지문인식센서의 인식거리 증가를 위한 방법

국문 초록 (Abstract)

본 논문은 픽셀과 주변의 지문패턴 간에 형성되는 가장자리 커패시턴스를 감소시킴으로써 긴 인식거리에서 지문영상의 품질을 개선하는 방법에 대하여 기술하였다. 지문센서 상부에 부착되는 글래스 내에 격막을 적용하여 가장자리 커패시턴스를 감소시켰다. 지문과 격막 구조의 모델링은 3D 커패시턴스 해석 툴을 사용하였다. 실리콘타입의 정전방식 센서 위에 깊이는 50um, Pitch는 50um인 격막들이 적용된 글래스를 적층 하여 프로토타입을 제작하였다. 시뮬레이션과 프로토타입의 실험결과를 통해 본 논문에서 제안된 격막 적용 시 인식거리 300um 이상에서 지문영상의 해상도는 1.67 lp/mm 에서 2.5 lp/mm 로 개선되고 콘트라스트는 0.34에서 0.91로 개선됨을 확인하였다.

목차 (Table of Contents)

• 제1장 서 론 ...................................................................................................... 1
• 1-1. 연구의 배경 .............................................................................................. 1
• 1-2. 지문인증시스템 ......................................................................................... 3
• 제2장 관련연구 .............................................................................................. 8
• 2-1. Parasitic Capacitance Compensation Scheme ........................................ 8
• 2-2. High Permittivity EMC Mold Package ..................................................... 10
• 제3장 인식거리 향상 방법에 관한 제안 ......................................................... 12
• 3-1. 정전방식 지문센서의 인식거리에 대한 고찰 ............................................. 12
• 3-2. 정전방식 지문센서의 인식거리 개선 방법 제안 ........................................ 16
• 제4장 시뮬레이션 ............................................................................................... 18
• 4-1. 지문특성분석 및 모델링 ............................................................................. 18
• 4-2. 시뮬레이션결과 ........................................................................................... 24
• 제5장 실험결과 ................................................................................................... 34
• 제6장 결론 .......................................................................................................... 38
• 참고문헌 .............................................................................................................. 39
• Abstract .............................................................................................................. 41