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Grooved $SiO_2$ 박막을 갖는 Mach-Zehnder Ti:$LiNbO_3$ 광변조기의 진행파형 CPW 전극설계
한영탁,김창민,윤형도,임상규,안철,구경환,Han, Young-Tak,Kim, Chang-Min,Yoon, Hyung-Do,Lim, Sang-Kyu,An, Chul,Koo, Kyoung-Hwan 대한전자공학회 2000 電子工學會論文誌-SD (Semiconductor and devices) Vol.37 No.11
Goodved $SiO_2$ 박막을 갖는 Mach-Zehnder(M-Z)형태의 $Ti:LiNbO_3$ 진행파 광변조기의 전극구조를 변화시켜가며 유한요소법에 의한 해석을 수행하였다. 최적의 설계치를 추출하였으며, 제작된 전극에 대하여 특성임피던스($Z_o$), 마이크로파 유효굴절률($N_{eff}$), 감쇠정수($a_o$)를 측정하여 그 결과를 이론치와 비교하였다. 전극두께가 11${\mu}m$이고, $SiO_2$ 완중박막을 식각한 전극에 대하여, RF 측정결과로부터 계산된 3dB 변조대역폭은 18GHz로 나타났다. A Mach-Zehnder type $Ti:LiNbO_3$ optical modulator with a grooved $SiO_2$ buffer layer, was evaluated in terms of an electrode structure. The finite element method was performed to find out the optinum design parameters of electrodes. characteristic impedance ($Z_o$), MW effective index ($N_{eff}$) and attenuation constant ($a_o$)of fabricated traveling-wave electrodes were measured and compared with those obtained by the simulation expectation. For an optical modulator with 11${\mu}m$thick electrodes and a grooved $SiO_2$ buffer layer, the 3dB bandwidth based on the RF measurement results turned out to be 18GHz.
Grooved SiO₂ 박막을 갖는 Mach-Zehnder Ti : LiNbO₃ 광변조기의 진행파형 CPW 전극설계
韓榮鐸(Young-Tak Han),金昌敏(Chang-Min Kim),尹炯導(Hyung-Do Yoon),林相圭(Sang-kyu Lim),安哲(Chul An),具暻煥(Kyoung-Hwan Koo) 大韓電子工學會 2000 電子工學會論文誌-SD (Semiconductor and devices) Vol.37 No.11
Grooved SiO₂ 박막을 갖는 Mach-Zehnder(M-Z)형태의 Ti:LiNbO₃ 진행파 광변조기의 전극구조를 변화시켜가며 유한요소법에 의한 해석을 수행하였다. 최적의 설계치를 추출하였으며, 제작된 전극에 대하여 특성임피던스 (Z<SUB>o</SUB>), 마이크로파 유효굴절률 (N<SUB>eff</SUB>), 감쇠정수 (α<SUB>o</SUB>)를 측정하여 그 결과를 이론치와 비교하였다. 전극두께가 11㎛이고 SiO₂ 완충박막을 식각한 전극에 대하여, RF 측정결과로부터 계산된 3㏈ 변조대역폭은 18㎓로 나타났다. A Mach-Zehnder type Ti:LiNbO₃ optical modulator with a grooved SiO₂ buffer layer, was evaluated in terms of an electrode structure. The finite element mrthod was performed to find out the optinum design parameters of electrodes. Characteristic impedance (Z<SUB>o</SUB>), MW effective index (N<SUB>eff</SUB>) and attenuation constant (α<SUB>o</SUB>) of fabricated traveling-wave electrodes were measeurd and compared with those obtained by the simulation expectations. For an optical modulator with 11㎛ thick electrodes and a grooved SiO₂ buffer layer, the 3㏈ bandwidth based on the RF measurement results turned out to be 18㎓.