET 소자의 1/f 잡음특성
구회우,이기영,Koo, Hoe-Woo,Lee, Kie-Young 한국전기전자학회 1999 전기전자학회논문지 Vol.3 No.2
SPICE잡음모델식 및 그 모델변수들의 특성을 조사하기 위하여, BiCMOS공정으로 제조된 NMOS소자에서 1/f 잡음을 측정하여 기존에 발표된 1/f 잡음의 실험결과 및 모델들과 비교해 보았다. 일반적으로 알려진 드레인 잡음전류의 전력밀도 스펙트럼 $S_{Id}$의 게이트 바이어스 의존도 및 드레인 전압에 따른 그 특성이 본 연구의 n-MOSFET소자에서도 측정되었다. 등가게이트 전압잡음전력밀도 $S_{Vg}$의 바이어스 의존도도 채널의 길이가 비교적 길 때에는 이론 및 실험적으로 알려진 결과와 대체적으로 일치하나, 짧은 채널에서는 $S_{Id}$ 및 $S_{Vg}$에 관한 기존 모델들의 적용이 타당하지 않았다 그러므로 본 논문에서는 서로 상이한 잡음모델들을 비교해서 본 연구의 시료소자인 BiCMOS공정에 적용 가능한 1/f 잡음모델을 모색하였다. To investigate SPICE noise model and the behavior of its parameters, 1/f noise of NMOS devices fabricated by BiCMOS process is measured and compared to the various noise models and measured results. For the long channel devices, bias dependence of the drain current noise power spectral density $S_{Id}$ of NMOS is similar to the previous results. Equivalent gate noise power spectral density $S_{Vg}$ shows weak dependence on the gate and drain voltages in long channel NMOS as the previous results. However, it is shown that most of published noise models are difficult to apply to short channel devices. Therefore, in this study, with comparison of our experimental results, we have tried to find the model of 1/f noise, appropriate for our NMOS device fabricated by BiCMOS process.
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구회우,이기영,Koo, Hoe-Woo,Lee, Kie-Young 한국전기전자학회 1999 전기전자학회논문지 Vol.3 No.2
J noise component due to base spreading resistance ${\gamma}_{bb}$ of bipolar junction transistors fabricated by BiCMOS process is experimentally analyzed. The analysis of equivalent noise circuit for common collector shows that output 1/f noise value is purely generated from ${\gamma}_{bb}\;when\;g_m^{-1}-{\gamma}_{bb}-R_B$ is closely to zero. From the $S^{1/f}_{Irbb}=K_fI_b{^{A_1}}/f$, we fine that $A_f=2,\;K_f{\simeq}5{\times}10^{-9}$. And Hooge constant ${\alpha}$ values are in the order, of 10$^{-3}$. BiCMOS 공정으로 제조된 바이폴라 트랜지스터의 베이스 분산저항 ${\gamma}_{bb}$에서 발생되는 1/f 잡음을 실험 적으로 분석하였다. 공통컬렉터 잡음등가회로의 해석으로부터 $g_m^{-1}-{\gamma}_{bb}-R_B$값이 매우 작을 때는 출력측에서의 1/f 잡음은 순수하게 ${\gamma}_{bb}$에서 발생되는 잡음임을 실험을 통해서 확인할 수 있었다. $S^{1/f}_{Irbb}=K_fI_b{^{A_1}}/f$에서 $A_f=2,\;K_f{\simeq}5{\times}10^{-9}$를 얻었다. 그리고 Hooge상수 ${\alpha}$ 값은 ${\sim}10^{-3}$ 범위로 추출되었다.
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포켓 이온주입으로 비균질 채널도핑을 갖는 MOSFET소자의 드레인 전류 해석
구회우,박주석,이기영,Koo, Hoe-Woo,Park, Joo-Seog,Lee, Kie-Young 대한전자공학회 1999 電子工學會論文誌, D Vol.d36 No.9
OSFET 소자의 펀치스루 현상 및 문턱전압의 roll-off 방지하는 효율적 방법으로 알려져 있는 halo 포켓 이온주입방법은 MOSFET 드레인 전류의 감소를 가져온다. Halo 구조 MOSFET의 드레인 전류 감소는 보통 문턱 전압의 증가로 설명되고 있으나, 실험적으로 드레인 전류의 감소는 문턱전압의 증가로 예상된 드레인 전류 감소 보다 크게 관찰되고 있다. 본 연구에서는 halo 도핑분포에 의해서 채널방향으로 생성되는 전계분포의 효과에 의한 드레인 전류의 감소를 분석하였다. 포켓 이온주입에 의한 halo MOSFET 소자의 유효 이동도 모델을 제시하였고, 유효 이동도의 감소가 드레인 전류의 추가적인 감소에 기여함을 보였다. 제시된 모델에 따른 소자의 특성이 실험결과와 일치함을 보였다. Halo pocket implantation in MOSFETs, which is known to be an efficient method to provent the punchthrough and threshold voltage roll-off phenomena, decreases the drain current of MOSFET devices. Although the decrease of the drain current in halo structure MOSFET is usually explained in terms of the increase of the threshold voltage, more decrease in the drain current than is predicted by the increased threshold voltage has experimentally been observed. In this work, the effect of halo doping profile on the drain current degradation is investigated in terms of the field distribution along the channel. Effective mobility model of the halo MOSFETs due to pocket implantation is presented and the degradation of the mobility is shown to be effective in the further decrease of the drain current. Present model is shown to be in good agreement with experimental results.
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